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以下是含有finfet的搜尋結果,共38

  • 力旺NeoFuse矽智財 獲台積10奈米FinFET製程驗證成功

     邏輯非揮發性記憶體矽智財(Logic NVM)力旺電子(3529)宣布,其具安全特徵的NeoFuse矽智財(IP)已成功在台積電10奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程完成驗證,採用矽智財所需的相關套件亦已可供客戶產品導入。 \n 力旺公告第三季合併營收季增10.5%達3.09億元,較去年同期成長22.9%,歸屬母公司稅後淨利季增22.6%達1.30億元,單季每股淨利1.72元。 \n 力旺第三季與4家客戶共6項矽智財簽訂授權,共有111個製程平台正在進行開發,力旺先進製程包括40/28奈米製程上已有9項矽智財獲得認證通過,在先進的14/16奈米部分,已有1項矽智財獲認證通過。而隨台積電10奈米在第四季進入量產,力旺也跟上腳步,首項10奈米FinFET製程矽智財已成功獲驗證通過。 \n NeoFuse矽智財在台積電精簡型16奈米(16FFC)製程與10奈米FinFET製程的驗證,將分別於2017年初與下半年完成。力旺對明年展望樂觀,包括55奈米TDDI(整合觸控功能面板驅動IC)及OLED面板驅動IC均會在明年量產。法人看好力旺今年每股淨利挑戰7元,明年營收可望較今年成長逾3成,獲利有機會挑戰賺進一個股本。

  • 《半導體》力旺NeoFuse矽智財,台積10奈米FinFET製程驗證成功

    IP服務業者力旺(3529)今日宣布,其具安全特徵的NeoFuse矽智財已成功在台積電(2330)10奈米鰭式電晶體(FinFET)製程完成驗證,採用矽智財所需的相關套件也已經可供客戶產品導入。 \n 力旺指出,在先進製程中,高階晶片對安全性的考量使得Logic NVM矽智財具備不被攻擊的特性更為重要,為了達到此目的,力旺電子於台積公司10奈米FinFET製程驗證的NeoFuse矽智財具備多種安全防護的特性以防止被故障植入(Fault Injection)、資料竄改(Data Tampering)、邊信道攻擊(Side Channel Attack)等方式攻擊。 \n \n 力旺表示,NeoFuse矽智財在16奈米精簡型FinFET(16nm FinFET Compact,16FFC)製程與10奈米FinFET製程的驗證將分別於2017年初與下半年完成。 \n \n

  • ARM首款台積10奈米FinFET多核測試晶片 問世

    ARM今(18)日宣布首款採用台積公司 10奈米FinFET製程技術的多核心 64位元 ARM v8-A 處理器測試晶片問世。模擬基準測試結果顯示,相較於目前多用於多款頂尖高階手機運算晶片的16奈米FinFET+ 製程技術,此測試晶片展現更佳運算能力與功耗表現。 \n \n此款測試晶片已成功獲得驗證(2015 年第 4 季已完成設計定案),為 ARM 與台積公司持續成功合作的重要里程碑。此一驗證完備的設計方案包含了EDA工具、設計流程及方法,能夠使新客戶採用台積公司最先進的10奈米 FinFET 製程完成設計定案。此外,亦可供 SoC 設計人員利用基礎 IP (標準元件庫、嵌入式記憶體及標準 I/O) 開發最具競爭力的 SoC,以達到最高效能、最低功耗及最小面積的目標。 \n \nARM 執行副總裁暨產品事業群總經理 Pete Hutton 表示:「高階行動應用 SoC 設計的最高指導原則就是低功耗,因為現今市場對裝置效能的需求日益高漲」。Pete Hutton進一步指出,「台積公司的 16奈米FFLL+ 製程與 ARM Cortex 處理器已奠定低功耗的新標準。我們與台積公司在10奈米FinFET製程技術的合作,可確保 在SoC層面上的效率,使客戶在維持嚴苛的行動功耗標準下,同時能夠有餘裕發展更多的創新。」

