HBM與大容量DDR5位元需求高速成長將維持數年，且因產能及資本支出排擠效應而使其他領域的DRAM產品，同樣出現供不應求的局面。其中，DDR3 4Gb(512Mx8)每顆現貨價10月起持續飆漲，11月11日已升抵3.44元美元，較10月合約價的2.2元美元，溢價56%，法人預期，使華邦電成為最大受益者，目標價上調至75元，不僅暫居土洋法人之最，距「8字頭」又更進一步。
富邦投顧表示，依現有能見度，華邦電主要經營的DDR4/3產品價格漲勢短期看不到盡頭，目前研判最快要到明年第4季至後年第1季間，才會出現價格反轉，換言之，明年上半年價格料仍持續走高，並在下半年維持高檔。
華邦電受惠存貨跌價大回沖，第3季毛利率飆升至46.7%，EPS0.65元令人驚艷，因此維持「買進」評級，目標價由48元一口氣升至75元。
明後年華邦電資本支出逾400億元，用於投資路竹廠、台中廠，其中路竹廠產能可由目前15k提升至24k，其中約2/3採用16奈米製程；台中廠投資額50億元，擴產幅度約2成，主要用於 F45nm(NOR)、24nm(SLC NAND)，擴大銷售領域，儘管投片量增幅僅約6成，但公司評估最終路竹廠擴產完成後，總位元產出可較目前成長1倍。（文章未完…全文見此）
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