高通(Qualcomm)稍早前在2015 Qualcomm 3G/LTE高峰會中,除發表了Snapdragon 430、Snapdragon 617處理器外,也宣布新一代快充技術─Quick Charge 3.0,以及支援的處理器晶片。搭載高通最新快充技術的處理器晶片的終端設備,預料將會在明年初上市,屆時入手新手機的朋友,就將能享有更便利的行動生活。

據高通的說法,Quick Charge 3.0,首度採用Intelligent Negotiation for Optimum Voltage(INOV)演算法,不僅能在任意時刻實現最佳傳輸功率,且將效率最大化。使用Quick Charge 3.0的設備,大約能在35分鐘之內,將手機電量從0充電到80%,而不具備這項技術的設備,大約需要一個半小時,對於有時會忘記充電,或是非常忙碌、需要快速充電功能的使用者來說,將會是一大福音。

Quick Charge 2.0提供了5V、9V、12V、20V四種充電電壓,而Quick Charge 3.0則是以200mV為單位,提供從3.6V到20V電壓的選項,使用上更為靈活。能讓充電的手機獲得恰到好處的電壓,並達到預期充電電流,提高充電效率,並改善散熱上的表現。

Quick Charge 3.0相較於先前版本來看,充電速度是Quick Charge 1.0版的2倍;相較於Quick Charge 2.0,充電速度最快提高27%、或最高可減少功耗達45%。Quick Charge可相容之前的版本以及充電器。

根據高通的說明,首批支援Quick Charge 3.0技術的晶片包含Snapdragon 820、620、618、617以及430。採用這些晶片的手機,最快預計將在明年初推出。

高通Quick Charge 3.0介紹

(中時新聞網)

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