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台積電大動作赴美投資設廠,部分人士憂心恐掏空台灣半導體,在總裁魏哲家數度強調「門都沒有」後,台積電更破天荒宣布於下周四(29日)在南科18廠舉行「3奈米量產暨擴廠典禮」,此舉除了霸氣宣示3奈米量產上路、消弭良率不佳雜音外,同時向勁敵韓國三星叫陣意味濃厚。
台積電6日在美國亞利桑那州鳳凰城新廠舉行首批機台設備到廠(first tool-in)典禮,美國總統拜登親自出席並發表演說。另台積電也宣布開始興建第二期工程,預計於2026年開始生產3奈米製程技術,兩期投資總額高達400億美元,約1.22兆台幣,為亞利桑那州史上最大規模的直接投資案,也是美國最大的外國直接投資案。
記憶體大廠美光(Micron)宣布,開始為特定智慧型手機廠與晶片組合作夥伴提供1β製程節點DRAM驗證樣品,全球最先進的1β製程DRAM量產全面就緒,日本廣島廠將先導入量產,台灣廠區後續跟進。此新世代製程技術將率先用在美光LPDDR5X行動記憶體,最高速度來到8.5 Gbps等級。
台積電赴美國亞利桑那州設晶圓廠,下月舉辦首批機台移機典禮,董事長劉德音將與台灣官員、供應鏈300多人赴美,外傳美國總統拜登、美眾議院議長裴洛西等人都是座上賓;不過,學者表示,台積電本想低調舉辦,美國要宣揚半導體戰略成功,進行大內宣,才會高調由拜登、裴洛西等重要人士出席盛會。
三星近年在先進製程技術上與台積電激烈競爭,但韓媒直指,用「競爭」這個詞並不恰當,因為台積電以其壓倒性的市占,在成熟製程的主導地位與三星有著很大的差距,也因此,三星逐漸將戰略目標轉向成熟製程,預計2027年產能將較2018年成長2.3倍,以撼動台積電地位。
美國參眾議院上周火速通過「美國晶片法案」,擬對獲補貼公司加碼限制對中國大陸投資。市場研究機構TrendForce指出,目前同時在中美投資擴產的半導體公司,僅台積電(2330)及三星2家,後續將如何限制兩者在中國大陸的投資,值得持續關注。
英特爾、聯發科25日宣佈建立策略合作夥伴關係,聯發科將利用英特爾晶圓代工服務(IFS)的Intel 16製程打造智慧終端產品,這也是聯發科開出台灣IC設計業第一槍,讓英特爾代工量產。
2022年以來台積電、Samsung、Intel三強在晶圓代工領域的技術領先族群競爭程度日趨升高,特別是首季台積電於全球晶圓代工領域的占比再上揚至53.6%,位居第二的Samsung市占率滑落至16.3%,更加激起Samsung欲在3奈米藉由GAA製程彎道超車台積電的慾望,更想搶奪2016~2022年連續七年由台積電獨霸Apple應用處理器代工訂單的地位;另一方面,美方也意識到先進製程高度集中台灣,地緣政治動盪讓美方面臨高階晶片訂單過於仰賴我國的風險,因而亟欲扶植Intel的意味也相當濃厚。
台積電在美國舉辦北美技術論壇,首度推出採用奈米片電晶體架構的2奈米製程,且功耗及運算速度都比3奈米製程改善許多,2奈米製程將於2025年量產,至於3奈米製程則預計在今年下半年開始量產出貨。
台積電(2330)於美國當地時間16日舉辦2022年北美技術論壇,會中揭示先進邏輯技術、特殊技術、及三維積體電路(3DIC)技術的最新創新成果,首度推出採用奈米片電晶體的下一世代先進N2製程技術,以及支援N3與N3E製程的獨特TSMC FINFLEX技術。
台積電(2330)於美國時間16日舉辦2022年北美技術論壇,公司在會中秀出先進邏輯技術、特殊技術及3D IC技術,其中包含首度推出採用奈米片電晶體之下一世代先進N2製程技術,預計將於2025年量產2奈米製程。
為防止國家核心關鍵技術外流,行政院會17日通過國安法、兩岸人民關係條例修正草案,新增國家核心關鍵技術經濟間諜罪,違反者可處5~12年有期徒刑、得併科新台幣500萬~1億元罰金。
英特爾昨日宣布,以每股53美元,共計54億美元(約新台幣1520億元)收購以色列晶圓代工廠高塔半導體(Tower Semiconductor),引起外界不免替台積電擔心,英特爾正砸錢拓展製造業務。台經院產業資料研究庫研究員暨總監劉佩真表示,可以看出英特爾的野心,併購高塔確實具有互補作用,不過對於擴張市占率效益應該有限。
半導體生產設備大廠艾司摩爾(ASML)近日宣布,英特爾成為首家下訂最先進的高數值孔徑(High-NA)極紫外光(EUV)微影設備的客戶,預計2025年進入生產,屆時先進製程跨入2奈米世代。英特爾打算拉近與競爭對手之間的差距,不僅全面更新製程節點命名,取得EUV機台成為關鍵,若順利的話,Intel 4製程預計Granite Rapids-SP伺服器處理器所採用,順利的話將在2023~2024年推出產品。
