5G高頻率特性讓氮化鎵(GaN)半導體製程成為功率放大器(PA)市場主流技術,同時,GaN功率元件也開始被大量應用在車聯網及電動車領域。看好GaN市場強勁成長爆發力,世界先進(5347)經過3年研發布局,今年矽基氮化鎵(GaN-on-Si)製程將進入量產,成為全球第一家提供8吋GaN晶圓代工的業者,大啖5G及車電市場大餅。

台積電及世界先進近年來積極投入GaN製程研發,今年可望開花結果,合力搶進快速成長的GaN晶圓代工市場。台積電與德商戴樂格(Dialog)等客戶合作,已開始提供6吋GaN晶圓代工服務;世界先進與設備材料廠Kyma、轉投資GaN矽基板廠QROMIS攜手合作,去年底已成功試產8吋GaN晶圓,今年將成為全球首家提供8吋GaN晶圓代工服務的業者。

相較於矽製程及砷化鎵(GaAs)等成熟半導體技術,GaN是相對較新的製程。隨著5G技術即將全面商用,基地台升級商機龐大,由於5G技術上採用更高操作頻率,業界對於GaN元件將逐步取代橫向擴散金氧半導體(LDMOS)並成為市場主流技術已有高度共識。另外,在手機PA元件部份,3G及4G主要採用GaAs製程,5G因為高頻的關係,讓GaN製程的PA元件很有機會成為市場新主流。

市調機構拓墣指出,GaN因具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢,不僅可使晶片面積可大幅減少,並能簡化周邊電路的設計。同時,低導通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失,對於電動車續航力的提升有相當的幫助。

在射頻及PA元件、與車用電子等相關晶片市場中,包括恩智浦、英飛凌、德儀等IDM廠位居主導地位,但在GaN技術上,IDM廠反而開始透過晶圓代工廠取得產能。也因此,世界先進順利搶進8吋GaN晶圓代工市場,可望爭取到更多5G及車電等相關晶圓代工訂單。

世界先進去年合併營收年減3.6%達249.10億元,歸屬母公司稅後淨利年18.7%達45.05億元,每股淨利2.75元,符合市場預期。世界先進董事會決議今年每普通股擬配發3元現金股利。由於8吋晶圓代工產能吃緊,加上矽晶圓價格看漲,世界先進與客戶協商後已小幅調漲第一季晶圓代工價格,由於產能全年供不應求,價格應可逐季調漲,有助於營收及獲利表現。

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