搜寻结果
以下是含有长鑫存储的搜寻结果，共147笔
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长鑫LPDDR5X产品 挑战韩厂
大陆DRAM大厂长鑫存储近日在第16届IEEE国际专用积体电路会议（ASICON 2025）上宣布，推出LPDDR5X系列产品，部分产品已进入量产阶段。此举象徵长鑫存储切入高阶记忆体市场，将与三星、SK海力士等韩国大厂展开竞争。
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陆半导体巨头挂牌！长江存储明年上市 估值破3千亿人民币
知情人士透露，长江存储科技有限责任公司考虑在中国境内首次公开募股（IPO），估值可能超过400亿美元，上市规模或为近年来中国科技业最大。
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《产业分析》DRAM双雄狂飙 记忆体荣景提前反映？
DRAM双雄南亚科(2408)、华邦电(2344)股价持续往百元、45元迈进，华邦电再度改写25年高价，南亚科更飙上110元之歷史新高价，市场认为股价甚至已经反映到明年记忆体荣景，担心股价过热风险，记忆体超级循环势来临、AI泡沫、记忆体产品续涨动能、中国竞业干扰、扩厂计画等都是这波热潮所关心。AI发烫，使得DDR4供应受到排挤有所缺口，牵动公司营运转为强劲，市场也洞悉明年状况，但供需势必在某个时间点达到满足，同时也将关注232条款、美国的利率走势、非AI市况等。
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美光传退出大陆伺服器记忆体业务
消息人士透露，美国记忆体大厂美光（Micron）计划停止向中国资料中心供应伺服器晶片。中国是全球第二大伺服器记忆体市场，中国禁止使用美光产品，意味该公司将错过中国资料中心的扩张商机。而美光的退出，将让三星电子、SK海力士，以及中国政府支持的本土厂商长江存储与长鑫存储等竞争对手受益。
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《国际产业》退出中国伺服器晶片市场？美光秀业绩：没差
路透社引述知情人士报导，美光（Micron Technology Inc）拟退出在中国的伺服器晶片业务，因为该业务仍无法摆脱2023年中国政府下令国内关键基础设施禁用美光产品的封杀令。
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南亚科、华邦电 跃DDR4供应主力
三大原厂DRAM新产能集中高频宽记忆体（HBM）及先进制程产品，传统DDR4供应进一步下滑，台厂南亚科与华邦电成为全球DDR4市场的关键稳定力量。
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南亚科没戏了？ 内外资股价共识衝三位数
南亚科（2408）法说会后股价上冲下洗，振幅逼近15％，伴随成交量剧烈放大，人气旺盛可见一斑。继摩根士丹利证券半导体产业分析师詹家鸿拉升股价预期至110元后，大和资本、麦格理、凯基与金控旗下投顾等全面拉升股价预期，幅度动辄翻倍，目标价最高来到120元以上，潜在涨幅约4成。
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记忆体大爆发！迎3年最猛復甦潮 4台厂摩拳擦掌抢商机
记忆体在ＡＩ助力之下，迎三年最强復甦，美光、SanDisk、三星陆续调涨DRAM与NAND报价，南亚科、华邦电、威刚、群联积极抢攻商机。
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南韩大危机！三星爆重大泄密案 还有300顶尖人才跑去华为
南韩科技业面临人才流失与泄密危机，法院起诉3位三星前员工，包括一名高阶主管，涉嫌泄漏机密帮助大陆完成18 奈米DRAM记忆体的开发，未来恐面临刑责与鉅额求偿。同一时间，超过300名南韩研究人员在华为工作，规模之大让业界相当震惊，韩媒示警理工科人才外流的问题超乎想像。
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AI推动记忆体产业进入超级循环 需求爆发 大摩升评群联、南亚科
摩根士丹利证券指出，AI正推动记忆体产业进入前所未有的超级循环（Unprecedented Supercycle），持续带动DRAM、NAND，甚至NOR Flash需求急速成长，成为产业长线动能的主要驱动力，将群联、南亚科股价预期双双调升至全市场最高的1,000元与110元。
