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  • 8,000億 三星大手筆加碼半導體

    8,000億 三星大手筆加碼半導體

     逆向加碼?韓國三星電子繼日前宣布在韓國平澤二廠(P2)擴建極紫外光(EUV)晶圓代工生產線(10兆韓元)後,1日再宣布,將以8兆韓元在該廠擴大3D NAND記憶體產能,加上市場推估三星可能再加碼DRAM投資15兆韓元,這一波景氣危機,三星合計可能加碼33兆韓元(約新台幣8千億元)大投資。  由於三星的半導體策略一向是在景氣低迷時擴大投資,業界認為,三星近期可能會再宣布在P2廠DRAM產能追加投資計畫。  新冠肺炎疫情及中美貿易戰導致市場不確定性大增,三星一如過往選擇在景氣低迷時大舉投資,以確保在晶圓代工及記憶體市場的競爭力。據外電報導,三星1日宣布將擴建平澤二廠的3D NAND生產線,5月已開始進行無塵室施工,預計2021年下半年進入量產,與同樣位於平澤二廠的晶圓代工EUV生產線一起啟用。  三星雖然沒有公布此次擴建3D NAND產能的投資金額,但業界預估大約投入約8兆韓元(約65億美元),將可增加每月2萬片的12吋晶圓產能,明年下半年會量產三星最先進的100層以上3D NAND產品,預估第一批投產的產品會是第六代V-NAND。  記憶體模組業者指出,美國總統大選年底結束,新冠肺炎疫情明年應會明顯緩和,所以記憶體市場明年將會是多頭年,包括資料中心、筆電及平板、智慧型手機等搭載容量將大幅提高,其中,筆電及智慧型手機搭載512GB及1TB儲存容量將成市場主流。三星現在啟動擴產計畫,明年下半年進入量產,正好可趕上下一波NAND Flash需求爆發時間點。  三星NAND Flash生產線主要分布在韓國華城廠區、平澤廠區、以及中國西安廠區。其中,中國西安廠二期及平澤二廠已積極擴建無塵室及增建生產線,其中西安廠二期將用於投產100層以下3D NAND的第五代V-NAND,平澤二廠則會生產100層以上3D NAND的第六代V-NAND。  三星平澤二廠是綜合型晶圓廠,一層樓規畫建置EUV晶圓代工及3D NAND生產線,另一層樓則追加DRAM生產線。在三星宣布5奈米EUV晶圓代工及3D NAND產能擴建計畫後,業界認為三星應很快會宣布DRAM產能擴建計畫(金額推估將達15兆韓元),同樣在明年下半年量產。

  • 全球晶圓設備支出 找回繁榮

    全球晶圓設備支出 找回繁榮

     SEMI(國際半導體產業協會)10日公布最新全球晶圓廠預測報告(World Fab Forecast),全球晶圓廠設備支出將從2019年的低點反彈,2020年穩健回升後,可望在2021年大幅增長,並創下投資額歷史新高記錄。  不過,因為新冠肺炎影響中國市場支出計畫,SEMI小幅下修今年晶圓廠設備支出預估至578億美元。  SEMI表示,2020將是緩步成長的一年,晶圓廠設備支出規模年增率約3%來到578億美元,主要受到2020上半年仍因2019下半年市場低迷陰影籠罩所影響,預估衰退達18%,但情勢將於今年下半年好轉,市場開始出現復甦跡象。  新冠肺炎的爆發使中國2020年晶圓廠設備支出受到影響,也因此SEMI更新並向下修正去年11月發布的全球晶圓廠預測報告。儘管新冠肺炎影響持續發酵,中國今年的設備支出仍將較去年同期成長5%左右,並超過120億美元規模,2021年年增率將一舉升到22%來到150億美元規模。中國市場投資動力主要來自三星西安廠、SK海力士無錫廠、中芯國際和長江存儲等。  在晶圓代工龍頭台積電和記憶體大廠美光(Micron)投資的帶動下,台灣將成為2020年最大設備支出市場,總金額將接近140億美元,但2021年將下滑5%跌至第三位,支出仍會超過130億美元。  2020年韓國在三星和SK海力士投資助長下,成為第二大晶圓設備支出市場,年成長率達31%達到130億美元,而2021年將以26%大幅增長態勢躍居第一。此外,2020年也是以新加坡為主的東南亞地區強勢成長的一年,年增率達33%約22億美元規栚,2021年預計將持續增長,年成長率將來到26%。  在所有地區中,歐洲與中東地區2020年的設備支出成長最強勁,將增長50%以上來到37億美元,在英特爾、意法、英飛凌投資加持下,2021年也將維持此一增長幅度。  日本目前的晶圓廠設備投資主要由鎧俠(Kioxia)及威騰(WD)、索尼、美光等引領,2020年晶圓廠設備支出幾乎無變化,年成長率僅2%,2021年將小幅躍升近4%。美洲市場則呈現下滑趨勢,2020年支出預計將比2019年縮減,晶圓廠設備投資下跌24%至62億美元,2021年將繼續下探再降4%。

