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大陸DRAM大廠長鑫存儲近日在第16屆IEEE國際專用積體電路會議(ASICON 2025)上宣布,推出LPDDR5X系列產品,部分產品已進入量產階段。此舉象徵長鑫存儲切入高階記憶體市場,將與三星、SK海力士等韓國大廠展開競爭。
知情人士透露,長江存儲科技有限責任公司考慮在中國境內首次公開募股(IPO),估值可能超過400億美元,上市規模或為近年來中國科技業最大。
DRAM雙雄南亞科(2408)、華邦電(2344)股價持續往百元、45元邁進,華邦電再度改寫25年高價,南亞科更飆上110元之歷史新高價,市場認為股價甚至已經反映到明年記憶體榮景,擔心股價過熱風險,記憶體超級循環勢來臨、AI泡沫、記憶體產品續漲動能、中國競業干擾、擴廠計畫等都是這波熱潮所關心。AI發燙,使得DDR4供應受到排擠有所缺口,牽動公司營運轉為強勁,市場也洞悉明年狀況,但供需勢必在某個時間點達到滿足,同時也將關注232條款、美國的利率走勢、非AI市況等。
消息人士透露,美國記憶體大廠美光(Micron)計劃停止向中國資料中心供應伺服器晶片。中國是全球第二大伺服器記憶體市場,中國禁止使用美光產品,意味該公司將錯過中國資料中心的擴張商機。而美光的退出,將讓三星電子、SK海力士,以及中國政府支持的本土廠商長江存儲與長鑫存儲等競爭對手受益。
路透社引述知情人士報導,美光(Micron Technology Inc)擬退出在中國的伺服器晶片業務,因為該業務仍無法擺脫2023年中國政府下令國內關鍵基礎設施禁用美光產品的封殺令。
三大原廠DRAM新產能集中高頻寬記憶體(HBM)及先進製程產品,傳統DDR4供應進一步下滑,台廠南亞科與華邦電成為全球DDR4市場的關鍵穩定力量。
南亞科(2408)法說會後股價上沖下洗,振幅逼近15%,伴隨成交量劇烈放大,人氣旺盛可見一斑。繼摩根士丹利證券半導體產業分析師詹家鴻拉升股價預期至110元後,大和資本、麥格理、凱基與金控旗下投顧等全面拉升股價預期,幅度動輒翻倍,目標價最高來到120元以上,潛在漲幅約4成。
記憶體在AI助力之下,迎三年最強復甦,美光、SanDisk、三星陸續調漲DRAM與NAND報價,南亞科、華邦電、威剛、群聯積極搶攻商機。
南韓科技業面臨人才流失與洩密危機,法院起訴3位三星前員工,包括一名高階主管,涉嫌洩漏機密幫助大陸完成18 奈米DRAM記憶體的開發,未來恐面臨刑責與鉅額求償。同一時間,超過300名南韓研究人員在華為工作,規模之大讓業界相當震驚,韓媒示警理工科人才外流的問題超乎想像。
摩根士丹利證券指出,AI正推動記憶體產業進入前所未有的超級循環(Unprecedented Supercycle),持續帶動DRAM、NAND,甚至NOR Flash需求急速成長,成為產業長線動能的主要驅動力,將群聯、南亞科股價預期雙雙調升至全市場最高的1,000元與110元。
摩根士丹利證券指出,AI正推動記憶體產業進入前所未有的超級循環(Unprecedented Supercycle),持續帶動DRAM、NAND,甚至NOR Flash需求急速成長,成為產業長線動能的主要驅動力,將群聯(8299)、南亞科(2408)股價預期雙雙調升至全市場最高的1,000元與110元。
路透旗下IFR引述知情人士報導,中國監管機構要求國內領先的晶片製造商在境內上市,以加強管控對購買這些戰略重要企業股權的投資者類型。此舉是中國在與美國的晶片戰中提升半導體產業實力的一環。
自美國2024年底擴大出口管制,限制中國取得高頻寬記憶體(HBM)後,中企急於提升先進晶片製造能力。外媒25日報導,中國NAND Flash大廠長江存儲正計畫跨足DRAM晶片製造領域,其中包括用於打造AI晶片組的HBM。
產業研究機構Counterpoint Research最新數據顯示,今年第二季三星電子在全球高頻寬記憶體(HBM)市場的市占率下滑至第三,由美光拿下第二,但分析師仍舊看好韓國業者繼續主導HBM市場。
全球記憶體市場在生成式AI與大型雲端服務商(CSP)急單帶動下,正式進入新一輪長線上行。隨著業界開始惜售,業者預期,10月DDR4與DDR5合約價及現貨價,皆將出現雙位數漲幅。
台股周四逼近25664.81之盤中歷史高點,但隨後漲幅略微收斂,但記憶體利多可望延續今年第四季,甚至明年上半年,美系外資調升旺宏、南亞科投資評等至增持(Upgrade to Overwt),華邦電維持增持但將目標價從30元調升至38元,使得記憶體族群周四漲勢整齊,其中華邦電(2344)、旺宏(2337)衝上漲停,晶豪科(3006)觸及漲停價,南亞科(2408)、商丞(8277)等亦漲逾半根漲停,表現強勁。
下半年電子業傳統旺季來臨,記憶體市場再次掀起漲價風潮,繼第三季報價走揚後,第四季仍可望季增20%~50%漲幅。台韓記憶體製造大廠紛紛控產,使得市場供給更加吃緊。
大陸加速發展本土AI晶片,除了受到中芯國際等晶圓代工廠產能限制外,缺乏高頻寬記憶體(HBM)技術成為一大考驗。半導體研究機構《SemiAnalysis》最新報告指出,雖然大陸企業近年大舉囤貨,但到今年底進口的HBM庫存將逐步「耗盡」,導致華為等廠商明年可能無法生產百萬片以上的AI晶片。
大陸加緊發展AI領域,並持續推進陸產高頻寬記憶體(HBM)。韓媒報導,大陸NAND Flash大廠長江存儲不僅投入研發DRAM,更尋求和本土DRAM巨頭長鑫存儲合作,共同突破HBM技術難關。其中,長江存儲計畫最快在2025年底投資DRAM研發設備。
大陸加緊發展AI領域,並持續推進國產化HBM記憶體。最新消息傳出,長江存儲正積極準備進入DRAM記憶體領域,並尋求與長鑫存儲合作,共同攻克HBM記憶體技術難關。