台積今年資本、研發支出 雙創新高

晶圓代工龍頭台積電昨（29）日舉行2014年技術論壇台北場次，共同執行長魏哲家表示，台積電今年資本支出及研發支出雙創新高，20奈米是今年成長動能之一，16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程將引領明年成長，台積電配合客戶需求研發新技術及擴產，是「既合作又合作再合作」，對手「既合作又競爭」很難獲得信任。

魏哲家表示，台積電2010年至2013年的資本支出合計已超過310億美元，若再加上今年近100億美元資本支出，5年來的總投資已遠遠超過新台幣1兆元，這是不容易達到的結果。對台積電來說，這卻是必須的投資，也將會帶來更大的報酬。

魏哲家也表示，行動裝置的強勁需求，讓台積電今年晶圓出貨可以再創新高紀錄，而就市場趨勢而言，物聯網高達1.9兆美元的龐大商機，將是台積電未來幾年爭取的重心，「只要拿下一半的訂單，對營收的挹注就很不得了」。

台積電昨日在技術論壇指出，行動裝置仍是今年半導體市場最大需求來源，預估智慧型手機今年出貨量將達12.5億支，中國市場出貨量上看4.8億支，而平板電腦今年全球出貨量可上看3.1億台，首度超越PC出貨量，中國市場出貨量則可創下1.2億台新紀錄，至於4K2K超高畫質電視今年出貨量也將超過1,000萬台。

為了滿足客戶對於先進技術及產能的需求，台積電近幾年積極投資。

魏哲家表示，台積電2009年資本支出約26.71億美元，但今年將上看100億美元規模，至於研發支出在2009年僅6.57億元，今年則上看18億元，在資本支出及研發支出雙創新高之際，台積電會加強與客戶的合作，配合客戶需求研發新技術及擴大產能。

魏哲家說，台積電的研發支出持續拉高，已經完成了16奈米FinFET製程研發，在成熟製程上也可提供55奈米嵌入式快閃記憶體及0.13微米BCD製程，同時，台積電在高壓氮化鎵技術、微機電技術上都有很好成績，明年上半年InFO系統封裝也將開始量產。

以今年來說，台積電先進製程產能正持續開出，包括28奈米高介電金屬閘極（HKMG）製程將持續領先同業，20奈米訂單全面滿載。魏哲家表示，台積電與許多客戶的創新合作，均替市場寫下新紀錄，如與聯發科合作生產全球首顆8核心應用處理器、與聯詠合作生產四核心4K2K電視晶片、與高通的合作則是跨入20奈米。