  • 《科技》ARM首款採台積電10奈米FinFET多核心測試晶片問世

    全球IP矽智財授權領導廠商ARM今(18)宣布,首款採用台積電(2330)10奈米FinFET製程技術的多核心64位元ARMv8-A處理器測試晶片問世。ARM表示,此款測試晶片在2015年第四季完成設計定案,並已經成功獲得驗證,是兩方持續成功合作的重要里程碑。 \n ARM表示,此一驗證完備的設計方案包含了EDA工具、設計流程及方法,能夠使新客戶採用台積公司最先進的10奈米FinFET製程完成設計定案。 \n 此外,亦可供SoC設計人員利用基礎IP(標準元件庫、嵌入式記憶體及標準I/O)開發最具競爭力的SoC,以達到最高效能、最低功耗及最小面積的目標。 \n \n ARM執行副總裁暨產品事業群總經理Pete Hutton表示,高階行動應用SoC設計的最高指導原則就是低功耗,因為現今市場對裝置效能的需求日益高漲。 \n Pete Hutton進一步指出,台積公司的16奈米FFLL+製程與ARM Cortex處理器已奠定低功耗的新標準,此外,這次與台積公司在10奈米FinFET製程技術的合作,可確保在SoC層面上的效率。 \n 台積公司研究發展副總經理侯永清博士表示,這次聯手定義處理器技術,持續促進行動通訊市場的發展,最新的努力成果就是結合ARM處理器與台積公司10奈米FinFET技術,為各種高階行動裝置及消費性電子產品的終端使用者帶來嶄新體驗。 \n 此款最新的測試晶片是ARM與台積公司長期致力於先進製程技術的成果,植基於2014年10月宣布的首次10奈米FinFET技術合作。 \n ARM與台積公司共同的IC設計客戶亦獲益於提早取得ARM Cortex-A72處理器的ARM Artisan實體IP與16奈米 FinFET+設計定案,此款高效能處理器已獲當今多款暢銷高階運算裝置採用。 \n \n

  • 《半導體》台積電、ARM聯手7奈米FinFET製程技術

    全球IP矽智財授權領導廠商ARM與台積電(2330)今(15)日共同宣布一項為期多年的協議,針對7奈米FinFET製程技術進行合作,包括支援未來低功耗、高效能運算系統單晶片(SoC)的設計解決方案。 \n 這項新協議將擴大雙方長期的合作夥伴關係,推動先進製程技術向前邁進,超越行動產品的應用並進入下一世代網路與資料中心的領域。另外,這項協議延續先前採用ARM Artisan基礎實體IP之16奈米與10奈米FinFET的合作。 \n \n ARM執行副總裁暨產品事業群總經理Pete Hutton表示,既有以ARM為基礎的平台已展現提升高達10倍運算密度的能力,支援特定資料中心的工作負載,未來ARM特別為資料中心與網路架構量身設計,並針對台積公司7奈米FinFET進行優化的技術,將協助雙方客戶在各種不同效能產品上皆能使用業界最低功耗的架構。 \n 台積公司研究發展副總經理侯永清表示,台積公司持續投入先進製程技術的研發以支援客戶事業的成功,藉由7奈米FinFET製程,公司的製程與設計生態環境解決方案已經從行動擴大到高效能運算的應用。客戶設計的下一世代高效能運算系統單晶片將受惠於台積公司領先業界的7奈米FinFET製程。相較於10奈米FinFET製程,7奈米FinFET製程將在相同功耗下提供更多的效能優勢,或在相同效能下提供更低的功耗。 \n \n

