三星宣布推疊32層的128Gb 3D V-NAND進入量產,為全球四大陣營3D NAND軍備競賽揭開序幕。圖為三星V-NAND晶片及固態硬碟。圖/三星電子提供
三星宣布推疊32層的128Gb 3D V-NAND進入量產,為全球四大陣營3D NAND軍備競賽揭開序幕。圖為三星V-NAND晶片及固態硬碟。圖/三星電子提供
四大NAND Flash廠的2D/3D NAND技術一覽
四大NAND Flash廠的2D/3D NAND技術一覽

NAND Flash明年將是殺戮戰場?由於全球最大NAND Flash廠三星電子西安廠正式投產,並宣布開始量產128Gb 3D V-NAND晶片,東芝及新帝(SanDisk)聯軍為了維持市占率,已決定加快日本Fab5第2期量產,而SK海力士、美光、英特爾等也開始拉高產能因應激烈競爭。NAND Flash廠軍備競賽在第4季全面開打,業界對明年市況感到憂心,供過於求問題恐導致跌價幅度大於今年。

今年上半年NAND Flash市場已是供過於求,由供給端來看,三星、SK海力士、東芝、美光等19/20奈米製程良率已達成熟階段,且投片量重新來到新高紀錄。但由需求端來看,上半年高階智慧型手機及平板銷售動能低迷,中低階智慧型手機雖然買氣不弱,但搭載eMMC/eMCP容量在16GB以下。總體來看,上半年就是因為供過於求,導致價格連續2季快速下滑,跌幅已逾3成。

第3季因為進入蘋果iPhone及iPad的拉貨旺季,今年蘋果拉高NAND Flash容量至128GB,的確讓NAND Flash價格止跌回升,但只是曇花一現,由於三星西安廠在第3季進入量產,東芝及新帝合資的Fab5第2期也在9月落成啟用,加上SK海力士去年因無錫廠大火而將M12產能轉為DRAM,也在第3季回復NAND Flash投片。所以隨著產能在9月陸續開出,價格開始鬆動,進入第4季後因為是傳統淡季,10月以來價格跌幅已見擴大。

模組業者表示,三星西安廠第4季月投片量拉高到3.5~4萬片,東芝Fab5第2期正在快速增產,SK海力士M12將月投片量拉高到近5萬片規模,第4季及明年第1季NAND Flash產能快速放大。但需求面來看,固態硬碟(SSD)銷售動能趨緩,只靠蘋果推出的iPhone及iPad,其實並無法去化新增的產能,供過於求壓力將由今年第4季延續到明年上半年。

NAND Flash廠除了擴產,製程微縮速度也正在加快,三星、東芝、SK海力士的16奈米製程已在第4季全面量產,明年還會轉進1znm世代,包括三星14奈米、東芝12奈米、SK海力士13奈米、美光15奈米等,都會在明年上半年進入全產能量產。再者,各廠積極布局的3D NAND,明年也會開始陸續進入量產。

以主流的128Gb NAND MLC晶片價格來看,自去年10月至今的一年中,平均價格已由12美元快速跌至目前的7美元左右,而上游晶片廠軍備競賽加劇,業界對NAND Flash市場看法愈趨保守,明年價格跌勢恐大於今年。

#奈米 #三星