台積電在10月17日召開的第3季法說會上,宣布上調資本支出40億元,由原先的100億~110億美元,大幅上調至140~150億美元,創下台積電單年資本支出的新高紀錄。

而早在10月7日,台積電搶在法說會前所發布的1則新聞稿,已悄悄凸顯出當前半導體大廠EUV(極紫外光刻)軍備競賽的熱度。新聞稿中宣布,導入EUV微影技術的7奈米強效版(N7+)製程,已於第2季開始量產。台積電宣稱,7奈米製程量產已超過1年的情況下,N7+良率與7奈米已相當接近。台積電此舉被外界解讀為,是要向搶先量產EUV但良率似乎不如預期的三星「示威」。

在法說會上宣布新增的40億美元資本支出,就包含採購多台單價逾1億美元的EUV微影設備。台積電企業訊息處資深處長孫又文向《財訊》證實,「除了7奈米之外,所有先進節點如6奈米、5奈米等,都將採用EUV作為製程的一部分。但浸潤式微影仍然是未來所有先進製程節點的重要工具。」

儘管台積電在7奈米以下的更先進奈米製程中,EUV與浸潤式微影技術將並重,但未來勢必對於EUV機台採購需求看漲。

波長新里程 突破摩爾定律

巧合的是,就在10月15日,全球半導體光刻設備龍頭艾司摩爾(ASML)在法說會前一天,其於歐洲與美國那斯達克(NASDAQ)掛牌的股票,股價分別以243.2歐元與267.54美元,雙雙創下歷史新高紀錄,今年以來的漲幅也分別高達逾76%和71%。

為何這個來自荷蘭費爾德霍芬市的半導體設備大廠股價會漲翻天?答案就是:由艾司摩爾獨家提供的EUV微影技術,這正是台積電為持續維持技術領先,大力加碼投資的新設備。

過去20年,全球半導體廠商都仰賴當時最先進的浸潤式微影機台,採用193奈米波長的光刻出電路圖案;然而,隨著晶片微縮愈來愈精細,浸潤式微影技術已無法應付,導致摩爾定律恐難以再延續。因此台積電、英特爾、三星等半導體大廠都引頸期盼著,艾司摩爾展開研發的波長僅有13.5奈米的EUV微影機台,可以突破浸潤式微影機台在半導體製程的技術瓶頸。

然而,EUV微影機台的研發難度更高,研發費用也持續墊高,讓艾司摩爾愈來愈吃不消,原本應該在2005年就該量產,進度卻一再延宕。為加快EUV研發進度,2012年,英特爾、台積電、三星展開一項創舉—向他們的設備供應商艾司摩爾投入了大量資金。

文章來源:財訊雙週刊

(中時電子報)

#台積電