國研院儀科中心與國內半導體設備供應商天虹科技,以「原子層沉積技術」(Atomic Layer Deposition, ALD)為關鍵技術,打造「12吋叢集式ALD設備」,突破高階半導體設備自製瓶頸,擺脫製程技術受國外設備商箝制困境,成功取得國際大廠多台設備的正式訂單。

國研院儀科中心指出,自2004年起深耕發展ALD技術,因應不同製程需求開發各式ALD設備與製程驗證技術,累積完整機台建置經驗,2015 年與台積電及產學界共同推動成立「原子層沉積聯合實驗室」,提供半導體製造業 ALD 製程設備測試與開發驗證的服務平台,是國內唯一具備客製化ALD設備及製程能力之研究單位。

同時儀科中心亦發揮帶領國內ALD先進研究之群聚效應,至2020年已客製開發20多台各式ALD設備,其應用領域涵蓋太陽能光電、半導體、觸媒和光學薄膜等領域。

天虹科技自2002年成立以來,專精於與半導體廠商合作開發關鍵半導體零組件,並可客製化地針對進口設備進行改裝及性能提升,是國內本土自製率達70%以上的半導體濺鍍設備供應商。

國研院儀科中心與天虹科技於2018年起合作,整合雙方技術共同開發市場行情新台幣一億元的12吋量產型叢集式ALD 設備,並於2019年完成設備開發及12吋氧化鋁薄膜製程驗證,10奈米厚度的氧化鋁薄膜均勻性(uniformity)大於99%。

國研院表示,相較於目前市面上量產型ALD設備,天虹科技的機台擁有降低前驅物消耗量設計與相對高產出速度,並可依客戶端製程與產能需求加掛反應室,具備高度可擴充性;而氧化鋁薄膜製程也率先應用於 Mini-LED及 Micro-LED上作為鈍化保護層。天虹科技執行長林俊成博士並於發表會上分享,本機台所發展的製程,改善了LED發光效率與使用壽命,效果顯著並獲得驗證。

(工商 )

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