英特磊科技(4971)為三五族磊晶產業的獲利小巨人,技術領先並站在產業趨勢浪頭上,掌握關鍵MBE生產技術暨化合物特性,確保高毛利水平,EPS由2009年的0.23元增至2012年的4.53元,且直接與世界級高頻整合元件廠,及高頻量測儀器大廠攜手合作,建構屹立不搖的產業地位,掌握未來技術規格,立足技術平台,深耕利基產品,是值得投資者鎖定關注,且持股共同成長的基礎股票之一;該公司於8日由董事長康潤生、總經理高永中共同主持舉行掛牌前業績發表會,預定在本月24日正式掛牌。

英特磊成立於1999年,目前資本額2.59億元,生產基地位於美國德州,採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等III-V族化合物半導體磊晶(Epi)的生產,由於掌握成本及技術優勢,垂直整合銻化鎵紅外線材料生產線,切入光通訊元件生產,並搭上雲端趨勢,為該公司未來發展更增動能;並且,該公司已打入美國國防部供應鏈,以及掌握最新三五族技術趨勢,基於市場發展趨勢與公司核心競爭力,未來目標是每年營收都有3成的成長率,獲利亦將隨之同步提升。

英特磊毛利率隨產能利用率提升、良率改善與產品組合改變呈逐年提升趨勢,由2007年的9.56%提高至2012年的42.5%,其中,InP磊晶片營收規模持續擴大,毛利率由2009年的26.37%大幅提升至2012年的57.36%,足證該公司之營運策略奏效,在國際量測大廠InP-HBT訂單挹注下,帶動營收與獲利同步成長。

英特磊具備MBE高技術水準、客製化彈性及量產能力,且與世界級大廠建立良好合作關係,伴隨通訊產業需求帶動三五族化合物半導體產業發展,智慧手機快速成長帶動GaAs需求,網際網路流量需求倍速成長拉升高頻元件與光通訊元件需求,產業供應鏈完整帶動磊晶需求,未來成長可期。

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