好不容易傳出大陸國家主席習近平與美國總統川普將在G20峰會期間會晤,可望為貿易戰降溫,但貿易戰火如今已燒向半導體產業。在美國商務部直接對大陸DRAM廠福建晉華實施出口禁令後,美國司法院亦控告福建晉華、台灣聯電、及晉華總經理陳正坤等在內的3名個人,指控共謀盜竊美國記憶體廠美光(Micron)商業機密。

美光離職員工竊取DRAM技術資料並帶到聯電任職,屬個人違法行為,在台灣地檢署起訴美光離職員工竊密案後,聯電已發現員工違法之事,當然不可能利用美光的機密資料,這部份進入司法程序後應可釐清相關責任歸屬,只要確定不是聯電要求美光離職員工帶資料到聯電,就不能因此對聯電定罪。

有關DRAM專利侵權的指控部份,聯電對此喊冤。聯電早在2000年之前曾設立授權產品事業部門,當時即投入DRAM生產及技術研發,2001年因DRAM價格崩盤,聯電關閉LPD部門並退出DRAM市場。

不過,聯電的研發團隊仍對DRAM技術有所著墨,包括2007年時與日本DRAM廠爾必達(Elpida)合作開發低介電質(Low-K)銅導線的DRAM及相位變化隨機存取記憶體(PRAM),爾必達於2012年破產後被美光收購,合作案自然終止。

聯電與晉華的合作,是基於聯電當年DRAM技術根基的再出發,加上以聯電在半導體產業的地位,著實沒有必要竊取美光的機密。聯電總經理簡山傑曾說明,聯電的所有研發及會議都會留下紀錄,聯電自主研發DRAM技術,憑藉的是合法及清楚的起點,以及完整詳實的問題解決途徑,還有自行研發過程中產生的專利。

對聯電來說,受晉華委託開發的32/32S奈米DRAM技術仍在開發階段,近日因晉華被美方列為禁止出口對象,聯電已暫停合作計畫。因為技術仍在開發中,沒有任何成果,也沒有生產出任何產品,加上該技術源自聯電本身舊有的DRAM技術,沒有使用美光的機密,當然也未對美光造成任何損害,所以聯電也確立態度,將嚴正以對並竭力回應該指控。

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