  • ARM 、台積電宣佈合作7奈米FinFET製程技術

    ARM 與台積電今(15)日共同宣佈一項為期多年的協議,針對 7奈米 FinFET 製程技術進行合作,包括支援未來低功耗、高效能運算系統單晶片( SoC )的設計解決方案。這項新協議將擴大雙方長期的合作夥伴關係,推動先進製程技術向前邁進,超越行動產品的應用並進入下一世代網路與資料中心的領域。另外,這項協議延續先前採用ARM Artisan 基礎實體IP之 16奈米 與 10奈米 FinFET 的合作。 \n \nARM 執行副總裁暨產品事業群總經理 Pete Hutton 表示:「既有以ARM為基礎的平台已展現提升高達10倍運算密度的能力,支援特定資料中心的工作負載,未來ARM特別為資料中心與網路架構量身設計,並針對台積公司 7奈米 FinFET 進行優化的技術,將協助雙方客戶在各種不同效能產品上皆能使用業界最低功耗的架構。」 \n \n此項最新協議奠基於 ARM 與台積公司先前在16奈米 FinFET 與 10奈米 FinFET 製程技術成功的合作基礎之上。台積公司與 ARM 長期保持合作,共同創新,提供先進的製程與矽智財來協助客戶加速產品開發週期。近期成果包括客戶及早使用Artisan實體IP及採用 16奈米 FinFET 與 10奈米 FinFET 製程完成的 ARM Cortex-A72 處理器設計定案。

  • 《科技》賽靈思高階FinFET FPGA出貨,採台積電16奈米製程

    美商賽靈思(Xilinx,Inc.;NASDAQ:XLNX)宣布已將Virtex UltraScale+TM FPGA供貨給首家客戶,此產品為業界首款採用台積電(2330)16FF+製程的高階FinFET FPGA。 \n 台積電日前的法說會即表示,今年主要客戶會加速由20奈米轉進到16奈米。到去年底止,台積電(2330)16奈米製程市占率為50%,預估今年市占將擴增至70%,擴大領先地位。 \n 賽靈思積極接觸超過百餘家使用UltraScale+系列產品與設計工具的客戶,並將元件或主機板出貨給其中六十多家客戶。Virtex UltraScale+元件連同Zynq UltraScale+ MPSoC與Kintex UltraScale+ FPGA,展現出賽靈思16奈米三大系列產品均已上市。 \n \n Virtex UltraScale+元件建立在業界唯一20奈米高階FPGA Virtex UltraScale產品系列成功的基礎上;其運用32G收發器、PCIe第四代整合式核心及UltraRAM晶片內建記憶體等業界領先技術讓全新元件具備絕佳的效能,為下個世代的資料中心、400G與Terabit有線通訊、測試與量測,以及航太與國防市場提供所需的效能和整合。 \n \n

  • 《半導體》力旺領先推出16奈米強效版FinFET OTP矽智財

    力旺電子(3529)宣布,單次可程式 (One-Time Programmable, OTP) NeoFuse技術再往前邁進16奈米強效版FinFET(16nm FinFET+)先進製程,完成高容量(256k bits)與低單電壓( \n 力旺電子NeoFuse技術可確實做到「一次」將資料成功寫入,不同於目前一般業界之單次可程式技術,需要多次的寫入動作才能完成,不僅加重客戶產品測試的成本與複雜度,亦衍生周邊線路之可靠度問題。 \n \n 此外,力旺電子NeoFuse技術可經由特殊元件與線路設計達到超低電壓和單電壓讀取的特性,超低電壓可使系統於啟動的最初階段即開始動作以提供韌體與晶片之間的身份辨識,特別適用於安全性設計,尤其是強調資料安全防護如行動支付與物聯網之相關應用。 \n 力旺電子在16奈米強效版FinFET製程上併進完成高容量與低單電壓矽智財之開發驗證,並將於美國時間2015年9月17日在Santa Clara之TSMC 2015 Open Innovation Platform (OIP) Ecosystem Forum首次發表,也代表力旺電子緊追摩爾定律,邏輯製程非揮發性記憶體技術領先的里程碑。 \n \n

