近日有著「浸潤式光刻之父」之稱的台積電前研發副總林本堅(Burn Lin)受訪時表示,依靠荷蘭艾斯摩(ASML)的DUV光刻機,可以繼續將製程工藝從7nm再推向5nm,但是需要付出非常高昂的代價。

據《芯智訊》報導說,由於美日荷對華半導體設備的限制,使得中國不僅難以獲得可以先進製程的半導體設備,更為先進的EUV光刻機也無法獲得。這使得中國繼續將製程工藝推進到5nm的過程中,會面臨技術與設備困境。

林本堅表示,現有的DUV光刻機製造出5nm晶片依然可行,但是至少要進行4重曝光。它的缺點是耗時且價格昂貴,還會影響整體良率。(圖/芯智訊)
林本堅表示,現有的DUV光刻機製造出5nm晶片依然可行,但是至少要進行4重曝光。它的缺點是耗時且價格昂貴,還會影響整體良率。(圖/芯智訊)

不過,林本堅表示,依靠現有的DUV光刻機(浸潤式)製造出5nm晶片依然是可行的,但是至少需要進行4重曝光。不幸的是,這種工藝的缺點是不僅耗時,而且價格昂貴,還會影響整體良率。

他表示,特別是在使用 DUV 光刻機時,在多次曝光期間需要精確對準,這可能需要較多時間,並且有可能發生未對準的情況,從而導致產量降低,或是製造這些晶圓的時間大幅增加。

林本堅表示,浸沒式DUV光刻技術最高可以實現6重光刻模式,可以實現更先進的工藝,但問題同樣來自上述相關缺點。

文章來源:林本堅:浸沒式DUV可以做到5nm,但成本將非常高!

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