  • 訂單還有美光、鎧俠可撐 記憶體暫不致斷鏈

    訂單還有美光、鎧俠可撐 記憶體暫不致斷鏈

     韓國新冠肺炎疫情擴散,業界擔憂記憶體供應鏈是否受到影響。以目前來說,三星及SK海力士的DRAM或NAND Flash廠區集中在首爾所在的京畿道附近,疫情仍屬控制中,生產及出貨都不會受到影響。  此外,因市場對疫情發展仍有憂慮,ODM/OEM廠及系統廠持續提高庫存,加上陸廠復工率上升亦帶來庫存回補需求,將持續推升價格。  韓國兩大半導體廠三星及SK海力士在全球記憶體市場擁有極高市占率。以DRAM來說,三星去年第四季全球市占率達43.5%居首,SK海力士以市占率29.2%居次,兩者合計市占率高達72.7%,意即全球每4顆DRAM就有3顆來自韓廠。在NAND Flash部分,三星去年第四季市占率達35.5%穩居龍頭,SK海力士以市占達9.6%為第六大廠,兩者合計45.1%,幾乎是每2顆NAND Flash就有1顆由韓國業者生產。  在記憶體市場舉足輕重的三星及SK海力士,DRAM及NAND Flash廠集中在韓國。三星的DRAM及NAND Flash廠集中在位於首爾附近的京畿道的華城及平澤,另在大陸西安設有NAND Flash廠。SK海力士的DRAM及NAND Flash廠據點位於京畿道的利川,另一NAND Flash廠位於緊臨京畿道的忠清北道清州,並在無錫設有DRAM廠。  本次爆發疫情的慶尚北道及大邱市,與上述晶圓廠均有一段距離,因此其記憶體生產及出貨均不受影響。至於三星的西安NAND Flash廠及SK海力士的無錫DRAM廠,也維持正常運作。  業界仍擔憂一旦疫情失控,恐導致出貨不順。不過,由於今年以來DRAM及NAND Flash市場供給吃緊,為避免未來無法取得足夠貨源,ODM/OEM廠及系統廠積極提高庫存,大陸復工率提升也帶來強勁的庫存回補需求,DRAM及NAND Flash價格可能一路漲到下半年。  此外,蘋果iPhone及iPad等產品雖仍大量採用三星及SK海力士的DRAM或NAND Flash,但近年來蘋果已大幅降低對韓國業者依賴程度,DRAM訂單大量流向美光,NAND Flash則向鎧俠、威騰(WD)、美光等擴大採購。即便韓國記憶體出貨不順影響蘋果的生產鏈,也不至於斷鏈。

