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以下是含有eflash製程的搜尋結果,共04

  • M31開發新IP 卡位5G、車用商機

     製程及高速傳輸矽智財(IP)供應商M31(6643)宣布將在台積電28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術開發SRAM Compiler IP(靜態隨機存取記憶體編譯器矽智財),卡位當紅的5G新空中介面(5G NR)、車用電子、電源管理等晶片市場。 \n 受惠於人工智慧(AI)、車用電子、5G等先進製程晶片需求暢旺,M31持續擴大相關IP市占率,3月合併營收月增49.4%達6,881萬元,較去年同期大幅成長59.7%,第一季合併營收年增27.3%達1.70億元,表現優於預期。M31已有超過200組基礎元件IP授權予14家晶圓代工廠,高速傳輸功能性IP已有超過120組IP授權予5家晶圓代工廠,隨著先進製程持續推進,M31今、明兩年仍將維持強勁成長動能。 \n M31以台積電28奈米eFlash製程技術開發的SRAM Compiler IP功能齊全,支援多種節能模式,可依據不同操作狀態,切換到當下最佳省電模式,來延長行動元件電池的使用時間,可以完全整合在eFlash製程平台上,預計今年第三季提供知名國際大廠採用。法人認為,M31可望順利打進高通、華為海思、聯發科等供應鏈。

  • 《半導體》聯電率先採用0.11微米eFlash製程,量產觸控IC

    聯電(2303)宣布,採用晶圓專工業界第一個0.11微米eFlash製程,量產觸控IC,可因應次世代觸控控制器及物聯網應用產品的需求。 \n 聯電表示,此特殊技術最初於2012年底推出,是為晶圓專工業界第一個結合12V與純鋁後段(BEoL)製程。在整合更高密度嵌入式快閃記憶體與SRAM,以便用於各尺寸觸控螢幕產品的微控制器時,0.11微米製程可提供比0.18微米製程更小更快的邏輯元件,並可達到更高效能。 \n \n 聯電市場行銷處資深處長黃克勤表示,觸控面板已是今日電子產品主流的操作介面。聯電觸控平台解決方案其中一項重要特點,就是其0.11微米eFlash解決方案,包含了可提供晶片設計公司的專有快閃記憶體macro設計服務。並藉由結合鋁後段製程來提供最佳成本效益,服務高度競爭的觸控IC市場。此外,就如公司0.18微米eFlash製程一樣,12V可滿足今日更大尺寸觸控螢幕,與瀏覽網頁時在觸控螢幕上懸浮觸控(hover)應用的高信噪比需求。 \n \n

  • 聯電攜手智原 發表55奈米eFlash

     晶圓代工廠聯電(2303)及轉投資IC設計服務廠智原(3035)昨(12)日共同發表,基於聯電55奈米低功耗嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程的基礎矽智財元件庫、記憶體編譯器、及關鍵介面等完整矽智財(IP)。這套完整的55奈米eFlash解決方案,可同時滿足市場對低功耗與高密度的設計需求,尤其適用於各種物聯網與穿戴裝置應用。 \n 對於需要長時間待機的電子裝置,為了延長電池續航力,低功耗的設計是首要門檻。為了滿足這樣的需求,智原透過低漏電記憶體周邊的優化設計,將記憶體編譯器的功耗大幅降低,甚至在待機模式時,降低幅度達70%以上。功能強大的I/O元件庫在數位與類比介面都有提供,並有一套與5.0伏特介面相容的高壓I/O元件庫可供選擇。 \n 這些I/O元件庫都是採用聯電高臨界電壓(HVT)的核心元件所設計完成,以達到降低漏電的功能。除了基礎IP之外,智原也開發完成了一些關鍵介面IP,包含採HVT設計的低功耗USB 2.0 OTG PHY,在閒置狀態下,相較於傳統方法所設計出的OTG PHY,大幅降低了65%的功耗。 \n 智原科技發言人顏昌盛表示,針對低功耗的應用產品,智原從0.18微米、0.11微米、到現在的55奈米eFlash製程,與聯電始終保持非常密切的合作關係,以建構強大的解決方案平台,提供客戶採用。 \n 智原奠基於長期以來所累積的IP開發實力以及對聯電製程的熟悉度,所以這次得以推出大幅降低功耗的矽智財。而隨著這項重大里程碑的達成,以及智原與聯電的持續合作,相信雙方的客戶都將能在最短的時間內,攫取物聯網市場的新興商機。 \n 聯電矽智財研發暨設計支援資深處長林世欽表示,聯電持續致力於擴大在IP資料庫上的建構,以帶給物聯網晶片設計人員更滿意的低功耗效益。聯電的55奈米低功耗SST eFlash技術是一個已經被廣泛採用、有強大IP與設計資源投入、可供量產的製程。智原加入聯電55奈米製程平台的解決方案,協助客戶進一步擴展功耗導向的應用市場商機。

  • 智原攜手聯電 發表55奈米eFlash製程解決方案

    聯電(2303)與ASIC設計服務領導廠商智原(3035)今共同發表,在聯電55奈米低功耗嵌入式快閃記憶體(embedded flash, eFlash)製程的基礎矽智財元件庫(cell library)、記憶體編譯器(memory compiler),以及關鍵介面IP等。這套完整的55奈米eFlash解決方案可同時滿足市場對低功耗與高密度的設計需求,尤其適用於各種物聯網(IoT, Internet of Things)與穿戴裝置(wearable devices)等應用。 \n \n對於需要長時間待機的電子裝置,為了延長電池續航力,低功耗的設計是首要門檻。為了滿足這樣的需求,智原透過低漏電記憶體周邊的優化設計,將記憶體編譯器的功耗大幅降低,甚至在待機模式(stand-by mode)時,降低幅度達70%以上。功能強大的I/O元件庫在數位與類比介面都有提供,並有一套與5.0伏特介面相容的高壓I/O元件庫可供選擇。這些IO元件庫都是採用聯電高臨界電壓HVT(high threshold voltage)的核心元件所設計完成, 以達到降低漏電的功能。除了基礎IP之外,智原也開發完成了一些關鍵介面IP,包含採HVT設計的低功耗USB 2.0 OTG PHY,在閒置狀態(idle mode)下,相較於傳統方法所設計出的OTG PHY,大幅降低了65%的功耗。 \n \n智原科技市場處處長暨發言人顏昌盛說:「針對低功耗的應用產品,智原從0.18微米、0.11微米、到現在的55奈米eFlash製程,與聯電始終保持非常密切的合作關係,以建構強大的解決方案平台,提供客戶採用。智原奠基於長期以來所累積的IP開發實力以及對聯電製程的熟悉度,所以這次得以推出大幅降低功耗的矽智財。而隨著這項重大里程碑的達成,以及智原與聯電的持續合作,相信雙方的客戶都將能在最短的時間內,攫取物聯網市場的新興商機。」 \n \n聯電矽智財研發暨設計支援資深處長林世欽表示:「聯華電子持續致力於擴大我們在IP資料庫上的建構,以帶給物聯網晶片設計人員更滿意的低功耗效益。我們的55奈米低功耗SST eFlash技術是一個已經被廣泛採用、有強大IP與設計資源投入、可供量產的製程。很高興能有智原加入聯電55奈米製程平台的解決方案,協助客戶進一步擴展功耗導向的應用市場商機。聯華電子期待能和智原有更進一步的合作,以滿足未來需求。」

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