在美國晶片法案、日本半導體復興計劃、韓國K半導體戰略一一出爐之後,世界各國再度展開半導體先進技術研發大戰,為鞏固半導體技術領先定位,經濟部在今年6月預告「台版晶片法案」產創條例10之2後,也引發不少討論。
據悉,行政院上周五中午協調通過,實施期間為2023年到2029年,但每年度條件不一樣,仍待相關子法在做細節規劃。修正後的草案將針對符合「國際供應鏈關鍵地位」企業的前瞻研發支出當年度抵減率25%,購置先進設備當年度抵減率5%,且「購置設備金額無上限」。
經濟部官員解釋,未來不管是研發投抵或設備投抵,單項投抵減總額不得超過其當年度應納營利事業所得稅額30%;若兩項同時申請者,則合計得抵減總額以不超過當年度應納營利事業所得稅額50%為限,希望能藉此大廠能持續在先進製程尋求突破、穩固領先地位。
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