英特磊Q1每股賺1.16元 年成長暴增22倍

高永中指出，隨物聯網、5G持續快速發展，加上疫情後全球對雲端作業需求加重，因此帶動全球高頻光纖網路加快增速增覆蓋。而5G的基礎建設及高頻光纖網路中最重要的基本元件，就是磷化銦的異質結雙極電晶體（HBT）、晶片光接收器（PIN）和雪崩式光接收器（APD），在市場需求強勁下，這三項高毛利產品帶動英特磊第一季獲利突飛猛進。

英特磊在研發方面，專注於氮化鎵（GaN），高摻雜氮化鎵二次生長也是未來公司重要的成長動能。高永中說，所謂二次生長（regrowth) 是指在GaN磊晶元件上再以MBE技術生長高摻磊晶可有效提升產品效能，目前主要應用在國防、通訊及5G相關射頻（RF）GaN HEMT磊晶片，其優勢在於磊晶品質佳且價格相對低，可大幅為客戶降低成本。新的趨勢是八英寸GaN／Si也開始考慮使用這種二次生長，市場需求相當樂觀。

法人表示，從公司目前在手訂單及市場需求量來看，不僅高毛利產品比重增加，氮化鎵二次生長也相當受到客戶歡迎，公司亦表示下半年有增加機台的打算，整體而言，英特磊今年的營運表現相當值得期待。