半導體大廠英特爾宣布將擴大NAND Flash產能,預計砸下55億美元資金,把位在中國大連的12吋晶圓廠房,改造成最頂尖的記憶體晶片廠,預計2016年下半年開始生產最先進製程的NAND Flash。

英特爾大連12吋晶圓廠自2010年開始營運,主要生產英特爾所需的晶片組,此次決定將生產線改頭換面,將在2016下半年投產3D NAND。英特爾預估前3~5年計畫投資35億美元,之後還可能再追加至55億美元。

英特爾過去幾年雖然投入NAND Flash市場,生產伺服器用固態硬碟(SSD),但NAND Flash晶圓生產主要是由英特爾及美光合資的IM Flash代工。此次英特爾轉向決定自己生產NAND Flash,也引發外界認為其與美光的合作關係是否生變。

為破除外界疑慮,英特爾非揮發記憶體部門副總Rob Crooke表示,英特爾與美光的合作關係穩定,只是英特爾需要額外的貨源服務全球客戶。至於美光也考慮未來向英特爾大連廠拿貨。

(工商 )

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