晶圓代工2奈米比較
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半導體設備鏈16日股價表現
半導體設備鏈16日股價表現

全球晶圓代工先進製程戰再起,台積電2奈米製程的竹科寶山P1晶圓廠,最快於4月份進行設備安裝工程,並全新採用GAA(全柵極環繞)電晶體架構,預計2025年量產。此外,寶山P2與高雄廠預估於2025年加入擴產,中科二期也進行評估,向三星及英特爾新世代製程宣戰。

半導體業者表示,全球晶圓代工先進製程持續推進,競爭對手三星提早於3奈米進入GAA架構,雖然良率表現未達標,然已具備量產經驗;英特爾則預計今年RibbonFET架構之20A就將進入量產。因應競爭對手來勢洶洶,台積電必須加緊腳步。「全環繞柵極 (gate-all-around、簡稱GAA)」技術,是決定半導體處理能力在1年半~2年是否倍增的重要技術。

三星企圖彎道超車,率先於3奈米晶片採用,是首家從傳統FinFET轉換的業者,然而良率穩定度不佳,客戶並未買單,也讓台積電3奈米底氣十足;這也進一步顯示,從2D走向3D的晶片設計,GAA電晶體架構難度陡升。

除外,英特爾追趕腳步也加快,據規劃,今年上半年Intel 20A、下半年 Intel 18A都將推出;不過外界預估,Intel 20A僅供英特爾自家產品使用,不會主動提供IFS客戶。因此推斷,英特爾會持續與台積電保持緊密的合作關係。

台積電基於穩健考量,於相同的製程技術與製造流程下,不用變動太多的生產工具,能有較具優勢的成本結構;對客戶而言,在先進製程的開發中,變更設計,都會是龐大的時間和經濟成本。

供應鏈表示,台積電2奈米於去年底確定各式參數,特化氣體、設備等供應商也大致確認,並逐步展開簽約,今年4月將開始於寶山P1廠裝機。相關設備業者透露,台積電製程推進如預期快速進行,推測寶山P2也會在今年有消息。

3奈米以下先進製程,未來也需要具備先進封裝的chiplet概念、成為必要的解決方案。供應鏈更指出,台積電正採取革命性方法來建立智慧SoIC和先進封裝 (InFO/CoWoS) 整合型智慧工廠;其中,將配備獨特的內部開發製造系統-「SiView Plus」的混合前端矽(SiView)和封裝(AsmView)系統,一併整合先進製程、先進封裝,為客戶提供最佳服務。

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