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以下是含有磊晶的搜尋結果,共160

  • 漢磊嘉晶衝SiC 搶電動車商機

     碳化矽(SiC)製程二極體(Discrete)或金氧半場效電晶體(MOSFET)已開始被大量應用在電動車市場,由於具有提升續航力及縮短充電時間等多重優勢,預期2020年開始逐步取代矽基功率元件並進入成長爆發階段。漢磊投控(3707)旗下晶圓代工廠漢磊科、磊晶矽晶圓廠嘉晶(3016)已完成SiC上下游整合布局,受惠於IDM廠擴大委外及新興IC設計公司訂單到位,2020年接單放量有助於營運表現大幅優於去年。

  • 環宇與晶電結盟再一樁 打造台陸雙供應鏈

    環宇-KY(4991)與晶電(2448)大陸子公司「晶品光電(常州)」及其他投資方決議共同投資「新晶宇」,「新晶宇」將向晶品租用廠房、建置晶圓代工6吋廠;環宇欲以「晶成」、「新晶宇」建構台陸雙供應鏈,因應貿易戰,也由局端拓展、搶攻以5G為首的消費型市場。 \n晶品光電(常州)為晶電在大陸投資的第一家上游磊晶廠、也是晶電在大陸投資最大專案,主要從事光電子、LED、LED外延片及LED晶元等產品的研發、生產與技術諮詢服務。 \n環宇-KY近年來積極規畫6吋廠的建置,並朝與已有6吋晶圓廠之公司洽談合作為主,如今與晶電結盟,分別以「晶成」、「新晶宇」兩模式合作,晶成與新晶宇在製程技術與客源方面會有所區隔,原則上晶成以高階製程且非中國客戶為主,而新晶宇原則上會以中國客戶為主要客源,但最終決定權還是在客戶手上。 \n環宇-KY副總經理余有崇強調,以「Local demand, local supply(在地需求、在地供應)」作為美中貿易戰的因應之道。 \n目前規劃晶成三大主產品包括5G RF PA(射頻元件 功率放大器)、BAW filter(體聲波濾波器)及3D Sensing VCSEL(面射型雷射),預計明年第二季完工、第三季量產,初期月產能約6、7,000片,並將以1萬片為目標邁進;環宇-KY藉「晶成」、「新晶宇」建構台陸雙邊供應鏈,一旦6吋廠建構完成,為環宇-KY由局端朝消費型市場的拓展之路再向前邁開一大步。

  • 環宇再次結盟晶電 打造台陸雙供應鏈

    環宇-KY(4991)與晶電(2448)大陸子公司「晶品」及其他投資方決議共同投資「新晶宇」,「新晶宇」將向晶品租用廠房、建置化合物半導體晶圓代工6吋廠;環宇欲以「晶成」、「新晶宇」建構台陸雙供應鏈,因應貿易戰,也由局端拓展搶攻以5G為首的消費型市場。 \n環宇-KY副總經理余有崇強調以「Local demand, local supply(在地需求、在地供應)」作為美中貿易戰的因應之道;新晶宇廠房位於江蘇省常州市武進國家高新技術產業開發區,晶成廠房則位於台灣竹科。 \n面對市場質疑解散三安,新晶宇是否可能再度步上後塵?余有崇表示,「三安合資案其實並非失敗」,此投資常州案與三安合資公司的商業模式不同,與三安的合資公司主要功能為銷售與技術支援,未實際投資工廠、亦未參與工廠運作。而投資新晶宇的模式是直接投資並協助生產製造與管理。現階段環宇-KY策略調整後,合資公司已無存在的理由,在雙方協議下決定解散,至於技術授權合約仍有效,環宇仍會繼續收取權利金。 \n環宇-KY近年來皆積極規畫6吋廠的建置,並朝與已有6吋晶圓廠之公司洽談合作為主,如今與晶電結盟,分別以「晶成」、「新晶宇」兩模式合作,晶成與新晶宇在製程技術與客源方面會有所區隔,原則上晶成以高階製程且非中國客戶為主,而新晶宇原則上會以中國客戶為主要客源,但最終決定權還是在客戶手上。 \n目前規劃晶成三大主產品包括5G RF PA(射頻元件 功率放大器)、BAW filter(體聲波濾波器)及3D Sensing VCSEL(面射型雷射),預計明年第二季完工、第三季量產,初期月產能約6、7,000片,並將以1萬片為目標邁進;環宇-KY藉「晶成」、「新晶宇」建構台陸雙邊供應鏈,一旦6吋廠建構完成,環宇-KY由局端朝消費型市場的拓展之路再向前邁開一大步。 \n關於晶品光電(常州),其為晶電在大陸投資的第一家上游磊晶廠、也是晶電在大陸投資最大專案,主要從事光電子、LED、LED外延片及LED晶元等產品的研發、生產與技術諮詢服務。

