目前產業界已實現4英寸氧化鎵單晶的量產，並有望在未來幾年擴大至6英寸。與此同時，基於氧化鎵材料的肖特基二極體與電晶體在結構設計、製程等方面近年來亦取得了突破性進展，首批肖特基二極體產品預計2024年投放市場，有望成為首個規模商用的氧化鎵功率元件。即使氧化鎵仍存在導熱性差與P型摻雜缺失等棘手挑戰，但相信隨著功率半導體巨頭的跟進，以及關鍵應用的牽引，其商業化指日可待。
材料與元件技術並進 氧化鎵商業化腳步漸近
2024 全球十大科技脈動8
隨高壓、高溫、高頻等應用場景增加，氧化鎵Ga2O3作為一種超寬禁帶半導體材料，已經被認為是下一代功率半導體元件的有力競爭者，特別是在電動車、電網系統、航空航太等領域。相較於氣相生長的碳化矽與氮化鎵，氧化鎵單晶製備可透過類似矽單晶熔融生長法來完成，因此擁有較大降本潛力。
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