英特爾、工研院全DRAM陣列記憶體 低耗電 18:272014/11/18 工商 涂志豪 Facebook Messenger Line Weibo Twitter Telegram 複製連結 英特爾副總裁暨實驗室執行總監王文漢展示與工研院合作的低耗電全DRAM式陣列記憶體原型模型(圖/業者提供) Facebook Messenger Line Weibo Twitter Telegram 複製連結 字級設定:小中大特 英特爾實驗室(Intel Labs)宣布和工業技術研究院(工研院)合作開發的陣列記憶體架構,已開發出低耗電的全DRAM陣列記憶體原型模型(prototype)。 相較於標準的DDR DRAM元件,此原型模型不僅可將傳輸時的延遲縮減4倍、並降低至少25倍的耗電,而且傳輸頻寬是DDR3 DIMM記憶體的3到4倍。 英特爾實驗室與工研院的合作包括開發實驗性陣列記憶體、原型元件、以及模型模擬軟體。這款DRAM陣列記憶體原型是一系列先進記憶體架構研究中的最新成果。 【台灣的電真夠用?】 「正視核電」你不能不知 也許您會感興趣 科技熱門新聞 發表意見 留言規則 中時新聞網對留言系統使用者發布的文字、圖片或檔案保有片面修改或移除的權利。當使用者使用本網站留言服務時,表示已詳細閱讀並完全了解,且同意配合下述規定: 請勿重覆刊登一樣的文章,或大意內容相同、類似的文章 請不要刊登與主題無相關之內容 發言涉及攻擊、侮辱、影射或其他有違社會善良風俗、社會正義、國家安全、政府法令之內容,本網站將會直接移除 請勿以發文、回文等方式,進行商業廣告、騷擾網友等行為,或是為特定網站、blog宣傳,一經發現,將會限制您的發言權限或者封鎖帳號 為避免留言系統變成發洩區和口水版,請勿轉貼新聞性文章、報導或相關連結 請勿提供軟體註冊碼等違反智慧財產權之資訊 禁止發表涉及他人隱私、含有個人對公眾人物之私評,且未經證實、未註明消息來源的網路八卦、不實謠言等 請確認發表或回覆的內容(圖片)未侵害到他人的著作權、商標、專利等權利;若因發表或回覆內容而產生的版權法律責任將由使用者自行承擔,不代表中時新聞網的立場,請遵守相關法律規範 違反上述規定者,中時新聞網有權刪除留言,或者直接封鎖帳號!請使用者在發言前,務必先閱讀留言板規則,謝謝配合。
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