  • 5G需求旺 漢磊、嘉晶Q4營運衝

     隨著5G基地台及資料中心需求轉旺,國際IDM廠第四季開始擴大釋出電源管理IC及功率半導體委外代工訂單,漢磊投控(3707)旗下磊晶矽晶圓廠嘉晶(3016)及晶圓代工廠漢磊科營運轉旺。 \n 再者,國際IDM廠投入氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等新一代寬能隙(WBG)材料功率半導體市場,漢磊科及嘉晶已完成產能佈建,全力搶攻WBG材料晶圓代工及磊晶矽晶圓新商機。 \n 今年前三季因為市場仍在去化庫存,功率半導體晶圓代工及磊晶矽晶圓市況不佳,在產能利用率下修情況下,漢磊投控及嘉晶營收表現不盡理想。嘉晶第三季合併營收季減12.4%達8.82億元,累計前三季合併營收29.03億元,較去年同期下滑12.5%。加計漢磊科的漢磊投控第三季合併營收季減10.7%達12.71億元,累計前三季合併營收40.70億元,較去年同期下滑15.6%。 \n 不過,漢磊及嘉晶9月營運已見回溫,而第四季受惠於國際IDM廠手中庫存有效去化,且自有產能移轉生產高毛利的電源管理IC及功率半導體,並開始擴大釋出委外代工訂單,法人看好漢磊及嘉晶營運最壞情況已過,第四季營收表現會優於第三季。 \n 業者表示,美中貿易戰造成今年類比IC市場成長停滯,所幸近期5G基礎建設加速進行,資料中心及伺服器重啟新平台採購,電源管理IC及功率半導體市況轉佳。由於5G支援Sub-6GHz及mmWave(毫米波)多頻段,與4G基地台相較需要增加三~五成的功率元件用量,伺服器新平台也要增加一~二成功率元件用量,IDM廠去年以來並未新增產能,所以第四季以來委外代工訂單持續湧現。 \n 此外,5G基地台及電動車出貨持續成長,大型資料中心要求降低功耗,智慧型手機及筆電等終端裝置要求更長電池續航力及快充功能,帶動GaN及SiC等WBG材料金氧半場效電晶體(MOSFET)市場起飛。包括英飛凌、意法半導體等國際IDM廠全力搶進,許多新創IC設計公司也加入戰局,為漢磊及嘉晶帶來新的成長契機。 \n 漢磊科持續朝向GaN及SiC晶圓代工轉型,4吋廠為客戶代工600V~1200V的SiC蕭特基二極體(SBD)及SiC MOSFET,6吋廠已開始為客戶提供SiC晶圓代工服務,將SiC晶圓減薄至100微米的背面晶圓薄化技術可望帶來更多競爭優勢。另外,漢磊科6吋的矽基氮化鎵(GaN on Si)晶圓代工已可接單量產。至於嘉晶600V~1200V的4吋及6吋SiC磊晶矽晶圓可以開始出貨,擁有專利的100V~600V的6吋矽基GaN磊晶矽晶圓也進入認證階段並持續爭取新訂單。

  • 全新 穩坐亞洲第一大磊晶廠

     5G大量拉高對射頻元件的需求,隨大陸手機客戶磊晶片訂單開始放量,全新董事長陳懋常表示,全新練兵已久,現階段在化合物磊晶「什麼都可以做,都做得出來」,目前則靜待全球各地5G進程推展的「東風」駕到。 \n 台灣晶圓代工產業勇冠全球,台積電坐穩矽晶圓代工龍頭寶座,而微波通訊元件的砷化鎵代工產業也同樣高居全球之冠。根據研究機構Technavio資料統計,2018年全球砷化鎵晶圓市場規模達到9.4億美元,今年約10.49億美元,2021年市場上看12.69億美元,連續四年以逼近雙位數成長模式前進。 \n 而5G時代來臨三大關鍵技術,毫米波(mmWave)、大規模陣列天線技術(Massive MIMO)及小型基地台(Small Cell),將大量運用RF(射頻元件),其中將大量運用到砷化鎵製程,讓台灣砷化鎵產業成為當紅炸子雞。 \n 為了搶奪此一商機,聯發科整合旗下PA業務,全數交由唯捷創芯(Vanchip)負責,成為大陸第一大的4G PA廠,而台灣兩大砷化鎵代工雙雄穩懋和宏捷科則掌握全球80%代工訂單,磊晶廠全新、IC設計廠紛紛加入射頻元件「大聯盟」,「去美化」供應鏈開始由台廠取得發牌權。 \n 陳懋常指出,與傳統矽晶圓半導體相較,化合物半導體市場並不大。 \n 他強調,全新光電主要供應鏈原以美國企業為重,大陸直接客戶甚少,但隨美中貿易衝突爆發,中興、華為事件接連上演,大陸品牌手機廠為避免斷貨風險,紛紛建立非美系供應鏈,導致供應鏈大洗牌,目前全球前十大品牌手機中,有7家為大陸品牌手機廠,全新透過亞洲客戶間接供應,在大陸市場的比重逐步拉大。

