台積電與競爭對手三星在先進製程再度交手,上周(16日)台積電在法說會公布3奈米最新進展,仍採用現有的FinFET(鰭式場效電晶體)技術,與三星的GAA(環繞閘極電晶體)互別苗頭,延用FinFET是否因良率和效能更佳,台積電未多做回應。

快科技報導,台積電過去 7 奈米EUV加強版製程的華為麒麟 990處理器,晶片大小為113.31平方公釐,電晶體密度為103億個,平均每平方公釐約9千萬個。由於3奈米製程的電晶體數量為7奈米製程3倍,換算下來,3奈米製程的電晶體數量約每平方公釐2.5億個。

在效能上,3奈米製程技術的電晶體密度將提升70%,能耗降低15%,晶片的整體性能提升25%~30%。

台積電表示,3奈米研發符合預期,並未受到疫情影響,預計在2021年進入風險試產階段,2022年下半年量產。至於3奈米技術細節,原定在4月 29 日於北美技術論壇發表,因疫情關係延至8月才召開。

台積電對手三星3奈米則淘汰FinFET直接使用GAA,所以在進度及技術選擇都相對激進。三星3奈米跟7奈米相較,其晶片面積減少45%,功耗降低50%,整體運算效能拉高35%。

隨著先進製程技術提升,成本價格也不斷水漲船高,不過並非所有晶片都需使用3奈米或更先進製程,除了蘋果、華為、三星、高通等大廠未來推出的產品使用高端製程外,其他廠商不太需要搶用這部分的產能。

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