  • 《半導體》聯電與新思科技擴展14奈米FinFET夥伴關係

    聯電(2303)與新思科技擴展14奈米FinFET夥伴關係。聯電與新思科技開發第二個聯電14奈米製程PQV測試,以及加速DesignnWare矽智財納入聯電14奈米FinFET製程的決心。 \n \n 聯華電子與新思科技今(22)日共同宣布,雙方拓展合作關係,於聯電14奈米第二個PQV測試晶片上納入新思科技DesignWare嵌入式記憶體IP與DesignWare STAR記憶體系統測試與修復解決方案。此PQV提供了更多矽資料,可讓聯電進一步微調其14奈米FinFET製程,以實現最佳化的功耗,效能與位面積表現。雙方已成功設計定案了第一個聯華電子14奈米FinFET製程PQV,包含了新思科技DesignWare邏輯庫與StarRC寄生電路抽取工具(parasitic extraction tool),而此次PQV則繼續拓展夥伴關係。 \n 聯電矽智財研發暨設計支援副總王國雍表示,除了研發業界具競爭力的14奈米製程,以滿足當今最尖端晶片應用產品的需求外,聯電現正致力於建構相當完整的全方位支援架構,藉此加速14奈米客戶design-in的速度。繼聯電與新思科技於14奈米製程上成功驗證PQV後,很高興在公司最先進的製程上與新思科技優質的DesignWare矽智財繼續拓展合作。 \n \n

  • 《半導體》效能勝三星!台積電16奈米FinFET Plus下半年放量

    台積電(2330)今召開年度技術論壇,台積電共同執行長暨總經理魏哲家指出,16奈米FinFET Plus製程已開始生產、下半年放量,效能較三星好10%;此外,明年下半年將推出更低功耗的16奈米FFC製程以趁勝追擊。 \n 魏哲家指出,今年資本支出將較去年增加10%至16%,達105億至110億美元,研發投資將達22億美元,較去年增加19%。 \n 台積電亞洲業務資深處長蔡志群透露,台積電10奈米製程將於明年第四季量產。 \n \n

  • 16奈米FinFET強效版製程試產 台積電創里程碑

    台積電今宣佈,16奈米FinFET強效版製程(16FF+)已進入試產階段。相較於台積電的平面式20奈米系統單晶片(20SoC)製程,16FF+速度增快40%,在相同速度下功耗降低50%,能夠協助客戶達到最佳效能與功耗的新境界,以支援下一世代高階行動運算、網通及消費性產品的應用。 \n \n台積電的16奈米製程針對先進系統單晶片設計進一步微縮,晶片之驗證成果表現相當優異,在ARM Cortex®-A57 「大核」處理器效能達到2.3GHz,支援高速應用產品,而支援低耗電應用的Cortex-A53「小核」處理器之功耗僅75毫瓦。16奈米製程在良率學習上也展現了卓越的進步,相較於台積電過去所有的製程技術,16奈米製程在相同的技術開發完成階段已達到最佳的成熟度。 \n \n台積電總經理暨共同執行長劉德音博士表示:「我們在20SoC製程上成功量產的經驗與成果為16FF及16FF+製程開闢了一條坦途,讓我們能夠迅速地提供客戶極具競爭力的技術,創造產品的最大價值。我們相信此項嶄新的先進製程能夠協助客戶在效能與成本之間取得最佳的平衡優勢,更加滿足客戶在設計上的需求,以達到產品迅速上市的目標。」 \n \n台積電完備的16FF+設計生態環境支援已通過矽晶驗證的各式電子設計自動化工具、數百項製程設計套件、以及超過100件的矽智財。台積電在半導體產業最大的設計生態環境之支援下,已開始密集地與客戶進行設計合作,為未來的產品設計定案、試產活動與初期送樣打下良好基礎。

