合晶 GaN、SOI雙料出擊

合晶今年成立第三代半導體子公司「合晶寬能」，資本額5億元，鎖定AI資料中心高階電源轉換應用；同時，該公司SOI產品，被視為矽光子技術的重要潛力平台，展現跨世代半導體布局。

合晶指出，「合晶寬能」的GaN磊晶產品已通過主要客戶驗證，並開始小量出貨，現階段聚焦AI資料中心高階DC to DC電源轉換器。

隨著AI伺服器對高壓、高效能電源需求快速攀升，該公司啟動三階段擴產，短期目標2026年第一季新增月產能2,000片。中期目標提升至月產5,000片。長期目標則將上升至月產1萬片。

此次擴產將整合龍潭與楊梅兩大廠房，以8吋磊晶為主並同步評估12吋產品，並明確鎖定歐美與台灣高附加價值客戶，避免進入中國快充等低價市場。

合晶指出，SOI晶圓為矽光子技術的核心材料，結構是在兩片晶圓中間隔一層氧化層，可讓光子依照設計在晶片內精準傳輸，具備高傳輸速率與低耗能特性。

合晶從源頭晶圓製程即可嚴格控管品質與成本，初期鎖定功率半導體與MEMS應用，長遠則著重矽光子高速通訊，並已與國內多個矽光子聯盟合作，搶攻下一波AI與高速資料傳輸商機。

合晶在異質結合領域經驗深厚，可提供矽（Si）、碳化矽（SiC）、SOI等多元基板的GaN客製化方案。

法人看好，GaN有望在電源轉換領域取代約一成傳統矽基應用；SOI切入矽光子與高速通訊的關鍵賽道，兩大平台相互補強。