英特爾實驗室(Intel Labs)宣布和工業技術研究院(工研院)合作開發的陣列記憶體架構,已開發出低耗電的全DRAM陣列記憶體原型模型(prototype)。

相較於標準的DDR DRAM元件,此原型模型不僅可將傳輸時的延遲縮減4倍、並降低至少25倍的耗電,而且傳輸頻寬是DDR3 DIMM記憶體的3到4倍。

英特爾實驗室與工研院的合作包括開發實驗性陣列記憶體、原型元件、以及模型模擬軟體。這款DRAM陣列記憶體原型是一系列先進記憶體架構研究中的最新成果。