根據市場研究機構IC Insights的最新報告指出,各大DRAM廠對訂單後市看法仍保守,全年合計資本支出預計為151億美元,較2019年的191億美元下降20%。也低於2018年全球DRAM廠資本支出232億美元之新高。

由於大多數新設施和對現有晶圓廠的升級都已準備就緒,可以滿足近期需求,前三大DRAM廠今年的資本支出均將下滑。IC Insights預測,三星今年DRAM資本支出預算將下降21%,至49億美元;第二大DRAM廠SK Hynix預計將其DRAM資本支出預算削減38%,至40億美元,美光則預估削減其DRAM今年的資本支出16%,達到36億美元。

IC Insights報告指出,其他較小DRAM廠的資本支出也將受限。台廠華邦電(2344)於高雄路竹科學園區新建12吋晶圓廠,原本計畫2020年底興建完成、2021年開始量產,但因DRAM市況不佳,日前已宣布將裝機計畫延至2022年1月。

不過,台灣DRAM大廠南亞科(2408)逆勢上調今年資本支出上限金額,由原先規畫的92億元,增至157.6億元,增幅達71.3%,更比去年大增1.9倍,將用來衝刺10奈米製程技術,建置自主研發的10奈米製程試產線。

南亞科於2月董事會原訂今年資本支出上限92億元,年增逾67%,其中包含10奈米級製程研發、試產及20奈米遞延等資本支出。因應實際需求,5月6日董事會決定將今年資本支出再增加65.6億元,今年資本支出上調至不超過157.6億元。

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