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记忆体进入超级循环 大摩升2檔目标价写外资最高
摩根士丹利证券指出，AI正推动记忆体产业进入前所未有的超级循环（Unprecedented Supercycle），持续带动DRAM、NAND，甚至NOR Flash需求急速成长，成为产业长线动能的主要驱动力，将群联（8299）、南亚科（2408）股价预期双双调升至全市场最高的1,000元与110元。
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跟美国拚了！传大陆要求领先晶片制造商A股上市
路透旗下IFR引述知情人士报导，中国监管机构要求国内领先的晶片制造商在境内上市，以加强管控对购买这些战略重要企业股权的投资者类型。此举是中国在与美国的晶片战中提升半导体产业实力的一环。
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长江存储拟进军DRAM 拚HBM晶片
自美国2024年底扩大出口管制，限制中国取得高频宽记忆体（HBM）后，中企急于提升先进晶片制造能力。外媒25日报导，中国NAND Flash大厂长江存储正计画跨足DRAM晶片制造领域，其中包括用于打造AI晶片组的HBM。
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三星HBM市占变老三
产业研究机构Counterpoint Research最新数据显示，今年第二季三星电子在全球高频宽记忆体（HBM）市场的市占率下滑至第三，由美光拿下第二，但分析师仍旧看好韩国业者继续主导HBM市场。
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惜售 DRAM报价10月看涨双位数
全球记忆体市场在生成式AI与大型云端服务商（CSP）急单带动下，正式进入新一轮长线上行。随着业界开始惜售，业者预期，10月DDR4与DDR5合约价及现货价，皆将出现双位数涨幅。
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《半导体》记忆体全面掀涨价潮 外资认错调升价评
台股周四逼近25664.81之盘中歷史高点，但随后涨幅略微收敛，但记忆体利多可望延续今年第四季，甚至明年上半年，美系外资调升旺宏、南亚科投资评等至增持(Upgrade to Overwt)，华邦电维持增持但将目标价从30元调升至38元，使得记忆体族群周四涨势整齐，其中华邦电(2344)、旺宏(2337)衝上涨停，晶豪科(3006)触及涨停价，南亚科(2408)、商丞(8277)等亦涨逾半根涨停，表现强劲。
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记忆体再吹涨风 Q4上看50％
下半年电子业传统旺季来临，记忆体市场再次掀起涨价风潮，继第三季报价走扬后，第四季仍可望季增20％～50％涨幅。台韩记忆体制造大厂纷纷控产，使得市场供给更加吃紧。
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华为AI晶片恐断炊！关键材料快耗尽 研调揭瓶颈内幕
大陆加速发展本土AI晶片，除了受到中芯国际等晶圆代工厂产能限制外，缺乏高频宽记忆体（HBM）技术成为一大考验。半导体研究机构《SemiAnalysis》最新报告指出，虽然大陆企业近年大举囤货，但到今年底进口的HBM库存将逐步「耗尽」，导致华为等厂商明年可能无法生产百万片以上的AI晶片。
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长江存储抢攻HBM 结盟长鑫
大陆加紧发展AI领域，并持续推进陆产高频宽记忆体（HBM）。韩媒报导，大陆NAND Flash大厂长江存储不仅投入研发DRAM，更寻求和本土DRAM巨头长鑫存储合作，共同突破HBM技术难关。其中，长江存储计画最快在2025年底投资DRAM研发设备。
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南韩又要紧张了！大陆抢攻HBM记忆体 2巨头首度联手
大陆加紧发展AI领域，并持续推进国产化HBM记忆体。最新消息传出，长江存储正积极准备进入DRAM记忆体领域，并寻求与长鑫存储合作，共同攻克HBM记忆体技术难关。