《半導體》力旺NeoEE矽智財，進軍車載電子應用

矽智財(IP)力旺<extra_stock_id stock_id="3529(TW)">(3529)</extra_stock_id>電子宣佈，繼多次可程式(MTP)低功耗NeoEE矽智財強攻無線通訊應用，其規格再次由消費性電子範疇(85℃/10年)強化至150℃/10年，符合車用電子AEC-Q100 Grade 0等級。NeoEE矽智財所展現耐高溫及高穩定度的規格，不僅滿足消費性電子應用客戶需求，更能進階協助客戶開發適用於嚴峻汽車環境中之高性能產品，強攻車載電子應用領域。</p> <p></p> <p>　車載電子為汽車安全與性能操控之外，可於汽車環境中獨立使用之電子裝置，每年全球高達8000萬台汽車銷售量引領之應用市場，預期將全面引爆車載電子相關無線通訊晶片、微控制器(Microcontrollers，MCU)、感測晶片(MEMS Controllers，MEMS)與電源管理晶片(Power Management ICs，PMIC)之海量商機。</p> <p>　力旺認為，目前車載電子應用晶片業者，多以消費性電子及工業等級之通用型產品來因應市場需求。然而車載電子規格較一般消費性電子及工業應用(125℃/10年)嚴苛，隨著汽車後裝廠商與消費者對安全性與可靠度的重視，車規用元件的成長力道亦逐漸增溫。力旺電子將NeoEE矽智財規格提升至150℃/10年之車用等級，強化高溫操作環境中資料留存的能力，充分符合車載電子應用上的嚴苛操作要求，也滿足市場對此之迫切需求。 </p> <p>　NeoEE矽智財以標準5V MOS製程平台為開發基礎，並與標準CMOS邏輯製程完全相容，無需增加額外光罩，容易整合至車用電子所常使用的高壓(High-Voltage，HV)及Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)等製程平台，有效幫助業者縮短產品開發時程，降低生產成本。其結構簡單易於建構於晶片設計中的特性，更可協助客戶以內嵌方式取代傳統外掛式EEPROM系統應用，進階克服外掛式晶片資料容易遭到竊取的缺點，強化資通訊晶片之資料安全保密功能。NeoEE矽智財運用成熟穩定的福勒-諾德海姆穿隧(Fowler-Nordheim Tunneling，FNT )抹寫機制，降低抹寫操作時對閘極氧化層(Gate oxide)之損害，能大幅增加嵌入式非揮發性記憶體之可靠度，在量產時可大幅提高良率，並於車載應用上更能增進系統安全。藉由FNT抹寫消耗電量低的特性，亦可有效降低能耗，提高電子產品電池續航力。力旺電子矽智財之線路設計嚴格遵循代工廠的設計規範(Design rule)，經過完整的電壓、高低溫、製程上下限等驗證流程，並配合內建多種測試模式加強晶片檢驗精確度，使矽智財具備優異的穩定度，在生產面增加良率表現，在客戶端提升成本效益，在規格上更能滿足各項應用對安全及可靠度的嚴格要求。</p> <p>　力旺表示，矽智財NeoEE目前已於多家國際級晶圓代工廠之邏輯(Logic)、低功耗(Low Power，LP)、BCD、CIS (CMOS Image Sensors)與力旺電子獨特研發之綠(Green)製程平台完成佈建，更於2014年度成功導入10個客戶設計定案，未來發展值得期待。</p>