《科技》半導體業激戰，今年3大廠資本支出增5.4％

2016年三大半導體製造大廠資本支出方面，英特爾調升30%達95億美元，台積電(2330)調升17%達95億美元，三星則逆勢調降15%為115億美元。拓墣表示，今年半導體大廠的資本支出預計至2017年才有機會對營收產生貢獻。

台積電2016年專注製程開發、深耕InFO技術、大陸南京廠建置為三大重點。

拓墣表示，半導體三巨頭中台積電是唯一的純晶圓代工廠，與客戶無直接競爭關係，可專注於製程技術的開發。2016年台積電資本支出約70%用於先進製程的開發，其中大部分用在10奈米製程技術。資本支出的10%則持續投入InFO技術的開發，InFO技術有散熱佳、厚度和面積縮小、成品穩定度高的優勢，已有少數大客戶開始投單，預期未來將有更多客戶陸續投入。

為了就近服務廣大的中國市場，台積電規畫30億美元用於中國南京12吋廠的建置，預期在2018年投產。今年南京廠計畫先投入5億美元，2017與2018年將增加投資力道。

三星受到智慧型手機業務前景不明，2016年半導體事業將是重心。

三星智慧型手機受到蘋果與中國品牌的激烈競爭。根據三星財報顯示，2015年營收年衰退2.6%，淨利下滑20.6%。相較智慧型手機，去年三星的半導體營收年成長20%、記憶體年成長17%，大規模集成電路（LSI）業務年成長約27.7%，表現亮眼。

拓墣指出，2016年三星的智慧型手機業務拓展仍不樂觀，除加速開發創新業務，將更加重視晶圓代工業務，採取積極搶單的策略。2016年三星115億美元的資本支出中，大規模集成電路業務會維持與2015年35億美元的相同水準。

英特爾仍致力維持製程領先地位，並擴展記憶體相關業務。

英特爾雖然在14／16奈米製程技術開發上領先，但台積電與三星若在10奈米的技術上追趕，將使英特爾在CPU產品上面臨強大的競爭壓力，嚴重挑戰英特爾自1995年來的領先地位。2016年英特爾將持續擴大資本支出以維持製程領先，相關資本支出約達80億美元。

此外，2015年英特爾與美光聯合發表包含3D-NAND與Xpoint等用於記憶體的技術，並宣布投資25億美元把大連廠打造成記憶體製造廠。2016年英特爾的資本支出中約有15億美元將投資在記憶體相關業務。