晶圓代工龍頭台積電及微影設備大廠艾司摩爾(ASML)於上周法人說明會透露更多3奈米細節。台積電3奈米採用鰭式場效電晶體(FinFET)架構及極紫外光(EUV)微影技術,邏輯密度與5奈米相較將大幅增加70%,且EUV光罩層數將倍增且超過20層。因此,台積電積極採購EUV曝光機設備,未來三~五年仍將是擁有全球最大EUV產能的半導體廠,包括家登及崇越等供應商可望受惠。

台積電EUV微影技術已進入量產且製程涵蓋7+奈米、6奈米、5奈米。據設備業者消息,台積電7+奈米採用EUV光罩層最多達四層,超微新一代Zen 3架構處理器預期是採用該製程量產。6奈米已在第四季進入量產,EUV光罩層數較7+奈米增加一層,包括聯發科、輝達、英特爾等大廠都將採用6奈米生產新一代產品。

台積電下半年開始量產5奈米製程,主要為蘋果量產A14及A14X處理器,包括超微、高通、輝達、英特爾、博通、邁威爾等都會在明年之後導入5奈米製程量產新一代產品。5奈米EUV光罩層數最多可達14層,所以Fab 18廠第一期至第三期已建置龐大EUV曝光機台設備因應強勁需求,台積電明年將推出5奈米加強版N5P製程並導入量產,後年將推出5奈米優化後的4奈米製程,設備業者預期N5P及4奈米的EUV光罩層數會較5奈米增加。

台積電在日前的法說會中宣布,3奈米研發進度符合預期且會是另一個重大製程節點,與5奈米製程相較,3奈米的邏輯密度可增加70%,在同一功耗下可提升15%的運算效能,在同一運算效能下可減少30%功耗。3奈米製程採用的EUV光罩層數首度突破20層,業界預估最多可達24層。

ASML執行長Peter Wennink在日前法說會中指出,5奈米邏輯製程採用的EUV光罩層數將超過10層,3奈米製程採用的EUV光罩層數會超過20層,隨著製程微縮EUV光罩層數會明顯增加,並取代深紫外光(DUV)多重曝光製程。

台積電5奈米及3奈米的EUV光罩層數倍數增加,提供EUV光罩盒(EUV Pod)的家登受惠最大,今、明兩年產能均已被大客戶預訂一空。至於EUV產能大幅提高,代理EUV光阻液的崇越接單暢旺,訂單同樣排到明年下半年。

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