  • 安謀攜手台積電 挺進10奈米FinFET製程

    安謀攜手台積電 挺進10奈米FinFET製程

    全球矽智財(IP)授權龍頭廠安謀(ARM)於美國矽谷召開年度科技論壇(ARM TechCon2014),3日的主講人安謀執行長Simon Segars在台上表示,正領先全球,與台積電(TSMC)雙方合作,將以台積電10奈米FinFET製程技術提供ARMv8-A處理器IP的最佳解決方案。 \n \nSimon Segars表示,基於ARM與台積電從20奈米系統單晶片(SoC)技術至16奈米FinFET技術在製程微縮上的成功合作經驗,雙方決定在10奈米FinFET製程上再度攜手合作。此項先期研究工作將為實體設計IP與設計法則累積寶貴經驗,最快自2015年第四季起,即能支援客戶採用10奈米FinFET技術完成64位元ARM架構處理器的設計定案。

  • ARM與台積電攜手合作10奈米FinFET製程

    ARM與台積電今(2)日共同宣布一項為期多年的合作協議,雙方將針對台積公司10奈米FinFET製程技術提供ARMv8-A處理器IP的最佳解決方案。基於ARM與台積公司從20奈米系統單晶片(SoC)技術至16奈米FinFET技術在製程微縮上的成功合作經驗,雙方決定在10奈米FinFET製程上再度攜手合作。此項先期研究工作將為實體設計IP與設計法則累積寶貴經驗,最快自2015年第四季起,即能支援客戶採用10奈米FinFET技術完成64位元ARM架構處理器的設計定案。 \n \n台積公司與ARM長期保持合作,共同創新,提供先進的製程與IP來協助客戶加速產品開發週期。近期成果包括客戶及早使用ARM Artisan實體IP及採用16奈米FinFET製程完成的ARM CortexR-A53與Cortex-A57處理器設計定案。

  • 台積16奈米FinFET Q4量產

    台積16奈米FinFET Q4量產

     晶圓代工龍頭台積電(2330)全力衝刺16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程,昨(25)日宣布與海思半導體(HiSilicon)合作,成功率先產出業界首顆以FinFET製程及ARM架構為基礎且功能完備的網通處理器。業者分析,台積電16奈米FinFET製程投產成功,可望提前一季度時間,在今年第4季進入量產階段。 \n 同時根據設備業者消息,台積電16奈米FinFET Plus製程也進入試投片(try run)先前作業階段,可望提前至第4季試產,主要客戶除了繪圖晶片廠輝達(NVIDIA)、可程式邏輯閘極列(FPGA)廠賽靈思(Xilinx)、手機晶片廠高通外,眾所矚目的蘋果新款應用處理器也將試投片清單中。 \n 台積電昨日宣布與海思半導體合作,成功產出業界首顆以FinFET製程及ARM架構為基礎之功能完備的網通處理器,該晶片是以ARMv8架構為基礎的32核心ARM Cortex-A57網通處理器,運算速度可達2.6GHz。台積電的16奈米FinFET製程能夠顯著改善速度與功率,並且降低漏電流,有效克服先進系統單晶片技術微縮時所產生的關鍵障礙。 \n 相較於台積電的28奈米高效能行動運算(28HPM)製程,16奈米FinFET製程的晶片閘密度增加兩倍,在相同功耗下速度增快逾40%,或在相同速度下功耗降低逾60%。 \n 台積電的16奈米FinFET製程早於去年11月即完成所有可靠性驗證,良率表現優異,如今進入試產階段,為台積電與客戶的產品設計定案、試產活動與初期送樣打下良好基礎。 \n 藉由台積電的16奈米FinFET製程,海思得以生產具顯著效能與功耗優勢的全新處理器,以支援高階網通應用產品。

