半導體大廠英特爾執行長基辛格(Pat Gelsinger)27日召開Intel Accelerated技術說明會,宣布IDM 2.0策略已邁開大步。

為了配合前段晶圓製程由奈米向埃米(angstrom)推進,並實現摩爾定律優勢,英特爾推出先進3D封裝技術,並宣布亞馬遜AWS將會是第一家採用英特爾晶圓代工服務(IFS)「封裝解決方案」的客戶。至於英特爾與台積電的合作將持續成長,包括採用其先進製程生產CPU模組化晶片塊(modular tiles)。

基辛格說明英特爾IDM 2.0策略最新進度。在自有技術推進及產能建置上,英特爾將繼續自內部生產多數產品,積極使用極紫外光(EUV)技術。

除了製程創新之外,英特爾在封裝技術上的領先地位也是一個重要的優勢,透過多個矽智財(IP)或晶片塊(tiles)的組合,提供獨特的客製化產品以滿足運算世界中多樣化客戶的需求。

與晶圓代工廠合作方面,基辛格強調將擴大採用台積電、聯電、三星晶圓代工、格芯等合作夥伴的產能,可望為英特爾帶來成本優化、效能、時程和供貨所需的更高靈活性和更大規模。

同時,英特爾與台積電的合作將持續成長,包括採用其先進製程生產模組化晶片塊,並在2023年開始為PC端和資料中心領域提供以英特爾運算為核心的產品。

在晶圓代工服務部分,基辛格表示,英特爾將會利用全球產能提供晶圓代工服務,IDM 2.0關鍵的一環就是生產製造,英特爾所採用的製程與封裝技術,亦會是全球供應鏈網路的一劑強心針,相關的創新將進一步吸引生態系夥伴共同深入合作。

此外,英特爾亦宣布推出Foveros Omni以及Foveros Direct等全新3D封裝技術。Foveros Omni採用晶片與晶片連結與模組化設計,允許混合多個頂層晶片塊與多個基底晶片塊,以及橫跨多種晶圓廠節點的分拆晶片(die disaggregation)設計,預計將於2023年準備大量生產。

英特爾為了降低互連電阻,Foveros Direct改採直接銅對銅接合技術,模糊了晶圓製造終點與封裝起點的界線,能夠達成低於10微米的凸點間距,提升3D堆疊一個量級的互連密度,為原先被認為無法達成的功能性晶片分割開啟新頁。至於Foveros Direct則是Foveros Omni的補充技術,同樣預計於2023年問世。

#Omni #合作 #技術 #封裝 #晶片