  • 瞄準三大商機 漢磊嘉晶備戰

     國際IDM廠全力搶進寬能隙(WBG)材料的氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等新一代金氧半場效電晶體(MOSFET)市場,也帶動許多GaN及SiC新創IC設計業者加入戰局。看好GaN、SiC晶圓代工及磊晶矽晶圓需求,漢磊投控(3707)旗下晶圓代工廠漢磊科、磊晶矽晶圓廠嘉晶(3016)等已經準備好了,6吋WBG製程正式進入量產,下半年將開始擴大接單。 \n 2019年上半年功率半導體晶圓代工及磊晶矽晶圓市況不佳,在產能利用率下修情況下,漢磊投控及嘉晶財報表現不盡理想。嘉晶上半年合併營收20.21億元,毛利率降至8.0%,歸屬母公司稅後淨利0.31億元,每股淨利0.11元。加計漢磊科的漢磊投控上半年合併營收27.99億元,毛利率降至1.6%,歸屬母公司稅後淨損2.29億元,每股淨損0.81元。 \n 近幾年來包括電動車及綠能電力儲存等應用興起,5G及大型資料中心等高效能運算及高速資料傳輸需求大增,能夠支援更高工作電壓的SiC元件,以及可以有更高切換開關速度的GaN元件,已經成為功率半導體市場新顯學。隨著國際IDM廠開始量產各式SiC及GaN功率元件及模組,許多新創IC設計公司也加入戰局,老葉新枝在WBG元件市場百家爭鳴,也帶動SiC及GaN晶圓代工需求在下半年進入高速成長期。 \n 漢磊投控很早就開始投入WBG製程研發,旗下晶圓代工廠漢磊科順利在7月開始量產6吋WBG製程,受到市場高度關注。漢磊科2015年開始投入WBG材料電晶體生產,除了利用4吋廠為客戶代工600V~1200V的SiC蕭特基二極體(SBD)及SiC MOSFET,6吋廠已開始為客戶提供SiC晶圓代工服務。 \n 漢磊科朝向1700V更高壓的SiC SBD元件技術發展,並投入SiC溝槽式MOSFET代工,6吋SiC晶圓代工生產線可帶來更大優勢,加上漢磊科在背面減薄技術上有所突破,可以將SiC晶圓減薄至100微米,旗下三座晶圓廠都已通過車規認證,未來在SiC元件晶圓代工市場將占有一席之地。 \n 漢磊科亦提供6吋的矽基氮化鎵(GaN on Si)晶圓代工服務外,亦與特定客戶合作開發0.5微米的30V~350V電壓GaN MOSFET及100V以下電壓GaN IC的增強型高電子遷移率電晶體(E-mode HEMT)製程,並已可以接單量產。 \n 至於同屬漢磊控股下的嘉晶已量產WBG磊晶矽晶圓,包括600V~1200V的4吋及6吋SiC磊晶矽晶圓可以開始出貨給客戶,並推出100V~600V的6吋矽基GaN磊晶矽晶圓,這是擁有自有專利的磊晶技術,而且具有低阻值磊晶增加電流密度特性。

  • 《熱門族群》掌握功率半導體市場新顯學,嘉晶、漢磊母子同亮燈

    漢磊(3707)及嘉晶(3016)母子公司早盤股價聯袂飆高,母公司漢磊(3707)早盤觸漲停價26.45元,嘉晶盤中也觸漲停51.2元。近幾年來包括電動車及綠能電力儲存等應用興起,5G及大型資料中心等高效能運算及高速資料傳輸需求大增,能夠支援更高工作電壓的SiC元件,以及可以有更高切換開關速度的GaN元件,已經成為功率半導體市場新顯學。 \n 漢磊打入華為5G基地台供應鏈,而嘉晶身為漢磊集團主要磊晶供應商可望同步受惠。嘉晶近幾年持續投入新一代功率半導體的磊晶矽晶圓研發及生產,包括超接面金氧半場效電晶體(MOSFET)、應用在電動車或5G基地台的SiC與GaN等新複合材料矽晶圓,都可望在今年開始提高出貨量。 \n \n 隨著國際IDM廠開始量產各式SiC及GaN功率元件及模組,許多新創IC設計公司也加入戰局,老葉新枝在WBG元件市場百家爭鳴,也帶動SiC及GaN晶圓代工需求在下半年進入高速成長期。 \n 漢磊控股董事長徐建華看好未來各大車廠強化電動車布局及車電市場逐步成長,漢磊在4吋SiC產品的技術已經成熟,預期6吋SiC會通過客戶產品驗證,看好汽車市場可望加上更多車電產品及朝向電動車發展,因此這塊市場相當值得期待,預料有更多國際IDM廠投入相關技術開發,帶動功率半導體市場邁向新發展。 \n \n

  • GaN崛起 漢磊、嘉晶卡位成功

     5G、電動車等市場將可望在2020年進入高速成長階段,由於高功率電源需求興起,研調機構預期2020年GaN磊晶晶圓需求將可望挑戰年增5成水準,顯示氮化鎵(GaN)磊晶晶圓未來將開始進入爆發成長期。 \n 法人表示,漢磊控股(3707)及轉投資矽晶圓廠嘉晶(3016)已經具備GaN磊晶晶圓搭配矽(Si)、碳化矽(SiC)等新世代高功率製程的生產能力,未來有機會搶下大筆5G基地台、電動車等新藍海訂單。 \n 5G、電動車市場將可望在2020年進入高速成長市場,由於5G、電動車等新應用在用電需求上皆須達到高功率水準,因此將可望推動應用在高功率的GaN磊晶基板需求興起。 \n 其中,5G基地台正是首要應用之一,研調機構資策會指出,以GaN磊晶作為基板搭配矽組成的矽基氮化鎵(GaN on Si)未來將可望被大幅應用在基地台的功率放大器(PA);至於電動車市場由於需要具備承受瞬間高功率電流,因此對於以氮化鎵為基板的SiC材料亦相當注重。 \n 根據資策會預估,進入2020年後,以氮化鎵為基板導入矽、SiC及氮化鎵等材料的晶圓需求,將可望達到6,435平方公尺,相較2019年將可望成長52.49%,市場規模更上看790億美元,年增幅超越兩成水準,因此未來GaN基板市場發展將可望備受市場期待。 \n 事實上,目前國際IDM大廠都已經相繼投入GaN、SiC等功率半導體的技術研發,其中英飛凌(Infineon)、安森美(On Semiconductor)及意法半導體(ST)等大廠看好未來5G、高速運算資料中心及車用市場未來將可望朝向該領域發展,正在力拼逐步拉高產能。 \n 據了解,目前漢磊及旗下嘉晶早在數年前就已經展開GaN及SiC的製程研發,目前已經具備GaN磊晶導入矽、SiC及GaN等製程的生產實力,可望在2019年下半年開始小量生產。法人看好,隨著5G、電動車等市場規模逐步擴大,漢磊及嘉晶將可望搶下國際IDM大廠及IC設計廠的訂單。