  • 《熱門族群》漲價股當道,記憶體模組續攻高

    新冠肺炎疫情未對記憶體產業造成影響,預期DRAM、Nand flash價格本季上漲的態勢不變,業者看好今年價格逐季上升可期待,記憶體模組廠被視為今年的漲價概念股,包括威剛(3260)、十銓(4967)、廣穎(4973)、宇瞻(8271)等股今早盤中均全面再創今年農曆年以來股價最高,且全數回補開紅盤首日的大跳空缺口。 記憶體模組廠產品以DRAM模組以及Nand flash模組相關產品為主,報價也隨著記憶體顆粒價格波動。去年第四季Nand flash報價領先反彈,DRAM價格也自今年第一季止跌回升,預期在IoT、雲端以及5G等應用發展下,今年報價上升趨勢可期。 威剛董事長陳立白看好今年記憶體將供不應求,價格將逐季走揚,公司2月起業績也可望隨工作天數增加而逐月上揚。 新冠肺炎疫情未對記憶體產業造成影響,預期DRAM價格本季小漲的態勢不變。NAND Flash本季續漲的預期也不變。 全球市場研究機構TrendForce表示,從供給端來看,目前DRAM及NAND Flash廠商在中國的工廠,如三星西安廠、SK海力士無錫廠、等,生產上都沒有受到影響,從全球的角度來看,記憶體客戶端庫存仍然不足,即使下游客戶現階段面臨缺工/缺料的問題,但仍會維持一定採購力道。因此,第一季DRAM價格依然維持上漲格局。

  • 台積邏輯IC產能 稱冠全球

     根據市調機構IC Insights最新全球晶圓產能報告,全球有53%的晶圓廠產能,掌握在三星、台積電、美光、SK海力士、鎧俠(Kioxia)/威騰(WD)等五大半導體廠手中。而前五大廠中,除了台積電是以邏輯IC為主的晶圓代工廠,其餘都是記憶體廠,所以台積電等於擁有了全球最大的邏輯製程晶圓廠產能。  根據IC Insights統計,2009年時全球有36%的晶圓廠產能掌握在前五大廠手中,而2019年時前五大廠已掌握了全球53%的晶圓廠產能,而且前五大廠每月晶圓投片(wafer starts)產能都超過100萬片8吋約當晶圓。除了三星、台積電等大廠外,其餘大廠包括英特爾、聯電、格芯(GlobalFoundries)、德州儀器等,其中,英特爾每月晶圓投片產能達81.7萬片8吋約當晶圓,聯電每月晶圓投片產能達75.3萬片8吋約當晶圓。  三星擁有全球最多晶圓廠產能,去年底已裝機的每月晶圓投片產能高達293.5萬片8吋約當晶圓,與前年相較僅微幅增加,但在全球晶圓廠產能市占率達15.0%。而三星的產能中,有三分之二是DRAM及NAND Flash等記憶體產能,三星仍持續擴產,在韓國華城(Hwaseong)及平澤(Pyeongtaek)、大陸西安等地都有新的建廠計畫在進行中。  台積電擁有全球第二多的晶圓廠產能,去年底每月晶圓投片產能達250.5萬片8吋約當晶圓,較前年底增加約3%,全球市占率達12.8%。台積電是全球最大晶圓代工廠,因此等於是擁有全球最大邏輯製程產能的半導體大廠,而且產能規模大幅超越英特爾。  台積電去年及今年拉高資本支出擴充7奈米及5奈米先進製程產能,位於中科的Fab 15超大型晶圓廠(GigaFab)持續擴建第9期及第10期工程,主要支援7奈米及6奈米製程。台積電在台南興建的Fab 18已完成第一期及第二期工程,第三期工程正在興建中,該廠今年將開始量產5奈米技術,未來將會再擴建3奈米晶圓生產線。  IC Insights也提及,包括台積電、聯電、格芯、中芯、力積電等五大晶圓代工廠,在全球晶圓廠產能排名分別位於前12大廠之列,若將五大晶圓代工廠產能合計,去年底每月晶圓投片產能約達480萬片8吋約當晶圓,占全球晶圓廠產能比重達24%,而台積電產能在全球晶圓代工廠合計產能占比則超過50%。

  • 《國際產業》三星電子:西安廠晶片生產如常

    三星電子發言人證實,三星在中國西安市的晶片工廠生產如常,即使在中國農曆新年假期期間亦未停工。  雖然新型冠狀病毒疫情肆虐,但消息人士透露,三星電子在西安的晶片廠並未出現生產中斷的情況。 周一南韓股市,三星電子股價跌深反彈,早盤開跌逾2%,終場收漲1.42%。

