日經新聞報導,在NAND Flash晶片市場各據一方的東芝與三星電子,為了在新一代3D記憶體晶片市場搶得先機,近日正加緊研發腳步,盼能搶先對手一步突破48層技術門檻並開始量產。

NAND Flash晶片是目前普遍應用於智慧型手機與PC的記憶體晶片,由三星主導全球市場,其次是市占率第2的東芝。但隨著NAND Flash晶片技術逼近最高極限,三星、東芝早已開始研發新一代記憶體晶片技術。

相較於2D記憶體晶片的單層結構,3D記憶體晶片能靠多層結構大幅擴充記憶體容量。

以東芝為例,該公司目標在2019會計年度(2019年4月起)前製造出容量1TB的3D記憶體晶片,相當於目前2D記憶體晶片最大容量的16倍。

然而,眼前兩家公司的3D記憶體晶片技術仍在研發階段。據業界人士透露,東芝與三星各自研發的3D記憶體晶片技術已在去年達到24層技術門檻,且預計今年升級至32層技術。

但一名東芝高層透露,「現階段量產3D記憶體晶片沒有意義」,因為採用32層技術的3D記憶體晶片生產成本還太高,價格競爭力不及目前最高規格的2D記憶體晶片。

觀察家認為東芝及三星都立志在明年突破48層技術門檻,一旦突破就會立刻量產,因此在這個節骨眼只要其中一家公司研發進度領先,就可望主導日後的3D記憶體晶片市場。

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