  • 《熱門族群》5G夯,漢磊攜嘉晶高飛

    漢磊(3707)及嘉晶(3016)母子公司早盤股價聯袂飆高,母公司漢磊(3707)打入華為5G基地台供應鏈,股價從6月中旬一路走高,漲幅逾3成;而嘉晶股價本周開始發動攻勢,由41元反彈至今早盤中的47元,漲幅逾1成。法人指出,除了華為5G基地台外,中國政府對白色家電補貼也拉升功率元件需求,下半年接單強勁。 \n 嘉晶身為漢磊集團主要磊晶供應商可望同步受惠。嘉晶今年H1累計營收20.2億元,年減1.17%,顯示接單尚未反應到實際營收。嘉晶於去年陸續擴增產能,到去年底時,月產能已達40萬片。另外,嘉晶去年宣布將投資增加Super Junction Power MOSFET多層次磊晶製程設備,產出的高壓產品可應用於車載、工控等產品。 \n \n 嘉晶至去年底淨值為40.56億元,每股淨值為14.78元,負債比約為32.5%,現金與約當現金有9億餘元。 \n 漢磊董事長為漢民集團創辦人、人稱「阿奇董事長」的黃民奇,漢民集團曾打造股后漢微科傳奇。黃民奇畢業於交通大學電子物理學系,1977年創立漢民科技股份有限公司,開始代理國際各大半導體廠商設備,是早期將ASML設備代理引進台灣,並讓台積電大量採購ASML設備的功臣。 \n \n

  • 中央大學低溫Micro LED磊晶技術 未來電視牆會發光

    中央大學低溫Micro LED磊晶技術 未來電視牆會發光

    想像一下,未來「燈不只是燈,電視不只是電視」,兩者可相互結合,居家整個牆面打出柔和日光,既是照明,也是超大螢幕! \n \n由中央大學光電系陳昇暉教授帶領的萌芽新創團隊 Microluce 近期發表Micro LED磊晶技術,透過高能物理在「低溫」狀態下即可長出高品質氮化鎵薄膜,完全拋棄主流的巨量轉移製程,成本僅是現有微發光二極體顯示器的十分之一,具有量產潛力,相關技術已獲得了台灣及美國專利。 \n \n陳昇暉表示,科技部萌芽計畫是要將科研成果商品化並進入市場,過程深具挑戰,該實驗室憑著一股傻勁,透過自主開發的磊晶設備,每個零件都一清二楚,遇到問題可自行探索解決,同時結合大數據資料科學分析、奈米材料、半導體封裝製程等,跨領域在Micro LED領域另闢蹊徑,並成立新創公司—進化光學有限公司Microlce,希望找到新藍海。 \n \n「巨量轉移」是現今Micro LED顯示器最重要的步驟,已發展近十年,但該團隊認為巨量轉移是錯誤方向,主要因現今的LED晶粒須覆晶製程及結構弱化等程序,藍綠光材料是氮化鎵,紅光材料是砷化鎵,兩種材料的驅動電壓不同,驅動電路將造成困難,尤其成本考量上,壞點修復問題不易克服,因此難以量產。 \n \n該團隊透過高能物理的方式,突破以往一千度以上的高溫限制,在「低溫」狀態下即可長出高品質的氮化鎵薄膜,溫度可控制在500至700度左右;面版尺寸可從2英吋至12英吋,可隨著製程設備等比例放大,並結合大數據分析,找出最佳磊晶模式。 \n \n現今巨量轉移2K畫素的MicroLED面板成本高於33萬台幣,該團隊自主開發的磊晶板,搭配奈米材料技術可達到全彩化的微發光二極體顯示效果,一片面板的成本僅現有的十分之一,深具量產潛力,可望造福更多消費者。

  • 晶女郎度假沒穿內衣 曬火辣半乳網讚太完美

    晶女郎度假沒穿內衣 曬火辣半乳網讚太完美

    33歲「晶女郎」孟瑤過去和王晶合作電影《我的老婆是賭聖》走紅,11年前她和內衣總裁周磊結婚,育有一子。最近孟瑤到馬爾地夫度假,在IG曬出自己穿著深V無袖洋裝美照,前看露東西半球,側邊看又大秀火辣半乳,令網友直呼:「太完美了」、「性感」。 \n性感女星孟瑤曾接演王晶10部作品,2003年出道的她起初默默無問,直到接拍新版《七擒七縱七色狼》才聲名大噪,隔年她演出《我老婆是賭聖》傳出露點疑雲,但孟瑤受訪時否認,強調自己在拍攝前有做好安全措施,更對網友未將焦點放在演技而失望。 \n2010年孟瑤和總裁老公生下兒子Dustin,升格人母後,孟瑤仍未改性感本色,擁有36F好身材的她常不吝在社群網站分享辣照,最近她和朋友到馬爾地夫度假,據《東網》報導,她大讚當地像仙境,「海水好藍,真是覺得一生一定要必來的海島」,並透露這回還特別帶了專屬攝影師,打算全程記錄旅行點滴,分享絕美身材。

  • 包商疏失延遲出貨 英特磊4月營收年減0.9%

    全球唯二分子束磊晶(MBE)半導體磊晶片廠英特磊IET-KY (4971)4月營收0.48億元,月減23.8%、年減少0.9%。公司表示,主要因液態氮承包廠商施工疏失,致MBE磊晶設備延遲出貨,並預估這波延遲出貨再1~2個月即可遞補回來,後續賠償損失交由保險公司處理。 \n現行化合物半導體商用磊晶製程技術,大致可分成MOCVD(有機金屬氣相沉積法)和MBE(分子束磊晶技術),而英特磊兩樣製程技術都能做,並採用MBE技術從事砷化鎵(GaAs)、銻化鎵(GaSb)、磷化銦(InP)化鎵等三五族化合物半導體磊晶(Epi)的生產,具有從基板到磊晶的垂直整合技術能力。