  • 三星堅守大陸不退 投資西安廠80億美元

    三星堅守大陸不退 投資西安廠80億美元

    韓國三星電子已決定,將向大陸西安工廠投資80億美元,提高NAND記憶體的産能。主要是因應大陸智慧手機華為、小米及鴻海的蘋果組裝等廠的市場擴大,三星決擴大西安工廠產能,應對需求增加。 三星今年下半年關閉位於廣東惠州市的手機生產基地,並將產線移往越南、印度,也宣告三星關閉所有在大陸的生產基地,但雖不再在大陸組裝手機,但手機零組件的投資卻持續擴大。同時由於供應有限以及對第五代設備和網路的需求不斷增長,預計明年手機記憶體市場將反彈。 目前,大陸是NAND記憶體全球最大市場,同時聚集著全球主要的手機、IT廠商。三星(中國)半導體副總裁池賢基說,投資西安能夠進一步提高三星在記憶體製造方面的競爭力,同時更好更快應對大陸市場及本土客戶的需求。在西安工廠附近,還有美國蘋果委託組裝iPhone的鴻海精密的工廠等。 三星是全球最大的NAND記憶體製造商,這些記憶體可以永久保存數據,並且可以在移動設備、記憶卡及USB記憶卡和固態硬碟中都是不可或缺的重要零組件。

  • 題材豐 金像電、台表科帶量攻堅

    題材豐 金像電、台表科帶量攻堅

     由於美中貿易談判以及美國聯準會等不確定因素,台股29日量縮狹幅盤整、指數收10,885.73點;但金像電(2368)、台表科(6278)兩檔電子題材股獲短線買盤強力介入,呈現帶量攻堅行情,都創波段新高價,金像電收盤價13.85元上漲2.59%,台表科收高79.7元勁揚6.69%,使得相關認購權證搶手。  金像電上半年營收86.08億餘元、年減幅12.2%,其中6月營收15.45億餘元,年減幅8.99%,但較4、5月營收各13.46億餘元與13.74億餘元成長逾10%。下半年為營運旺季,在雲端伺服器、資料庫中心及網通等產品訂單增溫,市場看好將有利業績回升轉機表現。  金像電目前台灣、蘇州廠及常熟廠三大廠區,台灣廠主要生產伺服器及網通產品,產能約100萬平方英呎,蘇州廠產能約150萬平方英呎,常熟廠一廠主要生產NB板及低階伺服器、網通為主,產能約130萬平方英呎,二廠主要生產高階NB的HDI及消費性產品,產能約20萬平方英呎。金像電近期股價日K線連三紅,29日爆量3.45萬餘張創波段新高價。  SMT組裝廠台表科第二季營收達95.38億餘元,季增幅12.9%,年增幅更達39.24%,其中6月營收為34.48億餘元,年增幅40.61%;上半年營收179.86億餘元,年增幅39.83%。業績大幅增加主要來自美光擴大釋出DRAM組裝訂單,以及美中貿易戰的轉單因素。  法人看記憶體大廠美光自去年陸續轉移中國西安廠產能到台灣,而台表科今年首季已出貨美光DRAM組裝打線訂單,下半年除持續轉單效應外,還有蘋果新機產品帶動商機,有利於下半年整體業績表現。台表科震盪攻堅,日K線也拉出連三紅,29日擴量到2.12萬餘張,股價超越前高78.4元創波段新高價。

