由於美中貿易戰導致市場不確定性大增,加上英特爾處理器缺貨,影響全球智慧型手機及電腦銷售,也導致DRAM及NAND Flash出貨供給過剩壓力,明年價格看跌。在了在低迷市況中穩住獲利能力,記憶體大廠三星及美光已相繼傳出將調降明年DRAM及NAND Flash位元出貨量消息,業界認為有助於減少跌價壓力,對南亞科(2408)及群聯(8299)明年營運將是一大利多。

根據韓國外電,三星計畫2019年減少記憶體產量,DRAM位元出貨量由原本預估的20%以上降至低於20%,NAND Flash位元出貨量則由40%下修至30%。三星平澤二廠原本預期明年上半年完工,但因市場供給過剩,該廠增產及擴產計畫恐延緩,以限制產能增加並降低DRAM跌價速度及幅度,據了解,三星已考量將擴增4萬片月產能下修至2~3萬片。

另外,美光也在日前法說會中透露下修明年出貨目標計畫。美光指出因為智慧型手機出貨衰退,加上英特爾處理器缺貨影響PC出貨,2019年資本支出將由原先預期的105億美元下修至90億美元。同時,美光將明年DRAM位元出貨量目標由原本預估的20%下修至16%,NAND Flash位元出貨量則由原先預估35~40%下修至35%。

至於韓國另一記憶體大廠SK海力士雖然尚未說明2019年的出貨目標,但曾表示會減少資本支出,以控制出貨量成長率及減緩下一步投資計畫。與東芝合作的威騰(WD)同樣釋出將放緩明年NAND Flash新產能投資,以避免價格持續大跌影響獲利。

由記憶體大廠調降明年位元出貨目標的動作來看,DRAM及NAND Flash的位元出貨量成長率,將控制在與市場需求成長率的幅度。目前各大廠普遍預期明年DRAM位元需求量將較今年成長15~20%,NAND Flash位元需求量則較今年成長35%左右。業者指出,若位元成長率有效控制,跌價情況將明顯放緩,只要本身製程順利微縮,就可降低獲利大幅下滑壓力。

法人則指出,包括三星及美光等大廠若真能控制明年位元出貨量,DRAM價格可望在明年第2季止跌,明年下半年應可維持穩定,以南亞科20奈米微縮十分順利情況來看,獲利不致於有太大的衰退。NAND Flash今年價格重挫7成以上,明年跌價幅度可望縮小在3成以內,且跌價有助於提高終端需求,群聯明年獲利有機會優於今年。

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