因美光(Micron)桃園廠跳電意外,帶動DRAM現貨價提前於12月開始漲價,業界預期將帶動明年第1季合約價止跌甚至小漲,南亞科(2408)今早股價走揚,記憶體族群成為支撐台股走揚的類股之一。

據市調機構集邦科技統計,12月以來,記憶體綜合價格指數(DXI)已大漲逾二成,並預期明年第1季合約價止跌。

據集邦科技觀察,美光(Micron)桃園廠跳電意外,帶動DRAM現貨價提前於12月開始漲價,加上年底及農曆年補貨需求升溫,推升DRAM現貨價走揚,12月來現貨價漲幅達1至2成。據集邦科技統計,12月來DXI已攀升26%。集邦預期,明年第1季在市場供需趨於健康,DRAM合約價也將止跌回穩,不排除有機會微幅上漲。

DRAM合約價明年首季看止跌回穩,對南亞科、華邦電(2344)等業者後續營運有利。

此外,美國政府將中芯國際列入禁止貿易的實體清單,旺宏(2337)及華邦電可望持續受惠於轉單效應,NOR Flash供需並將轉好,有利價格上揚。

由於大陸NOR Flash大廠兆易創新每月委由中芯國際代工1萬片,先前美國限制設備出口中芯國際,旺宏及華邦電已有轉單效應,因中芯國際正式被美國列入黑名單,可能進一步影響市場供需狀況。

記憶體製造廠旺宏董事長吳敏求先前表示,中芯為中國記憶體廠兆易創新代工,若中芯被美國列入黑名單,不排除造成NOR Flash市場供不應求。

先前美國限制設備出口中芯國際,已帶來台廠轉單效應。蘋果擔心中芯無法順利為大客戶兆易創新代工生產編碼型快閃記憶體(NOR Flash),因而將原本預計交給兆易創新的新iPhone OLED面板外掛NOR Flash訂單,改下給華邦電及旺宏兩家台廠。

(時報資訊)

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