  • 《半導體》力成布局先進封裝,竹科蓋新廠迎新動能

    《半導體》力成布局先進封裝,竹科蓋新廠迎新動能

    記憶體封測廠力成(6239)昨(24)日召開法說會,董事長蔡篤恭表示,力成近年積極布局發展先進封裝,現有技術已足以涵蓋至2025年市場需求,目前已取得竹科5000坪土地,預計本季破土興建新廠,以迎接預期2020年浮現的營運新成長動能。 蔡篤恭表示,力成2010年投入矽穿孔封裝(TSV),使近年營運得以持續成長,並創下12吋產能短期內從3萬片跳增到8~10萬片的新紀錄。而傳統封裝技術發展至高階,均將面臨摩爾定律挑戰,隨著製程進化漸入瓶頸,要靠封裝技術來彌補,需要整合非常多技術。 蔡篤恭表示,包括車用物聯網等新應用需求,均需用到新封裝技術,力成很早看見此項趨勢,2015年決定斥資30億元發展面板級扇出型封裝(FOPLP),全球首條產線已於2016年底建立、試行學習至今,目前已經小量生產。 蔡篤恭認為,面板級扇出型封裝從建置到量產,至少需費時2年,市場需求預估將在2020年浮現,力成現有技術應足以涵蓋至2025年的市場需求。他指出,該產線建置迄今全球僅5家業者進廠看過,預期明年下半年可達中量生產、2020年可大量生產。 蔡篤恭指出,力成已在竹科取得5000坪土地,預期本季將破土興建4層高新廠,全力投入先進製程產線建置,迎接2020年浮現的營運新成長動能。他認為,未來力成的目標客戶將不侷限於半導體,而會延伸擴展至系統廠商。 此外,對於大客戶美光在中國大陸與聯電的侵權訴訟,遭法院發布生產禁制令,蔡篤恭表示,據了解僅止於固態硬碟(SSD)及記憶體模組,西安廠已停產上述產品,對力成影響不大。他指出,美光的晶圓及元件封測未受影響,「否則全球現在應該大亂了」。 力成總經理洪嘉鍮指出,因爾必達過去對力成營收貢獻比重相當高,力成近年積極降低單一客戶比重、希望不超過30%,隨著近年營收顯著成長,美光營收占比已見下降,受影響風險亦相對較低。據了解,美光目前對力成營收貢獻約25%。

  • 《國際產業》西安新晶片廠,三星電子:3月底動工

    三星電子宣布,3月底開始在中國建造一條新的記憶體生產線。 三星電子正加速擴大NAND快閃記憶體晶片產能,以滿足未來的需求。該公司去年8月宣布將在未來3年間投資70億美元擴大在西安市的NAND晶片產能,但未提供具體的投資時程。周四該公司發言人表示,三星將於3月下旬正式啟動這個建廠計畫。 集邦科技表示,因智慧手機和伺服器市場對此類晶片的需求推升了出貨量和平均價格,三星去年第四季NAND晶片營收季增9.8%,達到61.7億美元。 

  • 奇美材 西安新廠動土

     奇美材(4960)攜手杭州錦江集團擴大在大陸偏光片市場版圖,位於西安的新廠已舉行動土典禮,由奇美材董事長何昭陽親自到場主持。第一期預計規劃一條2.5米及一條1.5米生產線,以達最佳生產利用率配置,預計2年完成,搶佔65吋以上的超大尺寸電視面板市場。  昆山奇美材料與杭州錦江集團、西安政府一起攜手合作,27日早上於西安市高新區草堂科技產業基地舉行2.5米超寬幅偏光片動土開工儀式。奇美材本次重要合作供應商夥伴,包括日東電工、可樂麗、日合、富士、Konica、DNP大日本印刷、凸版印刷、東洋紡織等,以及設備供應商、面板客戶等約百人均到場參與。  西安高新區具有戰略及地理優勢,配合大陸一帶一路政策,以西安為輻射中心,就近供應未來中電彩虹咸陽廠、中電成都廠、惠科重慶廠、惠科滁州廠、惠科鄭州廠及京東方武漢廠等客戶。該廠區佔地約220畝,第一期預計規劃一條2.5米及一條1.5米生產線,以達最佳生產利用率配置。  何昭陽指出,建廠及量產規劃預計2年完成,屆時搶佔大尺寸面板市場。此外,該公司計劃在5年內投資3條幅寬2.5米的偏光片產線,屆時年產能將達到1億平方米,透過提升技術、放大產能。  何昭陽說,除了昆山之外,另外兩條生產線都會落腳在華中地區,就近供應京東方武漢廠、合肥廠、以及惠科成都廠。目前已經啟動種子人員計畫,送到昆山廠訓練。台灣也將成立研發中心,針對4K、8K等高解析度產品開發大尺寸複合膜、以及各式高階技術。