  • 包商出差錯 英特磊4月營收年減0.9%

    英特磊IET-KY(4971)8日盤後公布第一季財報,每股盈餘(EPS)0.46元,而其4月營收0.48億元,月減23.8%、年減0.9%,公司表示,主要因液態氮承包廠商施工疏失,致分子束磊晶技術(MBE)磊晶設備延遲出貨,預估這波延遲出貨再1~2個月可遞補回來,賠償損失交由保險公司處理。 \n英特磊為全球唯二的MBE半導體磊晶片廠,其2019年第一季營收達1.8億元,年減5.3%,稅後盈餘為1,651萬元,年減58%,EPS為0.46元,較前年同期的1.09元呈現衰退;英特磊將於9日召開法說會,並針對該財報作進一步說明及後續展望等。 \n英特磊2019年4月營收0.48億元,月減23.8%、年減0.9%;今年前4月營收2.29億元,年減4.3%。關於4月包商施工疏失,英特磊發言系統表示,事發在一周前、約4月底,供應商在補充液態氮罐時不慎關閉開關閥,致液態氮無法通向機台,造成機台溫度升高,影響磊晶生長而耽誤出貨,目前須待機台溫度下降,而相關理賠事宜交由保險公司處理。 \n關於貿易戰發展對公司營運可能造成的衝擊,公司則表示現階段無法評論,需待客戶端的相關因應而定;英特磊8日股價下跌5.36%,以63.6元作收。

  • 環球晶 打造競爭力第一

     環球晶(6488)從中美晶(5483)內部的小小半導體事業部門,成長茁壯到現階段擁有「10國16廠區」的全球第三大半導體矽晶圓廠,持續多起的併購是推升營運規模成長的關鍵。 \n 不過,光是靠單純的併購,是絕對無法有今日之成就,透過整併後各大廠區的汰弱留強,財務採購統一集中化,伴隨簽訂長約客戶,而沒有長約料源合約的羈絆,也讓環球晶今年的營運挑戰「逆風持續向上」。 \n 回顧以往,中美晶在2008年購併美國磊晶廠GlobiTech,僅花1年時間就終結之前連9年的虧損,並登上美洲大陸的「磊晶一哥」;到了2011年,中美晶將觸角伸向日本,收購Covalent Materials旗下半導體廠,也推升該公司晉升為「全球第6大半導體晶圓廠」,一舉跨入產業領先群。 \n 之後,中美晶將內部的半導體矽晶圓部門獨立為環球晶,並於2016年啟動新一波併購,先是拿下全球第4大的SEMI(SunEdison Semiconductor),取得12吋晶圓55萬片、8吋晶圓50-60萬片,以及6吋晶圓40萬片的新產能,產業地位則進一步跳升至「全球第3大」,不僅拉高國際能見度和產業的訂價權,之後還「小槓加一」,收購了丹麥Topsil的半導體事業群,擴大在車用、重電領域的佈局。 \n 根據統計,2018年的半導體矽晶圓全球市佔率,仍以日本信越居首、高達31%,日本勝高則有27%,環球晶以18%緊追在後,接著是Siltronic的14%和SK的10%。但若以財報的獲利能力來看,環球晶應該是遙遙領先。 \n 分析原因,首先,環球晶(中美晶)都是選在產業的低潮期出手,不僅取得大幅折價的廠房機器設備,更是趁機調整營運體質。以之前併購SEMI的經驗來看,隨即關閉馬來西亞的一個廠區,並將SEMI從美國股市下市,省下大筆的掛牌維護費,近期還打算裁撤不符產能規模效益的波蘭廠區。而環球晶每每「以小吃大」、透過融資進行購併,而非進行換股,因此得以保有股本僅43億元的小規模,讓EPS的表現更耀眼。 \n 此外,環球晶在2018年這波報價大漲的過程中,鼓勵客戶簽訂供貨長約,雖然犧牲掉現貨價與合約價將近5成的利潤,但看好的是長線的穩定性。如今,這個決策也發揮效果,儘管今年的現貨報價走軟,但環球晶有將近80-90%長約客戶,而長約的價格是優於現貨市場,而且該公司更堅持守護長約的精神和價格,因而推升第一季營運幾乎持平於去年第四季,至於獲利的表現也值得期待。

  • 光電股擁題材 多方氣焰旺

    光電類股各擁題材,吸引買盤敲進!台股16日開高走高,指數於10,900點附近震盪,光電族群由股王大立光(3008)領軍,帶動類股盤中漲幅達1.32%,其中,晶電(2448)和光鋐(4956)雙雙亮燈飆漲停,多方氣焰正盛。 \n大立光今年第1季每股盈餘37.68元,符合市場預期,且受到客戶新機鋪貨帶動,後續營運有望漸入佳境,外資也普遍給予正面評價,並調高大立光目標價,16日盤中走揚1.85%,股價來到4,685元。 \n晶電則受到外資點名看好,評等從「中立」調高至「買進」,目標價也由28元調高至36元,主因大陸LED製造商三安光電被美國列入警示清單,台灣LED磊晶廠龍頭晶電可望受惠,激勵股價強勢走高,盤中大漲9.87%,攻堅至漲停價29.5元。 \n觀察其餘光電股,東貝和正達漲逾7%,榮創、達威、佰鴻、東捷、立碁、乙盛-KY、聯嘉、隆達、一詮、瑞儀、GIS-KY、明基材、台表科、誠美材等同步喊衝,盤中漲幅均達2%以上。

