SiC適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業。其中，電動車備受市場關注，不過目前市售電動車所搭載的功率半導體多數為矽基材料（Si base），如Si IGBT、Si MOSFET。
但由於電動車電池動力系統逐步往800V以上的高電壓發展，相較於Si，SiC在高壓的系統中有更好的性能體現，有望逐步替代部分矽基設計，大幅提高汽車性能並優化整車架構，預估SiC功率半導體至2025年可達33.9億美元。
第三代半導體下半年8吋基板量產 年複合成長48％
目前最具發展潛力的材料即為具備高功率及高頻率特性的寬能隙（Wide Band Gap；WBG）半導體，包含碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN），主要應用大宗為電動車、快充市場。據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48％。
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