台積電在上周法說會宣布,今年資本支出調升至150億至160億美元,創新高紀錄,其中80%用於3奈米、5奈米與7奈米等先進製程技術。台積電下一個與三星決戰的3奈米技術細節,在此次說法會上並沒有公布,但外媒報導,台積電將於4月份舉行特別的新聞發布會,公開3奈米製程細節,這舉動當然衝著競爭對手三星而來。

據Gizchina報導,台積電3奈米製程最終選擇的路線,對半導體產業來說很重要,因為目前能夠搶進3奈米節點就只剩台積電和三星,而去年底三星放棄FinFET(鰭式電晶體)技術,搶先開發出業界首款3奈米GAA(環繞閘極)製程技術。

三星的3奈米製程分為3GAE和3GAP,儘管後者的性能較好,但首發的是第一代GAA製程技術3GAE。據三星官方說法,全新的GAA電晶體結構,已經通過使用納奈米晶片設備製造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以大幅提高電晶體性能,主要取代FinFET電晶體技術。

此外,MBCFET技術與現有的FinFET製程技術及設備具有相容性,可望加快製程開發與生產。

三星指出,跟7奈米相較,3奈米採用GAA技術其晶片面積減少45%,功耗降低50%,運算效能拉高35%。

三星計畫在2030年前投資1160億美元打造半導體王國,由於在7奈米、5奈米上已遭台積電超車,因此,三星全力押注3奈米,預期最快在2021年量產,希望在此關鍵製程能一舉超車台積電,搶下全球晶圓代工龍頭寶座。

而台積電也積極備戰,除了加快3奈米技術研發,去年還豪砸195億美元蓋3奈米工廠,2020年會正式開工,相關技術細節先前並未披露,台積電會延續FinFET技術,或是跟進三星採用GAA技術,都將影響未來高端晶片的技術走向,今年4月可望揭密。

文章來源:Gizchina

(中時電子報)

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