延續先前所發布的業界首款176層TLC NAND,美光的創新176層QLC NAND快閃記憶體提供QLC中前所未有的層數和容量。相較於前一代解決方案,新款176層QLC NAND I/O流通量提升33%,讀取延遲則降低最高達24%幅度。其採用的替換閘(Replacement Gate,RG)架構是現有唯一結合電荷捕捉(Charge Trap)架構與CuA(CMOS under the Array)設計量產的QLC NAND。這些改進將有助於用客戶端電腦市場加速導入QLC SSD,預計2023年時可將市占率提升兩倍至突破35%,2025年時可達到將近80%。

美光企業副總裁暨儲存業務事業部總經理Jeremy Werner表示,以我們在176層NAND的領導地位為基礎,美光2400 SSD將推動客戶端市場朝QLC儲存裝置轉型。新的2400 PCIe Gen4 SSD能實現更廣泛的設計選擇和更經濟實惠的容量,我們預期它將大幅加速客戶端裝置採用QLC,並進一步鞏固美光在市場上的領導地位。

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