  • 化合物 半導體磊晶 市場剖析

    化合物 半導體磊晶 市場剖析

     傳統矽半導體因自身發展侷限,以及摩爾定律的限制,需尋找下一世代半導體材料,而化合物半導體材料的高電子遷移率、直接能隙與寬能帶等特性,恰好符合未來半導體發展所需,終端產品趨勢將由5G通訊、車用電子與光通訊領域的應用所主導。 根據現行化合物半導體元件供應鏈,元件製程最初步驟由晶圓製造商選擇適當特性的基板,以矽、鍺與砷化鎵等等材料作為半導體元件製程的基板,基板決定後再由磊晶廠商依不同元件的功能需求,於基板上長成數層化合物半導體的磊晶層。磊晶層成長完成後,再透過IDM廠或IC設計、製造與封裝等步驟,完成整體元件的製造流程。最終由終端產品廠商組裝和配置元件線路,生產手機與汽車等智慧應用產品。 \n 應用 \n 元件產品依循化合物半導體材料特性(如耐高溫、抗高電壓、抗輻射與可發光)加以開發,將終端市場分為5個領域:電源控制、無線通訊、紅外線、太陽能與光通訊。 \n 以電源控制為例,由於氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)等材料,皆有不錯的耐高電壓和高頻特性,因此適合用於製造功率因素校正、高壓功率放大器等高功率元件,是現階段支撐化合物半導體電源控制領域的重要指標。 \n 在太陽能和光通訊方面,由於砷化鎵(GaAs)材料具備較佳的能源轉換率,以及適合接收來自紅光和紅外光等波段訊號,因此適合開發太陽能電池和光偵測器等應用。 \n 近年手機通訊領域蓬勃發展,帶動無線模組關鍵零組件濾波器、開關元件與功率放大器元件需求成長;而砷化鎵材料因具有低雜訊、低耗電、高頻與高效率等特點,已廣泛應用於手機通訊並占有重要地位,帶動砷化鎵磊晶需求逐年提升。在國防領域,現階段對紅外光的需求(如紅外光熱影像和高功能夜視鏡)以中、長波長紅外光(LWIR、MWIR)等軍事領域為主,同樣帶動砷化鎵磊晶需求。在生物和醫療領域,由磷化銦(InP)材料作為雷射光源的關鍵核心,使得相關磊晶需求看漲。整體而言,將化合物半導體多元的材料特性應用於相關元件領域中,可產生許多新的可能性,帶動磊晶產業持續發展。 \n 現況 \n 現行化合物半導體商用磊晶製程技術,大致可分成MOCVD(有機金屬氣相沉積法)和MBE(分子束磊晶技術)。若以成長技術而論,MOCVD的成長條件由氣相方法進行,透過氫氣或氮氣等特定載氣引導,使三族和五族氣體均勻混合後,再導入反應腔體中,接著透過適當的反應溫度(400~800度),讓氣體裂解並成長於基板上。MBE成長條件則透過元素加熱方式,藉由超高真空環境的腔體,將所需磊晶元素加熱昇華形成分子束,當分子束接觸基板後,就可形成所需磊晶結構。 \n 若以量產速率分析MOCVD和MBE磊晶設備的優缺點,MOCVD為氣相方式導入反應腔體,其速度較MBE快1.5倍(MBE需時間加熱形成分子束);但以磊晶品質來說,由於MBE可精準控制分子束磊晶成長,因此相較MOCVD有較佳結果。觀察現行磊晶廠的發展趨勢,雖然MBE所需成本較高、速度也較慢,但較符合國防和光通訊領域等高精密元件產品需求。目前化合物半導體的IDM廠,大多選擇以MBE磊晶設備為成長方式,除了IDM廠外,磊晶代工廠英商IQE和IET,亦選用MBE作為廠內磊晶設備。 \n 另一方面,由於MOCVD採用氣相成長方式,可快速且大範圍進行磊晶成長,雖然其磊晶品質稍不如MBE,但對需要大量、大面積磊晶成長的元件產品有吸引性,例如太陽能電池元件等。目前全球化合物半導體磊晶廠中,主要有6成廠商選擇可大範圍成長的MOCVD機台,4成則選擇高精密性的MBE設備。 \n 根據2018年全球化合物磊晶廠預估營收占比可知,全球化合物半導體磊晶產業營收已超過4.9億美元,且英商IQE營收占整體比例約44%,與2016年營收維持相同比例,穩居磊晶龍頭寶座,排名第二的聯亞2018年預估占比依然維持在16%(同2016年)。此外,全新光電營收占比,由2017年17%降至2018年預估的14%;全球MBE磊晶第二大廠IET營收則由2017年7%降至2018年預估的5%,衰退原因與中美貿易戰和全球手機銷售不如預期有關,使得市占率小幅衰退。 \n 發展 \n 針對化合物半導體未來的終端市場需求,依照不同元件特性可分為傳輸和無線通訊的5G晶片、耐高溫和抗高電壓的車用晶片,與可接收和回傳訊號的光通訊晶片三大領域。藉由5G晶片、車用晶片與光通訊晶片的元件開發,將帶動未來磊晶廠的營收和資本支出,確立未來投資方向。 \n 由化合物半導體發展趨勢可知,未來元件需求將以高速、高頻與高功率等特性,連結5G通訊、車用電子與光通訊領域的應用,突破矽半導體摩爾定律限制。而隨著科技發展,化合物半導體的元件製程技術亦趨成熟,傳統矽半導體的薄膜、曝光、顯影與蝕刻製程步驟,皆已成功轉置到化合物半導體上,有助於後續半導體產業持續發展。 \n 關於無線通訊領域的未來發展,5G基地台的佈建密度將更甚4G,且基地台內部使用的功率元件,將由寬能帶氮化鎵功率元件取代DMOS(雙重擴散金氧半場效電晶體)元件。在基地台用功率元件目前已集中在IDM廠(如Qorvo、Cree與日本住友電工),且各家代工大廠相繼投入,導致市場競爭激烈;此外,中國廠商原先欲藉由併購國外大廠進入氮化鎵代工市場,卻因國防安全為由受阻,因此現階段中國廠商在氮化鎵基地台的發展受限。 \n 為提升無線通訊品質,5G通訊市場將以較小功率消耗和較佳電子元件等特性為目標而努力,選擇砷化鎵和磷化銦等化合物半導體材料,作為功率放大器、低噪音放大器等射頻元件,整體而言,由於砷化鎵射頻元件市場多由IDM廠(如Skyworks、Qorvo與Broadcom)把持,因此只有當需求超過IDM廠負荷時,才會將訂單發包給其他元件代工廠,對於其他欲投入元件代工的廠商而言則更困難。由於中國手機市場對射頻元件的需求增加,加上5G手機滲透率未來將逐漸提升,或許待中國代工廠商的射頻製程技術提升後,可趁勢打入砷化鎵代工供應鏈,提高射頻元件市占率。 \n 在車用晶片部分,由於使用環境要求(需於高溫、高頻與高功率下操作),並配合汽車電路上的電感和電容等,使得車用元件體積較普通元件尺寸占比大。然而,透過化合物半導體中,寬能帶半導體材料氮化鎵和碳化矽等特性,將有助實現縮小車用元件尺寸。 \n 藉由氮化鎵和碳化矽取代矽半導體,減少車用元件切換時的耗能已逐漸成為可能。以氮化鎵和碳化矽材料作為車用功率元件時,由於寬能帶材料特性,可大幅縮減周圍電路體積,達到模組輕量化效果,且氮化鎵和碳化矽較矽半導體有不錯的散熱特性,可減少散熱系統模組,進一步朝車用輕量化目標邁進。此外,車用晶片對光達(LiDAR)感測器的應用也很重要,自動駕駛汽車或無人車技術中,先進駕駛輔助系統(ADAS)中的光達感測器不可或缺,透過氮化鎵和砷化鎵磊晶材料滿足其元件特性,作為光達感測器所需。 \n 在光通訊晶片領域方面,為了解決金屬導線傳遞訊號的限制和瓶頸,以雷射光在光纖中作為傳遞源的概念應運而生,突破原先電子透過金屬纜線容易發生電阻和電容時間延遲現象,且藉由雷射光快速傳遞和訊號不易衰退特性,使得矽光子技術逐漸受到重視。 \n 由於光通訊晶片對光收發模組的需要,光偵測與雷射偵測器等模組需求上升,帶動砷化鎵與磷化銦磊晶市場走揚,此外,近年手機搭配3D感測應用有明顯成長趨勢,帶動VCSEL(垂直腔面發射激光器)元件需求增加,砷化鎵磊晶也逐步升溫,未來3D感測用的光通訊晶片,其應用範圍除了手機外,亦將擴充至眼球追蹤技術、安防領域、虛擬實境與近接辨識等領域。 \n 展望 \n 2018年手機銷售量相較2017年略為衰退,2019年手機銷售量也將趨於保守,但近年因蘋果iPhone帶動的3D感測技術受到重視,並加速非蘋陣營導入3D感測,促使VCSEL需求增溫,光通訊領域的元件需求有增加趨勢,2018年部分磊晶廠資本支出因此而成長。 \n 2019年手機銷售量可能下滑和5G手機滲透率偏低,將影響功率放大器、低噪音放大器等手機元件市場與磊晶廠營收表現。現階段5G通訊還有待電信業者的基地台建置和市場開發,2019年5G成長有限,將連帶影響磊晶廠部分營收。 \n 車用晶片由於使用環境較為嚴苛,並需承受高電壓和高溫等條件,多選擇氮化鎵和碳化矽等化合物半導體,而電動車市場未來將持續小幅成長,帶動車用功率半導體元件需求,進而推升氮化鎵和碳化矽磊晶營收成長。此外,先進駕駛輔助系統的光達元件需求逐年提升,促使氮化鎵和砷化鎵磊晶需求增溫。整體而言,未來車用化合物晶片的需求將逐步增加,成為磊晶市場持續成長的主要動能之一。

