南韓科技大廠三星電子(Samsung)位於華城(Hwaseong)的晶片廠2019 年 12 月 31 日下午發生跳電1分鐘的情況,導致DRAM、NAND Flash,以及採用極紫外光(EUV)微影技術的系統半導體生產受到影響,據業內人士透露,這起事件恐怕讓三星蒙受數百萬美元損失。此外,美國行動處理器龍頭高通(Qualcomm)才剛把5G處理器Snapdragon 765交由三星7奈米製程,如今發生這起意外,恐怕先急壞高通。

據韓聯社報導,由於區域電纜發生問題導致短暫跳電,三星華城廠區的動態隨機存取記憶體(DRAM)和儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片生產線停擺,當時正在運作的EUV製程半導體生產也受到影響。三星也在隔日(1月1日)發布聲明表示,該公司正在檢查生產線並準備復工,目前仍在統計損失程度,預計事件發生3天後就能復工。

由於DRAM、NAND三星擁有大量庫存,雖市場回溫,但不至於影響相關市場供給與價格。問題就在於,當時生產的任何晶圓都必須報廢,據業內人士估計損失金額恐怕高達3000萬美元(約9.12億元新台幣)。

高通(Qualcomm)去年12月3日峰會上發布將在2020年搭5G旗艦機處理器晶片Snapdragon 865,以及瞄準中階手機市場的Snapdragon 765 以及 Snapdragon 765G兩款系統單晶片(SoC),前面一款由台積電7奈米製程,後面兩款由三星7奈米製程,如今發生跳電事件,三星這批在華城廠區生產晶圓全數報廢,恐怕讓高通急得跳腳。

據財訊報導,先前三星產能不足,就已經引發高通的客戶不滿,如今跳電事件爆發,恐讓高通交付5G處理器給客戶的時程延後,迫使客戶轉單給聯發科的機率大增。

據businesskorea先前報導,三星打算利用EUV微影技術,在2030年超越台積電,計畫10年內投入1160億美元(約3.5兆元新台幣),不過,台積電也在今年第三季法說會上宣布上調年度資本支出至140~150億美元(約4214~4515億元新台幣),如今三星又頻頻出包,恐怕讓10年超越台積電的目標遭嚴重打擊。

(中時電子報)

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