台積電(2330)宣布將在日本舉辦的2019年VLSI技術及電路研討會(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits)發表新興記憶體、二維材料、以及系統整合技術之研究論文。

VLSI技術及電路研討會是微電子領域中頂尖的年度國際會議,今年將於6月9日至6月14日在日本京都舉行,會中邀請台積公司發表專篇論文闡述嵌入式磁阻式隨機存取記憶體(eMRAM)的研究現況,台積公司另有三篇論文也獲得大會肯定選為亮點論文,共同探討今年研討會的主題 ─「將半導體推向極限,實現無縫聯結新世界」。

上述論文展現了台積公司自先進邏輯電晶體使用的創新材料、特殊製程技術組合中的新興高效能嵌入式記憶體,到可協助客戶於效能與成本之間取得最佳優勢的系統整合解決方案等全方位的技術領先地位。

台積公司技術研究副總經理黃漢森表示,VLSI研討會不僅特別亮點展示台積公司的論文,還邀請闡述研究的成果,對此台積公司感到無比的榮幸。這些論文來自公司傑出且經驗豐富的研究人員,以及年輕優秀工程師的心血結晶,台積公司向來秉持技術領先的承諾,有信心未來將持續提供優異的技術,協助客戶釋放創新。

台積公司受邀發表以「嵌入式磁阻式隨機存取記憶體技術近期進展與未來方向」為題之論文,闡述一項有望取代即將面臨微縮極限的嵌入式快閃記憶體的技術──非揮發性eMRAM。

3奈米及更先進製程電晶體微縮面臨的主要挑戰之一。台積公司發表的「直接使用通道區域選擇性CVD成長法在SiOx/Si基板上製造的40nm通道長度上閘極WS2 pFET的首次展示」論文展示了使用一種有潛力的二維材料二硫化鎢(WS2)進行大量生產的可能性,利用產業所熟悉的的化學氣相沉積(CVD)半導體製程直接在矽晶基板上製造WS2短通道電晶體。

(時報資訊)

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