  • 《光電股》嘉晶超結磊晶製程,3Q產能彈跳

    嘉晶(3016)今年股價由元月中的40元反彈到日前的62.5元,短線彈幅逾5成。超結磊晶製程(Super Junction Mosfet)及化合物半導體磊晶(Compound Semiconductor)為嘉晶2019年產能擴增的主要重點,目前超結磊晶製程(Super Junction Mosfet)為日系客戶,產品主要運用於車用、伺服器等應 用範圍。2018年超結磊晶製程(Super Junction Mosfet)約佔營收3.5%,2019年產能將會從2k(2018年)提升到6k,法人預計在今年第3Q開始產能彈升。 \n \n 嘉晶為國內唯一同時提供碳化矽Sic、氮化鎵GaN兩種磊晶製程廠商,2018年嘉晶6吋GaN(氮化鎵磊晶)及4咐SiC(碳化矽磊晶)製程產能分別為2000片/月及1500片/月,稼動率約50%,目前已經損益兩平,佔營收約3.5%。另外2019年會新增6吋SiC(碳化矽磊晶)產能1,000片/月。 \n SiC/GaN 認證的客戶數較先前增加,公司表示車用化合物高功率元件認證期長,需要2~3年的時間,認證過程是:1.公司自己內部認證。2.送客戶認證。3.客戶的客戶認證。公司在2019年仍然以爭取更多的客戶認證數為主要目標,尚未達到大幅度擴充產能的階段(月產能約千片左右)。6吋SiC公司首批良率已達90%以上,已經通過內部認證,不過因為全球SiC的基板缺貨,貨源取得現在形成瓶頸,Cree為全球市佔最大的SiC基板供應商,市佔率超過30%,未來2年將再增加1倍產能,目前Cre多數產能已經與Infineon及STMicro簽訂長約。 \n \n