  • 《國際產業》南韓政府考慮禁止半導體、面板廠登陸投資

    韓媒報導,南韓政府擔心尖端技術外流導致產業失去競爭力,擬禁止南韓半導體和面板製造公司在中國興建新的工廠。 創造國內就業,以及中國對南韓部署「薩德」系統的報復行動,似乎也納入南韓政府決定時的考量。這項政策將嚴重打亂南韓半導體和面板大廠在中國的布局,三星電子、SK海力士和樂金顯示器等公司都準備在中國興建新的生產工廠。他們擔心不能即時、就近供應產品,可能在中國失去上市先機。 南韓產業通商資源部部長Paik Woon-gyu在周一舉行的產業會議上表示,南韓半導體和面板公司最好重新考慮進入中國市場的策略和布局。三星電子副董事長暨執行長權五炫(Kwon Oh-Hyun)、SK海力士副董事長朴星昱(Park Sung-wook)、樂金顯示器執行長韓相範(Han Sang-beom)皆出席會議。 該部長建議三星電子重新考慮在中國西安建立新廠的計畫,他表示:「如果你們可以在國內如平澤市(Pyeongtaek)等地建廠,為什麼必須去西安?」他並提到樂天因「薩德」事件在中國遭到報復而陷入艱難的處境。據了解,權五炫當下並未給出一個直接明確的答案。 南韓政府在會後宣布該國半導體和面板大廠計畫在2024年以前,於國內共投資51.9兆韓元,提振本國經濟並創造就業。 三星電子去年8月宣布未來3年將在西安投資69.2億美元,興建第二座3D NAND快閃記憶體工廠。此外,三星亦和山西政府簽署投資備忘錄。海力士亦已宣布將在無錫投資興建DRAM晶片廠。

  • 《國際產業》三星3年砸70億美元,擴大NAND陸廠產能

    三星電子周一宣布,預計未來3年投資70億美元,擴大在中國西安廠的NAND記憶體晶片產能。 三星電子在監管文件上表示,公司在周一通過23億美元投資金額,這是70億美元投資計畫的一部分。 三星7月初宣布將在南韓投資186億美元時亦表示,將在中國西安市的NAND晶片廠增加一條生產線,但當時尚未決定投資金額。 三星電子發言人不願評論已通過或規畫中投資案將提高的產量。根據IHS最新調查報告,今年第二季三星電子的全球NAND晶片市場占有率達到38.3%,穩居產業龍頭。

  • 砸下近3千億 美路易西安納州允台塑建石化廠

    石化業龍頭台塑集團,近日再傳一筆新的海外投資案,美國路易西安那州(Louisiana)政府正式批准台塑提出的94億美元(約2,895億台幣)石化廠興建計畫,該投資案預計興建年產量60萬噸的丙烯廠和120萬噸的乙烷裂解設備,這將是台塑在美國繼南卡羅來納州(South Carolina)和德州後,第三地進行的投資案。除了路州的計畫外,台塑擬砸下50億美元(約1,540億台幣)擴建目前在德州的生產線。 據彭博社(Bloomberg)報導,來自台灣的石化業龍頭台塑,傳出在美國東南部沿海的大型投資案獲准通過,預計將砸下約94億美元(約2,895億台幣),於路易西安那州境內新建一座石化工廠,而該項投資將成為台塑進軍美國之後,第三個大型的生產基地。這座新的基地將包含年產量60萬噸的丙烯廠和120萬噸的乙烷裂解設備,據台塑官方的回應,下個階段將計畫擴大丙烯廠的產能,讓年產量亦能達到120萬噸。 隨著台灣和中國大陸兩地的環保意識抬頭,石化產業逐漸成為攻擊的箭靶之一,讓台塑亦有意向其他區域進行移動。1978年進入美國的台塑,陸續在南卡羅來納州興建聚酯纖維廠和在德州成立乙二醇工廠,加上本次計畫,將讓台塑在美國的版圖與產能更上一層樓。同時,台塑官方表示,他們也向德州政府提出計畫,將投入約50億美元(約1,540億台幣)的經費,在2018年前完成生產線擴建的工程,「畢竟,在美國,不僅原物料便宜,更比台灣容易取得環評和排放許可。」

