意法半導體最新的NFC讀取器加速支付與消費性應用設計

新裝置導引彈性更高的主動波形整形（Active Wave Shaping，AWS）改良技術，可以簡化射頻輸出調整過程，便於優化過衝和下衝問題。射頻調整操作容易，先在支援的圖形界面軟體上修改暫存器設定，接著利用示波器進行快速驗證。這項技術簡化了EMVCo 3.1a和NFC Forum CR13規範認證，而無須處理天線匹配問題。

ST25R3916B和ST25R3917B可提供高達1.6W的射頻輸出功率，且能高效地直接驅動天線。動態輸出功率（Dynamic Power-Output，DPO）調整技術讓設計人員能夠將輻射功率控制在EMVCo和NFC Forum規範定義的上限與下限間。

ST25R3916B／17B整合高抗噪輸入結構和意法半導體專有之雜訊抑制接收器（Noise-Suppression Receiver，NSR），其具有很高的抗干擾能力，防止附近的電源、POS終端機等設備干擾晶片運作。這兩款裝置對輻射噪聲和傳導雜訊具備很高的抗干擾能力。

ST25R3916B／17B晶片的電源電壓範圍2.4V至5.5V，工作溫度範圍則為-40°C至105°C。 外圍I/O電路的最低工作電壓是1.65V。