大陸紫光集團旗下的記憶體製造大廠長江存儲,近期傳出2021年產量倍增,將投產先進技術晶片,2021年中試產 192 層3D NAND,打算與該產業的巨頭三星電子、美國記憶體大廠美光一較高下。

據《日經亞洲評論》報導,長江存儲計畫於今年下半年,將記憶體晶片產能擴增至月產能10萬片,占全球產出7%。至於NAND 型快閃記憶體龍頭製造商三星,月產能為48 萬片,美國龍頭廠商美光為月產能18萬片。

長江存儲打算加強發展進程,最快今年中就有機會試產第一批192 層 3D NAND 快閃記憶體。被市場譽為台灣DRAM教父的前紫光集團全球執行副總裁高啟全,在2015年10月退休後轉戰紫光,震撼半導體業界。高啟全當時同時擔任長江存儲執行董事及代行董事長、武漢新芯執行長等職位,就是要抵抗當時在記憶體領域獨霸的三星電子。

高啟全完成合併武漢新芯及NAND Flash整合,並成立長江存儲及完成3D NAND技術發展,成功開發Xtacking 技術,2020年4月完成128 層 3D NAND研發,並加速3D NAND 技術,追趕三星、SK 海力士等大廠。高啟全在5年合約期滿後,2020年10月離職並轉進台灣再生晶圓廠辛耘,於湖北投資12吋再生晶圓廠。

該計畫可能延至2021年下半年,因為需要保留時間維持產品品質,但這對於大陸半導體自主化是一注強心針。目前三星、美光正開發176 層 3D NAND,產能最先進版本為128 層。

至於長江存儲計畫中的192 層,在定義上確實比三星、美光進步,但業界保持質疑態度,主要是要等到產品發表並發售後,所展現的效能如何才能評斷。目前消息指出,良率約70%,主要客戶包括華為、聯想集團。

市調機構 IC Insights日前發表研究報告指出,包括長江存儲、長鑫存儲努力打造大陸本土生產線,但直至2025年,大陸還是會有超過半數的半導體透過海外廠商,包括台積電、三星、聯電以及SK海力士等廠商生產晶片。

(中時新聞網)

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