全球經濟依舊前景不明,各項NAND Flash終端需求廠商態度相對保守,2016年全球NAND Flash產值成長將受限,DRAMeXchange預估2016年整體NAND Flash產值僅年增0.2%,為266億美元。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示,終端裝置平均搭載量與固態硬碟(SSD)需求成長,2016年整體NAND Flash需求位元量將較2015年成長44%,然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash業者將會加速3D-NAND Flash的開發,整體NAND Flash年度位元產出成長率將大幅成長50%。

DRAMeXchange研究協理楊文得表示,2016年NAND Flash產出將大於需求力道,價格下滑幅度也將大於過去兩年,多數NAND Flash供應商將面臨營運利潤壓縮的挑戰。

就2016年NAND Flash產業趨勢來看,預料3D-NAND Flash開發進度為聚焦重點;中國業者佈局日趨完整,扮演NAND Flash產業變化的關鍵角色;終端裝置NAND Flash產品平均搭載量攀升,固態硬碟為需求亮點。

2016年是製程轉進以及產品結構轉換的關鍵時期。特別是15/16奈米在2015年第三季成為主流製程後,後續製程微縮的空間將面臨瓶頸,再加上三星早已量產3D-NAND Flash並成功打開在SSD的市占率,刺激其他NAND Flash業者也陸續從今年第四季開始加速3D-NAND Flash的開發。DRAMeXchange預估2016年總晶圓投片量達到約12吋1,670萬片,年成長12%,而因3D-NAND Flash的開發加速進行,預估2016年位元供給量率將較今年大幅成長50%,為近四年來新高。

楊文得表示,雖然整體3D-NAND Flash的產出比重在今年第四季僅有11%,但2016年可望大幅成長至30%,也將有助於降低固態硬碟的成本來提高系統OEM業者的固態硬碟滲透率。

楊文得表示,今年中國半導體業者投資NAND Flash儲存相關公司的腳步加快,以及在NAND Flash上中下游產業鏈的佈局日趨完整,未來3-5年中國業者以及中國市場將對NAND Flash產業的變化扮演關鍵地位。

在中國政府強力主導下,目前中國以強大的半導體市場吸引力來加大NAND大廠投資建廠規模的成效已開始發酵,如三星西安廠持續擴廠,英特爾也確定將原先邏輯製程的大連晶圓廠廠轉為生產NAND Flash的半導體廠。DRAMeXchange預估在2016年底前,NAND Flash國際大廠在中國生產的晶圓量占比可來到8%,未來增長的幅度將快速提升。

楊文得表示,全球總體經濟不確定的因素升高影響2016年各項NAND Flash終端需求,在裝置端出貨量成長有限的情況下,明年NAND Flash需求面將著重在平均搭載量的成長,又因NAND Flash價格滑落的速度加快,DRAMeXchange預估2016年智慧型手機的eMMC與用戶級固態硬碟(Client-SSD)平均容量將較今年成長30%以上。

用戶級固態硬碟部分,3D-NAND Flash的開發與TLC的普及率提升都加速了固態硬碟價格滑落的速度,也增強個人電腦(PC)業者的採購與設計意願,DRAMeXchange預估2016年筆記型電腦固態硬碟搭載率將突破30%。此外,強調及時運算以及效能的資料中心需求量大增,各項雲端運算與服務也隨著APP在智慧型手機的應用快速成長,整體企業級固態硬碟(Enterprise-SSD)的需求維持強勁的成長態勢。DRAMeXchange預估2016年整體固態硬碟位元消耗量份額將到35%,較今年的30%提升不少,在NAND Flash終端需求中表現最強勁。

(時報資訊)

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