  • 《半導體》力成未來資本支出,每年80~100億元起跳

    記憶體封測廠力成(6239)今日召開法說會,董事長蔡篤恭指出,今年營運逐季成長主要由於多年來對未來發展的所需布局已就緒,因此掌握市場契機。總經理洪嘉鍮表示,今年資本支出較多,未來仍將持續向前走,預期每年平均規模至少會有80~100億元。 蔡篤恭指出,力成去年資出較為保守,主要是為改善與競爭者的成本差距。就設備折舊金額而言,競爭對手約占營收的15~20%,但力成達約25%,因此去年刻意減緩資本支出,以調整體質、達成相同的競爭基礎,今年成效已有顯現,毛利率明顯提升。 在達成相同的競爭基礎後,力成今年再度積極投資,蔡篤恭指出,主要考量這幾年封裝技術將大幅轉變,力成多年來持續布局準備,目前對於未來所需技術已大致就緒,也看到客戶將開始大量釋單,上季營運表現不錯,並不純粹只是DRAM或FLASH市況需求增加帶動。 展望後市,蔡篤恭指出,DRAM在手機或消費性產品的應用日趨多元,幾個FLASH大廠都擴充晶圓產能,帶動市場及堆疊需求增加。力成雖在相關技術上已準備就緒,但目前產能還不足,因此今年積極投資購置廠房及設備,以因應未來市場及市場需求。 晶圓凸塊(Bumping)及覆晶封裝(Flip Chip)產能部分,洪嘉鍮指出,目前晶圓凸塊產能在台灣有6.4萬片、新加坡1萬片,目前兩邊產能均逼近滿載,覆晶封裝目前產能也接近9成。 至於成為今年成長主力動能的西安廠,產能自4月量產至今逐步增加,10月產能已達5000萬顆。洪嘉鍮表示,目前西安廠投資資金已全數到位,且客戶同意擴充產能,希望能盡快達到月產能突破1億顆的目標。 洪嘉鍮指出,西安廠擴充速度快,但當地半導體專業人才資源相對不夠多,人才培訓至少需4~5個月,未來擴產速度將取決於人力備全進度,目前正加緊補足,甚至可能從台灣派員支援。他也透露,今年已從台灣派員94人前往西安廠,協助營運加快步上軌道。 力成今年大舉購置廠房、擴充產能,財務長暨發言人曾炫章指出,今年資本支出約150億元,將近20%用於購置土地廠房及設備。洪嘉鍮表示,公司後續仍將持續向前走,因應未來可能發生的成本提早建置攤提,預期每年平均規模至少80~100億元。

  • 力成增資西安封裝廠 過關

     經濟部投審會24日通過力成科技申請以2500萬美元(約合7.91億新台幣),增資西安封裝廠。投審會官員表示,力成這次增資的主要目的,是為了配合其主要客戶、美國記憶體大廠美光(Micron)在記憶體產品線的布局,進一步擴充產能。  投審會24日召開投資審議委員會議,會中計核准僑外投資、對外投資及對大陸投資案等4件。  對陸投資案件中,又以力成申請匯出2500萬元美元,增資大陸地區力成半導體(西安)有限公司,從事積體電路(IC)封裝測試業務,最為引人關注。  力成2014年拿下美光訂單,雙方合作在西安建封裝廠,於今年3月正式啟用,該廠未來數年將專攻美光的記憶體封裝訂單。投審會官員表示,力成這次增資的目的正是為了配合美光的布局腳步。  同日,投審會也通過和碩聯合科技申請匯出4500萬美元,透過第三地間接增資昆山子公司世碩電子,從事蜂巢式網路、其他無線網路電話及行動電話之產銷業務。