  • 閎康 年底前搶進FinFET檢測市場

    閎康 年底前搶進FinFET檢測市場

     半導體檢測分析廠閎康(3587)受惠於台積電(2330)20奈米新產能大量開出,不僅8月營收達9,149萬元,續創歷史新高紀錄,第3季營收也將續創新高。閎康以聚焦離子束(FIB)搭配掃描式電子顯微鏡(SEM),已可有效檢測有機聚合物材料的奈米結構與組成,可望在年底前搶進14/16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程檢測市場,進一步推升明年營收及獲利續創新高。 \n 台積電下半年加快進入20奈米世代並擴大量產規模,聯電28奈米新產能也完成建置並開始量產,晶圓雙雄對於檢測分析需求轉強,閎康受惠於材料及可靠性檢測分析訂單穩定成長,公告8月營收9,149萬元,月增1.2%並連續2個月創下歷史新高紀錄,較去年同期亦成長12.8%。 \n 閎康第2季營收2.67億元,創下歷史新高,稅後淨利0.48億元,每股淨利1.03元;累計上半年營收5.11億元,稅後淨利0.94億元,每股淨利2.06元。 \n 下半年是蘋果iPhone 6及iPad Air 2的上市銷售旺季,閎康因為與上游晶圓代工廠合作,在28/20奈米製程的高介電金屬閘極(HKMG)材料檢測代工市場擁有高市占率,加上在微機電(MEMS)感測元件檢測分析產能已進入量產階段,所以隨著A8處理器、高通手機晶片、博通無線網路晶片、InvenSense的陀螺儀等iPhone 6及iPad Air 2等內建晶片放量投片,閎康等於間接打進蘋果供應鏈。 \n 至於台積電、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯電等積極布局的14/16奈米FinFET製程,將在明年開始進入量產階段。由於FinFET製程是屬於3D電晶體架構,材料及可靠性的檢測需求遠遠大於28奈米HKMG製程,因此,不僅電子束檢測設備廠漢微科、科磊(KLA Tencor)等接單強勁,閎康因為具備離子束及電子顯微鏡的影像自動量測分析(Auto Metrology)技術,今年底可望獲得客戶認證,搶進FinFET製程檢測市場。

  • FinFET戰火起 三星台積年底開打

    FinFET戰火起 三星台積年底開打

     韓國三星電子(Samsung)昨(31)日召開法說會,除了看好第3季DRAM及NAND Flash市場需求暢旺,也指出14奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程將在今年底進入量產。業界認為,台積電16奈米FinFET可望與三星同步在年底量產,台積電及三星的FinFET競爭誰能勝出,端看量產後良率拉升速度而定。 \n 三星第2季手機事業營運表現不佳,但記憶體事業卻獲利大好,營收季增10%達6.92兆韓元(約折合67億美元)。三星在法說會中指出,第2季DRAM市場供給及需求維持穩定,來自PC及伺服器的需求持穩,遊戲機及消費性電子產品等利基型DRAM需求也相當強勁。 \n 至於NAND Flash部份,三星指出,第2季受惠於PC及資料中心需求續增,以及主要品牌廠固態硬碟(SSD)的需求穩健,帶動NAND Flash營收成長,而高容量記憶卡需求強,大陸市場行動裝置對NAND Flash的需求也持續成長。 \n 在邏輯晶片的系統LSI部門,三星的表現就不如預期,主要是因為客戶對於行動裝置的應用處理器需求疲弱,營收因此低於上季,而晶圓代工部份表現也不盡理想。 \n 對於下半年展望部份,三星持續看好記憶體市場,而且供給量將出現吃緊情況。在DRAM產品線部份,因為供給量成長幅度有限,但包括PC、伺服器等應用市場需求卻強勁成長,特別是在新款行動裝置陸續上市,以及大陸智慧型手機等需求成長。 \n 三星對下半年NAND Flash市場也抱持樂觀看法,除了智慧型手機及平板等行動裝置內建更大容量NAND Flash,PC端的SSD需求更出現強勁成長動能,加上高容量記憶卡銷售暢旺,NAND Flash下半年的容量需求等同進入旺季。 \n 三星雖然指出下半年行動裝置銷售動能持續疲弱,影響到高階應用處理器的需求持續疲軟,但三星仍將發表20奈米處理器晶片,14奈米也將如期在今年底開始量產,以符合公司鞏固客戶基礎的計畫。

