三大動能聚力 宜特登峰可期

半導體驗證分析大廠宜特科技持續強化先進製程布局。宜特科技董事長余維斌表示，兩項嶄新技術服務「2奈米ALD新材料驗證平台」與「矽光子暨CPO驗證方案」已進入導入階段，加上近年營運主動能─AI需求暢旺，在ALD（原子層沉積)、矽光子（SiPh）及AI三大引擎續推下，展望2026年營運相當樂觀，全年可望再戰歷史新高。

余維斌強調，毛利率是未來企業競爭力與價值的體現，因此，宜特進入「2.0」轉型階段，聚焦高毛利率的創新研發項目與新興市場布局。過去宜特平均毛利率約30％，但近兩年積極投入高附加價值的研發專案，預期在未來的數年內，隨著轉型成果逐步顯現，整體毛利率將提升至30％至60％區間，成為推動公司長期成長關鍵動能。

談到三大營運動能之一的ALD，余維斌表示，半導體製程推進至2奈米世代，對新材料與製程整合要求急遽升高。宜特啟動「ALD新材料驗證開發平台」，鎖定ALD技術關鍵瓶頸，建立從材料選擇、鍍膜製程、薄膜分析到製程驗證的完整鏈結，協助客戶加速開發新材料、縮短驗證週期，並支援晶圓廠進行第二供應來源驗證，強化供應鏈韌性。

宜特材料分析工程處協理許如宏表示，次2奈米元件轉向複雜立體結構，一般PVD、CVD技術已難完成。相較下，ALD以原子層級逐步完成沉積，可在奈米級孔洞與3D結構中均勻形成高品質完美薄膜，成為不可或缺的薄膜技術。然而，ALD反應參數複雜、沉積速度緩慢，新材料配方驗證動輒數月，導致晶圓廠與材料供應商導入時程上屢遭延宕。

看準此痛點，宜特結合自身半導體驗證專長與學研單位能量，建構出業界首座「ALD新材料驗證開發平台」。該平台整合「ALD製程＋快速驗證分析」，提供ALD製程開發、材料反應分析與薄膜特性比對，協助供應鏈提升整體研發速度與良率穩定度，可加速驗證ALD新材料，提升整個流程之效率逾5成，協助材料商加速開發測試、建立製程參數資料庫，讓客戶能縮短新材料導入時程。

另一關鍵動能「矽光子暨CPO驗證方案」，也是宜特聚焦重心。余維斌強調，矽光子已是資料中心降耗增效的核心技術，但生產瓶頸卡在光測速度緩慢，宜特也瞄準產業痛點，與光焱結盟打造「矽光子一站式量測驗證平台」，搶攻全球CPO（Co-Packaged Optics）與PIC（光子積體電路）量產大商機。

光焱董事長柯歷亞表示，公司深耕光學量測逾十年，近年投入矽光子領域後發現，國內外研發其中一瓶頸在於「光學測試速度落後需求」。PIC量測速度比電測慢上數倍，且無統一標準，成為產業量產化的主要障礙。

柯歷亞強調，正因如此，光焱宜特結盟，整合雙方光測與電測專業能力與實戰經驗，讓客戶能以同一平台完成模組級全方位驗證。

余維斌指出，矽光子是AI伺服器規模化擴張的必然技術。隨著NVIDIA、Broadcom、AMD、Intel等科技大廠全面投入CPO，市場需求將呈爆發性成長，對量測驗證平台的整合成熟度要求也更高。

面對半導體製程節點即將步入埃米級挑戰，宜特與光焱導入「快速篩選＋精準定位」技術，已成功達成PIC光學量測效率提升，並可快速定位缺陷位置，大幅縮短開發迭代的時間，協助客戶加速量產節奏。余維斌補充，量測是矽光子量產前最重要、也最昂貴的關卡，因此，必須打通瓶頸，協助客戶縮短驗證週期、降低生產風險。

光焱總經理廖華賢分析，PIC上下游市場年複合成長率（CAGR）預估超過30％，CPO領域亦有上看20％的高成長，將是未來十年半導體高速傳輸主軸。資料中心加速升級，正帶動矽光子與CPO進入爆發期，量測能力正是關鍵門檻。宜特光焱結盟，將是台灣矽光子產業發展最關鍵一步。「宜特×光焱」量測平台目前已投入多家國際級客戶設備驗證，量產型平台同步規劃中，並將依大客戶導入時程進行調整。

而近兩年大幅推升宜特成長的主動能AI，余維斌指出，AI與高速運算仍是推動成長關鍵。今年已接獲多家AI晶片大廠委託的高階運算晶片驗證分析相關訂單，展現宜特在AI與先進封裝領域的技術優勢，為明年營運延續成長動能。兩項新服務設備與擴廠費用已於今年入帳，預期自2026年起陸續挹注營收與獲利。

宜特進一步指出，AI帶動的驗證分析業務持續增長，全球主要IC設計與晶圓代工客戶的委外驗證需求增加。IC設計與ASIC晶片委案量明顯提升，宜特在驗證分析領域處於領先地位，特別是可靠度（RA）驗證分析業務，占公司整體營收超過5成，並有望持續提升。隨AI運算、雲端應用帶動高速傳輸與高功率元件驗證需求擴大，公司實驗室產能利用率逐步提升，市場占有率亦同步拉高。