  • 水中硬要自拍!「晶女郎」招牌E乳慘變形GG了…

    水中硬要自拍!「晶女郎」招牌E乳慘變形GG了…

    中國大陸女星孟瑤不僅長相妖媚,還擁有34E招牌豪乳,魅力讓名導王晶都折服,欽點她成為「晶女郎」,而33歲的她自嫁給富二代老公周磊並生下一子後,幾乎沒參與幕前工作,但仍持續經營社群帳號,升格當媽後的孟瑤不改辛辣作風,常大方跟粉絲分享火辣美照以及豪奢日常,日前她更新了池畔比基尼照,堅持自拍把畫面搞得相當不自然,讓網友看不下去紛紛要她別硬拍了! \n孟瑤近日開啟度假模式,入住知名品牌飯店,飯店內有豪華游泳池,喜歡曬身材又愛拍照的她自然不能放過,穿著桃紅白點點比基尼的孟瑤,連沖個水都要自拍,看著鏡頭擺出各種撩人表情,豐滿E奶在波光粼粼下更顯壯闊,然整個人進到水裡後,情況卻完全失控。 \n孟瑤即使下了水仍是相機不離身,堅持自拍跟粉絲分享高級泳池風情,孰料整個身子進到池裡後,因為水的折射讓身體變得奇怪,一對自豪E乳慘變形,讓過去總是捧場讚美的網友也看不下去,忍不住出聲表示身體看起來超像合成的,詭異感無限,直呼「不需要到哪都拍吧」。 \n

  • 環宇結盟晶電 搶攻2大商機

     三五族半導體產業再爆震撼彈,環宇-KY(4991)將現金入股晶電(2448)旗下100%轉投資公司晶成半導體,並取得16.4%股權,成為僅次於晶電的第二大股東,雙方初期將專注氮化鎵的製程與客戶,亦會就VCSEL(面射型雷射)代工進行合作,以搶攻手機人臉辨視及5G商機。 \n 環宇-KY董事長黃大倫表示,公司目前在加州以4吋廠為主,由於產能不足,需要6吋廠的加入,主要看好未來5G基地台布建的需求以及VCSEL手機臉部辨識市場,除了蘋果iPhone外,包括華為、小米及三星等非蘋陣營未來也將陸續採用,隨市場逐漸擴大,對未來訂單具信心。 \n 環宇-KY同時與晶電和三安合作是否有衝突?黃大倫指出,與晶電的策略合作項目與目前與三安合作的項目並不相同,因此,這回與晶電的策略合作並不會影響與三安集成的合作;而日前三安爆財務疑雲對雙方合作目前暫無立即變動。 \n 晶成半導體去年10月才從晶電分割而出,並由晶電前任總經理周銘俊領軍,今年第一季完成交易之後,等於引進代工大客戶,初步敲定由環宇-KY Consign 6吋晶圓、晶成進行Chip製程,環宇-KY的訂單今年就會挹注晶成營收。 \n 環宇-KY以1股10元價格,取得晶成半導體16.4%股權,以目前晶成股本10億元推算,環宇-KY總計斥資1.64億元,未來將繼續增持股份,雙方預計在今年第一季底前完成相關交易程序,晶電將提供環宇-KY 6吋晶圓代工服務,而環宇-KY及其子公司將提供三五族化合物半導體製程技術支援。 \n 晶成半導體以磊晶與晶粒製程為核心技術為基石,專注VCSEL、GaN on Si電子元件等半導體代工,4吋、6吋磊晶圓產能各約2,000片,其中6吋廠的空間已接近滿載,無塵室最大設備產能可達5,000~6,000片,環宇-KY資金進駐之後,將綁定晶成的產能,而晶成擁資金挹注,也會替環宇-KY擴產。 \n 晶電以及環宇-KY共同公告這項戰略合作協議,頗令市場訝異,不過晶成擁有4吋、6吋產能,而環宇-KY產能主力在2吋與4吋,面對未來5G基礎建設、5G手機帶動龐大的通訊元件需求,提供雙方一拍即合的契機,雙方將在RF、VCSEL代工上合作。

  • 晶電、環宇-KY結盟 攜手攻5G

    三五族半導體產業爆震撼彈,環宇-KY(4991)將入股晶電(2448)旗下100%轉投資公司晶成半導體,並取得16.4%股權,成為僅次於晶電的第二大股東,未來將繼續增持股份,由於5G拉動三五族半導體的需求,雙方進行戰略合作,鞏固產能與技術,成為5G陣營中的新星。 \n \n據了解,環宇-KY以1股10元價格,取得晶成半導體16.4%股權,以目前晶成股本10億元推算,環宇-KY總計斥資1.64億元,未來不排除繼續拉高持股。 \n \n晶成半導體以磊晶與晶粒製程為核心技術為基石,專注VCSEL、GaNonSi電子元件等半導體代工,4吋磊晶月產能約2,000片,主要應用在資料傳輸,6吋月產能約5,000~6,000片,主要是消費3D感測方面。 \n \n晶成半導體去年才從晶電分割而出,並由晶電前任總經理周銘俊領軍,當時,晶電曾表示,晶成半導體未來不排除獨立上市櫃。

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