TrendForce表示,中國政府全力扶植DRAM產業,北京、上海、合肥與武漢等6地方政府競逐蓋廠,預計最快3年後中國半導體將影響全球DRAM市場,中國將先切入技術較容易的標準型記憶體與利基型記憶體。

今年3月,中國武岳峰資本宣布以6.4億美元併購在美國上市的芯成半導體後,中國政府正式向全世界宣布要進軍半導體領域。TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange統計顯示,2014年中國市場的DRAM消化量為102億美元,占全球營業額約20%,其龐大內需就足以撐起中國DRAM產業的發展,而美國芯成半導體的整併,只是中國DRAM產業的開端。

DRAMeXchange表示,目前有6個地方政府積極爭取設立DRAM廠,中國中央政府將會選出其中一個地方政府設廠,整合上游廠商發展出具中國自有的技術,並綁定中、下游的產業結構成為一條龍的供應鏈。在群聚效應下,工廠將不易出走,加上中國自身的龐大市場與經濟規模,維持中國半導體產業成長的永續動能。

中國半導體政策推動下,包含上海、北京、合肥與武漢等6個地方政府積極向中央爭取興建半導體廠。儘管有資金、市場與政府多方面的支援,但中國政府深知DRAM產業唯一欠缺就是技術與人才,因此去年底中國工信部宣布國家積體電路產業投資基金(中國簡稱大基金)成立,挾帶著1200億人民幣基金,併購成了進軍DRAM領域最快的敲門磚。

除了併購芯成半導體,台灣廠商優異的研發實力與國際接軌能力也有可能是中國下一個目標。礙於目前台灣法規,陸資直接或間接持股不得超過30%,中國只好將目標轉向美國或在台灣未上市的IC設計公司,尋找可能延攬人才的可能性。

中國DRAM產業的對於全世界的影響儼然成形,DRAMeXchange表示,扣除人才培訓與研發團隊的設立,從建廠到試產短則需要至少2年以上的時間,如果技術到位,中國將先切入技術較容易的標準型記憶體與利基型記憶體;至於近年成長快速的行動式記憶體,產能若要追上國際一線DRAM大廠,預估至少還要5~10年。

(時報資訊)

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