陸5G晶片關鍵材料大突破 力推商用開拓市場

大陸國產化5G通信晶片用氮化鎵材料日前在西安電子科技大學蕪湖研究院試製成功,這代表著今後大陸國內各大晶片企業生產在5G通信晶片時,可望使用上中國國產材料。

據指出,氮化鎵半導體材料具有寬頻隙、高擊穿場強、高熱導率、低介電常數、高電子飽和漂移速度、強抗輻射能力和良好化學穩定性等優越理化性質。成為繼第一代半導體矽、第二代半導體砷化鎵之後,製造新一代微電子器件和電路的關鍵材料,特別適合於高頻率、大功率、高溫和抗輻照電子器件與電路的研製。

西安電子科技大學蕪湖研究院憑藉著西電寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室,研發出全中國國產的基於碳化矽襯底的氮化鎵材料,目前在國際第三代半導體技術領域處於領先地位,將有助5G通信製造領域的國產化進程。

西電蕪湖研究院技術總監陳興表示,目前研究院已經掌握了氮化鎵材料的生產和5G通信晶片的核心設計與製造能力。接下來他們將儘快將這項技術商用,爭取早日推向市場。

(旺報 )


推薦閱讀

發表意見
留言規則
中時電子報對留言系統使用者發布的文字、圖片或檔案保有片面修改或移除的權利。當使用者使用本網站留言服務時,表示已詳細閱讀並完全了解,且同意配合下述規定:
  • 請勿重覆刊登一樣的文章,或大意內容相同、類似的文章
  • 請不要刊登與主題無相關之內容
  • 發言涉及攻擊、侮辱、影射或其他有違社會善良風俗、社會正義、國家安全、政府法令之內容,本網站將會直接移除
  • 請勿以發文、回文等方式,進行商業廣告、騷擾網友等行為,或是為特定網站、blog宣傳,一經發現,將會限制您的發言權限或者封鎖帳號
  • 為避免留言系統變成發洩區和口水版,請勿轉貼新聞性文章、報導或相關連結
  • 請勿提供軟體註冊碼等違反智慧財產權之資訊
  • 禁止發表涉及他人隱私、含有個人對公眾人物之私評,且未經證實、未註明消息來源的網路八卦、不實謠言等
  • 請確認發表或回覆的內容(圖片)未侵害到他人的著作權、商標、專利等權利;若因發表或回覆內容而產生的版權法律責任將由使用者自行承擔,不代表中時電子報的立場,請遵守相關法律規範
違反上述規定者,中時電子報有權刪除留言,或者直接封鎖帳號!請使用者在發言前,務必先閱讀留言板規則,謝謝配合。