  • 台積16奈米 拚吃蘋果A9訂單

    台積16奈米 拚吃蘋果A9訂單

     晶圓代工龍頭台積電今(24)日召開股東會,由董事長張忠謀親自主持。台積電第2季營收好到破表,第3季因為20奈米新產能開出,加上蘋果A8處理器代工訂單量產,法人看好下半年營收將逐季成長,但面對三星及英特爾的競爭,市場聚焦16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程進度,以及是否再接再厲拿下A9代工訂單。 \n 台積電在28奈米高介電金屬閘極(HKMG)製程仍擁有高市占率,加上20奈米產能供不應求,將是推升今年營收及獲利成長的主要動能。 \n 台積電在營業報告書指出,預期20奈米製程將較28奈米製程更快進入量產,並成為驅動今、明年成長動力。而20奈米之後的16奈米FinFET製程,已於去年11月進入試產,今年初已如期完成製程驗證,預計在20奈米量產後的一年達成量產目標。 \n 設備業者透露,台積電16奈米FinFET、FinFET Plus製程導入量產進度有機會略為超強,原本應該明年第1季開始量產,有機會在今年底就提前擴大投片。台積電之所以要加快16奈米量產腳步,最主要目的就是要爭取蘋果再下一代的A9應用處理器代工訂單。 \n 另外,業界傳出,台積電為爭取A9代工訂單,將推出效能更高的16奈米FinFET Turbo製程,將在明年進入量產。至於在更先進製程上,台積電已經開始進行10奈米及7奈米技術的開發,其中10奈米將在2015年試產、2016年量產,效能及密度仍將維持業界第一,而7奈米預計2018年進入量產,可能會是台積電首度採用極紫外光(EUV)微影技術的重要製程。

  • 迎戰三星、英特爾 台積製程飆速

    迎戰三星、英特爾 台積製程飆速

     晶圓代工龍頭台積電本周四(18日)將召開法說會,上周於美國聖荷西(San Jose)舉辦的2013年技術論壇中,卻意外宣示包括16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)、極紫外光(EUV)等新技術研發及投產進度全部往前拉。 \n 業界認為,台積電將新技術投產進度時程全面提前,除了新技術研發有所突破外,另一戰略考量,即是為了迎戰聲勢如日中天的韓國三星,以及即將由薄紗後走到台前的英特爾。 \n 今年是台積電傾全力拉高28奈米產能的一年,原本規劃明年才開始拉升20奈米產能,但20奈米量產時間點可望提前至今年底開始。台積電在竹科12吋廠Fab12、南科12吋廠Fab14,已有20個20奈米晶片完成設計定案(tape-out),且多數為新一代ARM Cortex A15處理器核心的晶片。業界人士指出,當中自然包括了蘋果下一代A7處理器。 \n 台積電原本2015年後才真正進入16奈米FinFET世代,但現在已經確定今年底開始試產第一片16奈米FinFET製程晶圓,應是投產首顆64位元ARM Cortex-A57架構及ARMv8指令集設計晶片。 \n 由此來看,明年台積電就會進入16奈米FinFET世代,比原本預期早了一年。台積電雖然與英特爾、三星等共同加入了微影設備大廠荷商艾司摩爾(ASML)的「客戶聯合投資專案」,但去年底時,仍認為EUV技術尚未成熟,16奈米及10奈米仍會用到多重曝光浸潤式(Multi-Patterning Immersion)微影技術,7奈米後才會進入EUV世代,約在2016~2017年。 \n 不過,台積電指出,首片採用EUV微影投片的10奈米晶圓,可望在2015年底開始投產出貨。雖然台積電仍在評估電子束微影(e-beam)可行性,但由此來看,台積電EUV製程將提前1~2年時間進入生產階段。 \n 台積電將20奈米SoC製程、16奈米FinFET製程、EUV微影製程等生產時程全面往前拉,原本預估今年90億美元資本支出顯然不足,外資分析師均認為,台積電今年資本支出拉高到100億美元已無可避免,明年可能還會拉高到100億美元以上,才能將先進製程投產時間點順利提前。

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