氮化鎵前景看俏,IET-KY(4971)(英特磊)強化在氮化鎵領域佈局,除氮化鎵(GaN)機台已組裝完成試機中,預計9月開始試產,並已取得美國能源部合約,發展GaN/Si電力應用元件,公司也將與韓國IVWorks公司全面合作,共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片,IET-KY董事長高永中表示,今年氮化鎵處於送樣階段,預估明年營收占比將低於10%。

IET-KY今天下午參加櫃檯買賣中心線上法說會,由於IET-KY日前宣布與韓國IVWorks公司合作,共同開發以MBE分子束磊晶技術生產氮化鎵(GaN)磊晶片,此項合作案成為今天線上法說會投資人詢問的焦點。

高永中表示,由於氮化鎵生長溫度很窄,且生產過程中無法全程監看,IVWorks運用混合式MBE技術(Hybrid-MBE),也就是利用氨和電漿搭配的氮源進行磊晶,以最佳化質量和生長速率,該公司開發機器學習的人工智能(AI)磊晶監控系統“Domm”,透過深度學習算法來檢測和分析反射高能電子衍射(RHEED)圖像,使該系統可以在MBE磊晶過程中,即時監控原子層級的晶體生長表面,運用學習數據集來建立預測模型,並以該預測模型應用於磊晶片質量,提高生產良率,而英特磊以分子束磊晶片生產機台(MBE)成長磊晶片於砷化鎵、磷化銦、銻化鎵基板,產品應用於電子及光電產業,兩家公司自2018年起在GaN材料和磊晶技術方面即有密切合作,技術和行銷聯盟的框架於2019年形成,利用英特磊在MBE的量產經驗模式,以及硬體設備自主改造升級的實力,可迅速將GaN磊晶片導入與IVWorks合作的產品組合,這是結合IVWorks的先進MBE GaN長晶和AI技術,以及英特磊的大規模MBE磊晶生產和硬體設備自主經驗與能力,共同開發MBE製造的GaN磊晶產品全球業務模式,這是互相授權全面合作,共同推展產品,但他強調,IET-KY不會投資IVWorks公司。

除與IVWorks公司合作,IET-KY氮化鎵(GaN)機台已組裝完成試機中,預計9月開始試產,目前公司亦已取得美國能源部合約,發展GaN/Si電力應用元件,高永中表示,今年氮化鎵處於送樣階段,預計明年至少再增加1台機器,明年相關產品營收占比低於10%,2022年要看發展狀況,公司也將視情況增加機台。

(時報資訊)

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