  • 《業績-半導體》力成7月營收年增近2成,歷史第3高

    記憶體封測廠力成(6239)公布2016年7月自結合併營收為41.4億元,月增5.95%、年增19.48%,僅次於2012年6月的42億元及2015年11月的41.55億元,為單月歷史第三高。累計1~7月合併營收260.76億元,年增12.69%,維持強勁成長。 力成上半年營運維持穩健成長,合併營收登219.36億元新高,年增11.5%,毛利率20.5%、營益率14.8%,歸屬業主稅後淨利20.69億元,年增21.8%,基本每股盈餘2.66元,優於去年同期的2.21元。 展望後市,力成總經理洪嘉鍮表示,隨著庫存去化接近尾聲、終端設備容載量提升,DRAM、FLASH及邏輯本季市況均相當正面。在大環境展望正面下,力成第三季DRAM、FLASH及邏輯業務均看旺,營收成長力拚達雙位數,對下半年營運樂觀看待。 洪嘉鍮預期,DRAM業務第三季成長將優於FLASH,其中以繪圖記憶體將成主要動力,行動記憶體成長亦強。標準型記憶體方面,隨著西安廠7月進入量產,加上市場供給短缺,亦將成為營運成長主力,西安廠營收占比未來可望從目前的不及3%,提升至8~10%。 力成為支應未來營運資金需求,董事會日前決議對西安力成增資2500萬美元。力成今年資本支出估達150億元,其中包括超豐的30億元。洪嘉鍮指出,今年投資主要用於凸塊等先進製程,占比約40%,購置廠房占約25%,封裝約25%、測試約10%。

  • 力成增資陸西安廠 金額2500萬美元

    記憶體封測廠力成董事會決議,增加對中國大陸力成半導體(西安)有限公司投資,增資金額2500萬美元。 力成指出,擬增加對力成半導體(西安)有限公司投資,以支應其未來營運資金需求。 力成與美國美光(Micron)在中國大陸西安合作封裝廠房,力成日前表示,西安廠7月已大量生產,目前占公司整體營業額不到3%,預期未來營業額占比可到8%到10%。 力成指出,目前在中國大陸西安和蘇州設廠,主要資本支出金額在西安,已有考量人民幣和美元之間匯率問題,功能性貨幣採用美元,比較不會受人民幣貶值影響。 力成資本支出約新台幣120億元,若加上旗下超豐的30億元,共計約150億元。力成資本支出項目包括高階凸塊等先進製程占比約4成,封裝占比約25%,測試占比約10%,廠房資本支出占比約25%。1050805

  • 西安變電站爆炸 力成:無重大影響

    中國西安變電站18日傳出爆炸意外,封測廠力成表示,西安廠電力一度中斷,不過,當天傍晚產線即恢復正常運作,對財務及業務並未造成重大影響。 力成公告指出,西安南郊變電站18日凌晨發生爆炸,造成鄰近地區斷電;西安廠電力一度中斷,所幸當天傍晚生產線即恢復正常運作。 力成表示,西安電站爆炸事件對財務及業務並未造成重大影響。 據報導指出,三星(Samsung)西安儲存型快閃記憶體(NAND Flash)廠也因跳電造成部分晶圓損壞,不過,損失情況輕微,對供應鏈影響應有限。1050620

  • 西安變電站爆炸波及三星 記憶體族群強

    中國大陸西安變電站傳出爆炸意外,三星西安儲存型快閃記憶體(NAND Flash)廠因跳電造成部分晶圓損壞,儘管影響輕微,不過,仍激勵記憶體模組股價走揚。 西安南郊變電站18日凌晨發生爆炸,造成鄰近地區斷電,封測廠力成西安廠電力一度中斷,不過,當天傍晚生產線即恢復正常運作,對財務及業務並未造成重大影響。 據報導,三星(Samsung)西安NAND Flash廠也因跳電造成部分晶圓損壞,不過,損失情況輕微,對供應鏈影響應有限。 各界先前即普遍預期,在蘋果(Apple)積極備貨,加上新iPhone儲存容量提高下,第3季NAND Flash市場將供不應求,如今三星西安廠又因變電站爆炸,部分晶圓受損,市場預期,市場供給不排除可能進一步吃緊。 包括威剛等記憶體模組廠今天在市場買盤積極湧入帶動下,股價連袂走揚;其中,威剛盤中一度達新台幣39.25元,漲3.5元,漲幅達9.79%。 廣穎盤中更一度強攻漲停,達25.45元,漲2.3元,漲幅達9.93%。1050620

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