高永中指出，隨物聯網、5G持續快速發展，加上疫情後全球對雲端作業需求加重，因此帶動全球高頻光纖網路加快增速增覆蓋。而5G的基礎建設及高頻光纖網路中最重要的基本元件，就是磷化銦的異質結雙極電晶體（HBT）、晶片光接收器（PIN）和雪崩式光接收器（APD），在市場需求強勁下，這三項高毛利產品帶動英特磊第一季獲利突飛猛進。
英特磊在研發方面，專注於氮化鎵（GaN），高摻雜氮化鎵二次生長也是未來公司重要的成長動能。高永中說，所謂二次生長（regrowth）是指在GaN磊晶元件上再以MBE技術生長高摻磊晶可提升產品效能。
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