台茂奈米生技公司董事長林冬霧,秉持以「技術領先、品質卓越、滿意服務」的企業經營理念,專研奈米尺度碳酸鈣製程技術近40餘年,積極引領公司技術團隊,集合國內外生技專家的產學技術合作,提升天然植株保護液技術的發展,突破天然植謢液的粒徑在100奈米以下,便於植株吸收。
雖然市場法人對記憶體市場榮景能否維持有所疑慮,但DRAM廠南亞科(2408)仍看好下半年DRAM市況,預期供不應求及價格上漲趨勢可望維持到第四季。南亞科受惠於DRAM出貨增加及合約價順利調漲,3日公告8月合併營收82.10億元優於預期,並為三年來單月營收新高。法人預期第三季營收將較上季成長近10%,成長動能應可延續到第四季。
DRAM廠南亞科(2408)4日召開股東常會,通過現金股利總額為新台幣40億元,每股配發1.29660236元。董事長吳嘉昭表示,南亞科去年在新冠肺炎疫情及美中貿易衝突等不利外部因素下仍持續獲利,今年營運表現優於預期,看好下半年DRAM產業及價格正向發展。另外,南亞科規劃於南林科技園區設立12吋DRAM廠預計年底動土,2023年底前開始裝機,2024年開始第一階段量產。
環保署28日召開環評大會,全球晶圓代工龍頭台積電首座2奈米晶圓廠用地需求的新竹科學園區寶山用地第二期擴建計畫,順利通過最後一關,讓台積電2奈米吃下定心丸,台積電先前法說也說明,3奈米製程明年下半年量產,加上美國半導體巨頭英特爾宣布重返晶圓代工領域,讓南韓科技大廠三星電子面臨龐大壓力。
新思科技(Synopsys)近日宣佈,針對台積電最先進3奈米製程技術,新思科技的數位與客製化解決方案已通過台積公司最新設計參考流程(design-rule manual,DRM)及製程設計套件(process design kits)的認證。植基於多年來的廣泛合作關係,該認證將提供共同優化的工具、流程和方法,使客戶能實現該製程所帶來的最大功耗、效能和面積(PPA)表現,進而加速新一代高效能運算(HPC)、行動、5G和AI 晶片設計的創新。台積電設計建構管理處副總經理Suk Lee表示,台積電的先進技術需要全新層次的EDA協作與創新,以實現3奈米製程技術的高效能和低功耗目標。我們與新思科技的長期合作有助於加速客戶取得台積公司最新製程所提供的優勢,並讓台積電最新流程所帶來的效益達到極大化。我們雙方將持續密切合作,為HPC、行動、5G和AI應用實現新一代的設計。新思科技具高度整合的融合設計平台(Fusion Design Platform)是此次雙方在先進節點合作成功的關鍵,為台積電的3奈米技術提供了全流程設計收斂(convergence)和緊密的簽核相關性(signoff correlation)。新思科技的Fusion Compiler以及IC Compiler ll佈局繞線(place-and-route)產品採用新的全域(global)和詳細(detail)繞線技術創新,實現時序結果品質(quality-of-results,QoR)的優化。全流程總功耗(total-power)優化的提升,輔以合法化與最佳化併行(concurrent-legalization-and-optimization)技術,能實現所需的總功耗分布並達成整體優化 PPA 的設計指標。針對3奈米製程的合作內容,其他的實作技術也包括:支援具備著色(coloring)和通路銅柱(via-pillar)考量的先進佈線,以及創新的正反器(flip-flop)優化,有助於著重效能和低功耗的設計。此外,Design Compiler NXT合成(synthesis)產品是融合設計平台的關鍵元素,經強化後,藉由與IC Compiler II更緊密的時序相關性,能提供更為收斂的設計流程,讓所有以N3製程為目標的設計皆受益。新思科技與台積電就3奈米製程的合作內容還包括PrimeTime對低電壓變動的支援,以及支援台積公司的佈局(placement)規則,能在實作和簽核期間實現收斂的ECO收斂。新思科技的 PrimePower支援3奈米實體規則(physical rule)的功耗簽核,包括漏電功耗和動態功耗以及StarRC萃取建模的強化,能帶來所需的準確性。新思科技數位設計事業群總經理Shankar Krishnamoorthy表示,台積電與新思科技密切合作,一同突破設計可實現的極限並加速新技術製程的進程,讓整個產業生態系和雙方客戶皆受惠。雙方就3奈米技術在數位和客製化RD的最新合作,將技術創新帶到全新層次以克服製程的挑戰,從而為共同客戶帶來新的機會,使其能及時規劃先進的產品。
電子設計自動化業者新思科技(Synopsys)設計方案,獲晶圓代工龍頭台積電3奈米製程技術DRM與SPICE模型認證,新思科技布局3 奈米領域,未來也將有助於台積電先進製程量產。