漢磊投控(3707)旗下晶圓代工廠漢磊科及EPI矽晶圓廠嘉晶(3016)下半年營運強勁,金氧半場效電晶體(MOSFET)及絕緣閘雙極電晶體(IGBT)等功率半導體訂單滿到明年第1季。

看好功率元件市場朝向寬能隙(Wide Band-Gap)功率半導體發展趨勢,漢磊及嘉晶將擴大超接面(Super Junction)、碳化矽(SiC)、氮化鉀(GaN)等新元件的投資布局,明年底前產能開出後將成未來成長新動能。

由於MOSFET等功率半導體市場供不應求,漢磊及嘉晶受惠於國際IDM廠擴大釋出代工訂單,加上國內IC設計客戶追加急單,產能利用率將滿載到年底。由於漢磊調漲第3季晶圓代工價格,嘉晶亦調漲EPI矽晶圓價格,法人看好漢磊及嘉晶第3季營收將同步改寫歷史新高,第4季營收可望續創新高。

嘉晶受惠於EPI矽晶圓出貨暢旺及價格順利調漲,8月合併營收月增2.0%達4.23億元,已連續8個月創下單月營收歷史新高,較去年同期大幅成長49.2%。累計今年前8個月合併營收達28.83億元,較去年同期成長29.8%。由於日本北海道9月初發生大地震,當地設廠的日本矽晶圓廠產出受到嚴重影響,導致功率半導體用8吋及6吋EPI矽晶圓供貨轉趨吃緊,法人看好嘉晶可望受惠於轉單及漲價效應持續發酵。

漢磊投控公告8月合併營收5.82億元,約與7月持平並為單月歷史次高,與去年同期相較成長30.3%。漢磊投控今年前8個月合併營收達42.26億元,較去年同期成長21.0%,法人看好第3季營收將季增6~9%續創歷史新高,單季獲利有機會挑戰賺贏上半年。

隨著節能減碳成為市場主流趨勢,新一代功率半導體扮演重要角色,例如未來電動車及充電椿就會大量採用SiC材料的寬能隙功率半導體,強調高速資料傳輸的5G相關設備,則會朝向採用GaN材料的寬能隙功率半導體方向發展。再者,強調低功耗的馬達或數位家電等,現在主流採用IGBT為主要元件,但未來可望朝向超接面MOSFET的方向發展。

嘉晶已經完成了SiC及GaN等相關矽晶圓技術及產能,在完成客戶認證後將可開始出貨,今年亦宣布將投資建置超接面MOSFET矽晶圓生產線。漢磊已可支援小尺寸晶圓SiC及GaN的晶圓代工,今年亦將擴大投資6吋SiC晶圓代工相關產能。法人預期,嘉晶及漢磊可提供由矽晶圓到晶圓代工的寬能隙功率半導體一條龍服務,可望爭取到現有國際IDM大廠客戶青睞及下單。

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