台積電今(29)日宣布,為支援物聯網與穿戴式裝置應用,率先推出超低耗電技術平台,以滿足市場多樣化產品應用需求。

台積電表示,透過此技術平台提供多項製程技術來提升功耗優勢,以利支援物聯網與穿戴式產品,同時也完備設計生態環境,加速客戶產品上市時間。

台積電指出,超低耗電製程組合除了涵蓋目前的0.18微米極低漏電製程(0.18eLL)、90奈米超低漏電製程(90uLL)及16奈米FinFET製程外,也擴展到全新的55奈米超低耗電製程(55ULP)、40奈米超低耗電製程(40ULP)及28奈米超低耗電製程(28ULP),以達到支援運算速度高達1.2GHz的應用。

台積電強調,這項涵蓋0.18微米到16奈米FinFET的超低耗電製程組合,適用於各種具有節能效益的智慧型物聯網及穿戴式產品;其中,0.18微米至40奈米的超低耗電製程也具備射頻和嵌入式快閃記憶體功能,可進行系統級整合以有效縮小尺寸外觀,並藉由無線傳輸技術串連物聯網產品。

相較於前一代的低耗電製程,台積電這次的超低耗電製程能進一步降低操作電壓達20至30%,以減少動態與靜態功耗,同時大幅延長物聯網及穿戴式產品輕薄短小電池的使用壽命達2至10倍。

台積電總經理暨共同執行長劉德音表示,超低耗電及無所不在的連結功能是物聯網能否成功的關鍵,此次領先業界推出完備的技術平台,將有效地滿足多樣化物聯網市場需求和創新。

台積電說明,客戶能利用台積電的「開放創新平台」所提供的既有矽智財設計生態環境,是超低耗電技術平台額外提供的重要價值。

當晶片設計人員進行新的超低耗電製程設計時,能輕易再使用台積電低耗電製程的矽智財與元件資料庫,以提高首次設計即生產成功的機率,並達到產品迅速上市的目標。

台積電預計今年與客戶在55奈米超低耗電製程、40奈米超低耗電製程及28奈米超低耗電製程中,初步達成多項設計合作案,並將於明年進入試產。

(工商 )

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