嵌入式非揮發性記憶體矽智財(eNVM IP)供應商力旺(3529)宣布,其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入華邦電(2344)25奈米DRAM製程平台,即將進入量產階段,有助於客戶在車用、工業、5G通訊等新的市場應用取得先機。

力旺第一季合併營收3.95億元並較去年同期成長5.6%,營業利益1.94億元改寫新高,歸屬母公司稅後淨利季增7.9%達1.77億元,為6季度來新高,每股淨利2.39元優於市場預期。力旺第二季雖是傳統淡季,但下半年新應用開始明顯挹注營收,獲利亦會見到強勁成長動能。

NeoFuse矽智財使DRAM產品在封裝前的晶片測試及封裝後的產品測試均可進行修補,達到多次修補(Multi-Repair)的目的。與傳統雷射調校(Laser Trimming)相比,不僅降低調校成本與時間,並可使製造測試流程更加便利。尤其是在晶片封裝後仍可進行修補,大為提升多晶片封裝(MCP)產品的生產良率。

可相容於DRAM製程平台的NeoFuse技術提供優於一般工作範圍的操作電壓區間,有利於客戶在產品設計上具備彈性並有效降低功耗。此外,NeoFuse的高編程良率,只需一次編程便可將資料成功寫入,可大幅降低操作的複雜性和測試成本。

力旺業務發展中心副總何明洲表示,力旺的矽智財解決方案已成功地導入各類型的晶片應用。此次與華邦電子共同合作,將力旺的NeoFuse導入25奈米DRAM製程,此項合作可使整體產品測試更加靈活,更有效率地提供符合高階客戶與應用需求的產品。

力旺與華邦電此次的合作對雙方來說均是重要的里程碑,顯示其在創新技術上的持續努力與致力提供值得信賴、高品質解決方案的決心。除了現階段在25奈米DRAM製程的合作外,雙方更進一步進行NeoFuse在二代DRAM製程的開發計畫,預計在不久後即可完成布建。

法人認為,三星、SK海力士等DRAM廠已經開始將反熔絲(anti-fuse)技術應用在DRAM中,力旺NeoFuse獲華邦電採用在25奈米DRAM製程,未來可望爭取與其它DRAM廠合作機會,由於DRAM晶圓投片量大,可望為力旺帶來龐大的權利金收入。

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