德國蔡司(ZEISS)第二次參加台灣國際半導體展,17日宣布推出次微米解析度3D非破壞性的成像解決方案ZEISS Xradia 620 Versa RepScan,能透過檢驗與量測功能加速先進IC封裝的上市時程。新系統運用3D X-ray顯微鏡(XRM)及蔡司遠距高解析(RaaD)技術與精密的分析軟體,能夠為深埋在最先進封裝內的晶片提供完整的體積與線性量測。

蔡司表示,此方法遠超過使用物理橫切面、2D X-ray、microCT(高解析度電腦斷層掃描)等既有量測方式所能及,且新系統能提供更精準的資料結果,是縮短先進封裝的開發與良率學習週期最有利的機台設備。在台灣主要客戶群包括台積電、聯電等晶圓代工廠,日月光、京元電等封測代工廠,以及閎康、宜特等檢測服務業者。

蔡司新系統支援複雜的小間距3D架構設計驗證、產品開發、製程最佳化與品保品管,包含2.5D中介層、具備直通矽晶穿孔與微凸塊的高頻寬記憶體堆疊、層疊封裝互連及單一堆疊中內含多晶片的超薄記憶體。

行動與高效裝置對於微縮及傳輸效能的需求不斷提高,使得業界在高密度多晶片架構的許多創新,而這些設計也帶動封裝技術邁入立體化,使得製程的量測技術成為是否能推出新穎且先進技術的關鍵,而這些技術的製程寬容度(process margin)通常較低或較難被控制。

事實上,晶片先進封裝製程開始由植球技術轉進採用RDL製程的扇出型封裝,或加入矽中介層及TSV製程的2.5D/3D IC封裝,晶片複雜度愈高,傳統量測技術已無法有效觀測晶片結構。業界目前針對先進封裝架構推出的方案仍屬少數,蔡司希望能藉由新系統的推出,在非破壞性3D X-ray量測市場提早卡位並擴大市占率。

蔡司半導體製造技術業務發展總監Thomas Gregorich表示,現今先進封裝中因晶片尺寸太小,已無法用2D x-ray與microCT這類非破壞性的方法來觀測。此外,物理橫切面除了無法提供3D立體資料之外,還屬於破壞性量測,較為耗時,通常也只能處理少量樣本,就統計層面來說,改進製程控制的成效有限。蔡司新推出的3D X-ray量測解決方案,將可提供更好的3D影像模擬,加快晶片上市時間。

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